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    METHOD FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRIC DAMAGE
    3.
    发明申请
    METHOD FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRIC DAMAGE 审中-公开
    修复低K电介质损伤的方法

    公开(公告)号：US20110097904A1

    公开(公告)日：2011-04-28

    申请号：US12604224

    申请日：2009-10-22

    申请人： Stephen M. Sirard ,  Kenji Takeshita ,  Andrew D. Bailey, III

    发明人： Stephen M. Sirard ,  Kenji Takeshita ,  Andrew D. Bailey, III

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

    摘要： A method for repairing damage to a silicon based low-k dielectric layer with organic compounds, where damage replaces a methyl attached to silicon with a hydroxyl attached to silicon is provided. A repair gas comprising CH4 gas is provided. The repair gas is formed into a plasma, while maintaining a pressure below 50 mTorr. Hydroxyl attached to silicon is replaced with methyl from the plasma formed by the repair gas.

    摘要翻译： 提供了用有机化合物修复对基于硅的低k电介质层的损伤的方法，其中损伤用连接到硅上的羟基连接到硅上的甲基替代。 提供了包含CH 4气体的修复气体。 将修复气体形成为等离子体，同时保持低于50mTorr的压力。 与由修复气体形成的等离子体中的被甲基取代的羟基被甲基取代。

    UNIFORM ETCH SYSTEM
    7.
    发明申请
    UNIFORM ETCH SYSTEM 有权
    均匀蚀刻系统

    公开(公告)号：US20080210377A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12055212

    申请日：2008-03-25

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    Uniform etch system
    8.
    发明授权
    Uniform etch system 有权
    均匀刻蚀系统

    公开(公告)号：US07371332B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US10642083

    申请日：2003-08-14

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    TUNING VIA FACET WITH MINIMAL RIE LAG
    10.
    发明申请
    TUNING VIA FACET WITH MINIMAL RIE LAG 审中-公开
    通过最小的RIE LAG调整

    公开(公告)号：US20090068767A1

    公开(公告)日：2009-03-12

    申请号：US11854038

    申请日：2007-09-12

    申请人： Stephen Sirard ,  Mikio Nagai ,  Kenji Takeshita ,  Sridharan Srivatsan ,  Jungmin Ko

    发明人： Stephen Sirard ,  Mikio Nagai ,  Kenji Takeshita ,  Sridharan Srivatsan ,  Jungmin Ko

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    摘要： A method for designing an etch recipe is provided. An etch is performed, comprising providing an etch gas with a set halogen to carbon ratio, forming a plasma from the etch gas, and etching trenches over via. Via faceting is measured. The halogen to carbon ratio is reset according to the measured via faceting, where the halogen to carbon ratio is increased if too much faceting is measured and the halogen to carbon ratio is decreased if too little faceting is measured. The previous steps are repeated until a desired amount of faceting is obtained.

    摘要翻译： 提供了一种设计蚀刻配方的方法。 执行蚀刻，包括提供具有设定的卤素与碳的比例的蚀刻气体，从蚀刻气体形成等离子体，以及蚀刻通过过孔的沟槽。 测量通过面。 卤素与碳的比例根据测量的通孔面重置，其中如果测量太多的小面积，则卤素与碳的比例将增加，并且如果测量的面积太小，则卤素与碳的比率降低。 重复前面的步骤，直到获得所需的刻面数量。