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    UNIFORM ETCH SYSTEM
    3.
    发明申请
    UNIFORM ETCH SYSTEM 有权
    均匀蚀刻系统

    公开(公告)号：US20080210377A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12055212

    申请日：2008-03-25

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    Uniform etch system
    4.
    发明授权
    Uniform etch system 有权
    均匀刻蚀系统

    公开(公告)号：US07371332B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US10642083

    申请日：2003-08-14

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    METHOD FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRIC DAMAGE
    8.
    发明申请
    METHOD FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRIC DAMAGE 审中-公开
    修复低K电介质损伤的方法

    公开(公告)号：US20110097904A1

    公开(公告)日：2011-04-28

    申请号：US12604224

    申请日：2009-10-22

    申请人： Stephen M. Sirard ,  Kenji Takeshita ,  Andrew D. Bailey, III

    发明人： Stephen M. Sirard ,  Kenji Takeshita ,  Andrew D. Bailey, III

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

    摘要： A method for repairing damage to a silicon based low-k dielectric layer with organic compounds, where damage replaces a methyl attached to silicon with a hydroxyl attached to silicon is provided. A repair gas comprising CH4 gas is provided. The repair gas is formed into a plasma, while maintaining a pressure below 50 mTorr. Hydroxyl attached to silicon is replaced with methyl from the plasma formed by the repair gas.

    摘要翻译： 提供了用有机化合物修复对基于硅的低k电介质层的损伤的方法，其中损伤用连接到硅上的羟基连接到硅上的甲基替代。 提供了包含CH 4气体的修复气体。 将修复气体形成为等离子体，同时保持低于50mTorr的压力。 与由修复气体形成的等离子体中的被甲基取代的羟基被甲基取代。

    Optically pumped disk-type solid state laser oscillator and optically pumped disk-type solid state laser system
    9.
    发明申请
    Optically pumped disk-type solid state laser oscillator and optically pumped disk-type solid state laser system 有权
    光泵浦式固态激光振荡器和光泵式盘式固态激光系统

    公开(公告)号：US20090161702A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12003178

    申请日：2007-12-20

    申请人： Kenji Takeshita ,  Shinya Ishii

    发明人： Kenji Takeshita ,  Shinya Ishii

    IPC分类号： H01S5/30

    CPC分类号： H01S3/09415 ,  H01S3/042 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0621 ,  H01S3/0627 ,  H01S3/0915 ,  H01S3/094038

    摘要： An optically pumped disk type solid state laser oscillator includes: a cylindrical shape thin film laser gain medium having a through-hole; a ring mirror whose surface is opposing to a side surface of the thin film laser gain medium; a conical mirror arranged in the through-hole and reflects a light from the ring mirror to a direction perpendicular to the thin film laser gain medium where an output mirror is arranged. The ring mirror, the conical mirror and the output mirror compose a resonator for oscillating a laser beam to be outputted from the output mirror.

    摘要翻译： 光泵式固态激光振荡器包括：具有通孔的圆柱形薄膜激光增益介质; 表面与薄膜激光增益介质的侧表面相对的环形镜; 布置在所述通孔中的圆锥镜，并将来自所述环形镜的光反射到与设置有输出镜的所述薄膜激光增益介质垂直的方向。 环形镜，锥形镜和输出镜组成用于振荡从输出镜输出的激光束的谐振器。

    Method for providing uniform removal of organic material
    10.
    发明授权
    Method for providing uniform removal of organic material 有权
    提供均匀去除有机材料的方法

    公开(公告)号：US07534363B2

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：US10877222

    申请日：2004-06-25

    申请人： Rao V. Annapragada ,  Odette Turmel ,  Kenji Takeshita ,  Lily Zheng ,  Thomas S. Choi ,  David R. Pirkle

    发明人： Rao V. Annapragada ,  Odette Turmel ,  Kenji Takeshita ,  Lily Zheng ,  Thomas S. Choi ,  David R. Pirkle

    IPC分类号： C23F1/00

    CPC分类号： H01J37/3244 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    摘要： A method for removing organic material over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to an outer zone of the plasma processing chamber, wherein the outer zone surrounds the inner zone and the second gas has a carbon containing component, wherein a concentration of the carbon containing component of the second gas is greater than a concentration of the carbon containing component in the first gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. Some or all of the organic material is removed using the generated plasmas.

    摘要翻译： 提供了一种在衬底上除去有机材料的方法。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室的外部区域，其中外部区域围绕内部区域，第二气体具有含碳成分，其中第二气体的含碳成分的浓度大于浓度 的第一气体中的含碳组分。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 使用所产生的等离子体去除部分或全部有机材料。