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    UNIFORM ETCH SYSTEM
    3.
    发明申请
    UNIFORM ETCH SYSTEM 有权
    均匀蚀刻系统

    公开(公告)号：US20080210377A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12055212

    申请日：2008-03-25

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    Uniform etch system
    4.
    发明授权
    Uniform etch system 有权
    均匀刻蚀系统

    公开(公告)号：US07371332B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US10642083

    申请日：2003-08-14

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask
    8.
    发明授权
    In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask 有权
    在等离子体蚀刻活性硬掩模时的原位光刻胶条

    公开(公告)号：US08912633B2

    公开(公告)日：2014-12-16

    申请号：US13607390

    申请日：2012-09-07

    申请人： Sangjun Cho ,  Tom Choi ,  Taejoon Han ,  Sean Kang ,  Prabhakara Gopaladasu ,  Bi-Ming Yen

    发明人： Sangjun Cho ,  Tom Choi ,  Taejoon Han ,  Sean Kang ,  Prabhakara Gopaladasu ,  Bi-Ming Yen

    IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  G03F7/42 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/3081 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

    摘要： A method for etching features in a silicon layer is provided. A hard mask layer is formed over the silicon layer. A photoresist layer is formed over the hard mask layer. The hard mask layer is opened. The photoresist layer is stripped by providing a stripping gas; forming a plasma with the stripping gas by providing a high frequency RF power and a low frequency RF power, wherein the low frequency RF power has a power less than 50 watts; and stopping the stripping gas when the photoresist layer is stripped. The opening the hard mask layer and the stripping the photoresist layer are performed in a same chamber.

    摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻硅层中的特征的方法。 在硅层上形成硬掩模层。 在硬掩模层上形成光致抗蚀剂层。 打开硬掩模层。 通过提供剥离气体来剥离光致抗蚀剂层; 通过提供高频RF功率和低频RF功率与剥离气体形成等离子体，其中低频RF功率具有小于50瓦的功率; 并且当剥离光致抗蚀剂层时停止剥离气体。 打开硬掩模层和剥离光致抗蚀剂层在相同的室中进行。

    In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask
    9.
    发明授权
    In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask 有权
    在等离子体蚀刻活性硬掩模时的原位光刻胶条

    公开(公告)号：US08283255B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US11807011

    申请日：2007-05-24

    申请人： Sangjun Cho ,  Tom Choi ,  Taejoon Han ,  Sean Kang ,  Prabhakara Gopaladasu ,  Bi-Ming Yen

    发明人： Sangjun Cho ,  Tom Choi ,  Taejoon Han ,  Sean Kang ,  Prabhakara Gopaladasu ,  Bi-Ming Yen

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/3081 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

    摘要： A method for etching features in a silicon layer is provided. A hard mask layer is formed over the silicon layer. A photoresist layer is formed over the hard mask layer. The hard mask layer is opened. The photoresist layer is stripped by providing a stripping gas; forming a plasma with the stripping gas by providing a high frequency RF power and a low frequency RF power, wherein the low frequency RF power has a power less than 50 watts; and stopping the stripping gas when the photoresist layer is stripped. The opening the hard mask layer and the stripping the photoresist layer are performed in a same chamber.

    摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻硅层中的特征的方法。 在硅层上形成硬掩模层。 在硬掩模层上形成光致抗蚀剂层。 打开硬掩模层。 通过提供剥离气体来剥离光致抗蚀剂层; 通过提供高频RF功率和低频RF功率与剥离气体形成等离子体，其中低频RF功率具有小于50瓦的功率; 并且当剥离光致抗蚀剂层时停止剥离气体。 打开硬掩模层和剥离光致抗蚀剂层在相同的室中进行。

    Etching a metal hard mask for an integrated circuit structure
    10.
    发明授权
    Etching a metal hard mask for an integrated circuit structure 失效
    刻蚀集成电路结构的金属硬掩模

    公开(公告)号：US06930048B1

    公开(公告)日：2005-08-16

    申请号：US10246844

    申请日：2002-09-18

    申请人： SiYi Li ,  S.M. Rega Sadjadi ,  Sean S. Kang ,  Tri Le ,  Bi-Ming Yen ,  Scott Briggs

    发明人： SiYi Li ,  S.M. Rega Sadjadi ,  Sean S. Kang ,  Tri Le ,  Bi-Ming Yen ,  Scott Briggs

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832

    摘要： The invention is a method of etching an integrated circuit (IC) structure that includes a metal hard mask layer. The etching of the metal hard mask layer is performed by first feeding a gas mixture comprising a fluorine containing gas and oxygen (O2) gas to a reactor. The method then proceeds to generate a plasma that etches the metal hard mask layer. The method can be applied to either performing a via etch or a trench etch. Additionally, the invention teaches the removal of a photoresist layer without affecting the metal hard mask layer.

    摘要翻译： 本发明是一种蚀刻包含金属硬掩模层的集成电路（IC）结构的方法。 金属硬掩模层的蚀刻通过首先将包含含氟气体和氧气（O 2/2））的气体混合到反应器中来进行。 然后该方法进行以产生蚀刻金属硬掩模层的等离子体。 该方法可以应用于执行通孔蚀刻或沟槽蚀刻。 另外，本发明教导了去除光致抗蚀剂层而不影响金属硬掩模层。