公开(公告)号：US20130130410A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13743087

申请日：2013-01-16

申请人： Burn Jeng LIN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Ru-Gun LIU ,  Wen-Chun HUANG

发明人： Burn Jeng LIN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Ru-Gun LIU ,  Wen-Chun HUANG

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/10 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of via patterning mask assignment for a via layer using double patterning technology, the method includes determining, using a processor, if a via of the via layer intercepts an underlying or overlaying metal structure assigned to a first metal mask. If the via intercepts the metal structure assigned to the first metal mask, assigning the via to a first via mask, wherein the first via mask aligns with the first metal mask. Otherwise, assigning the via to a second via mask, wherein the second via mask aligns with a second metal mask different from the first metal mask.

摘要翻译： 一种通过使用双重图案化技术对通孔层进行图案掩模分配的方法，所述方法包括使用处理器来确定通孔层的通孔是否拦截分配给第一金属掩模的下面或重叠的金属结构。 如果通孔截取分配给第一金属掩模的金属结构，则将通孔分配给第一通孔掩模，其中第一通孔掩模与第一金属掩模对准。 否则，将通孔分配给第二通孔掩模，其中第二通孔掩模与不同于第一金属掩模的第二金属掩模对准。

公开(公告)号：US20120135600A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13006608

申请日：2011-01-14

申请人： Burn Jeng LIN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Ru-Gun LIU ,  Wen-Chun Huang

发明人： Burn Jeng LIN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Ru-Gun LIU ,  Wen-Chun Huang

IPC分类号： H01L21/44 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L22/10 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The embodiments of via mask splitting methods for double patterning technology described enable via patterning to align to a metal layer underneath or overlying to reduce overlay error and to increase via landing. If adjacent vias violate the G0-mask-split-rule for space or pitch (or both) between vias, the mask assignment of end vias are given higher priority to ensure good landing of end vias, since they are at higher risk of mislanding. The metal correlated via mask splitting methods enable better via performance, such as lower via resistance, and higher via yield.

摘要翻译： 所描述的用于双重图案化技术的通孔掩模分裂方法的实施例使得能够经由图案化以对准下面的金属层或覆盖以减少覆盖误差并增加通过着陆。 如果相邻的通孔违反了通孔之间的空间或间距（或两者）的G0-掩模分割规则，则优先考虑末端通孔的掩模分配，以确保最终通孔的良好着陆，因为它们具有较高的误放置风险。 通过掩模分离方法相关的金属能够实现更好的通过性能，例如较低的通孔电阻和较高的通孔产量。

公开(公告)号：US20070285639A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11461234

申请日：2006-07-31

申请人： Fu-Jye LIANG ,  Lin-Hung SHIU ,  Chun-Kuang CHEN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Burn Jeng LIN

发明人： Fu-Jye LIANG ,  Lin-Hung SHIU ,  Chun-Kuang CHEN ,  Tsai-Sheng GAU ,  Burn Jeng LIN

IPC分类号： G03B27/42

CPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/70466

摘要： A lithography process to pattern a plurality of fields on a substrate is disclosed. The process includes scanning a first field along a first direction using a radiation beam. Thereafter, the processes steps to a second field adjacent the first field and located behind the first field when the first and second fields are viewed along the first direction. The second field is then scanned along the first direction using the radiation beam.

摘要翻译： 公开了一种用于对衬底上的多个场进行图案化的光刻工艺。 该过程包括使用辐射束沿第一方向扫描第一场。 此后，当沿着第一方向观察第一和第二场时，处理步骤到与第一场相邻并位于第一场后面的第二场。 然后使用辐射束沿着第一方向扫描第二场。

公开(公告)号：US20080030692A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11462413

申请日：2006-08-04

申请人： Hsien-Cheng WANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  H. J. LEE ,  Ching-Yu CHANG ,  Hua-Tai LIN ,  Burn Jeng LIN

发明人： Hsien-Cheng WANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  H. J. LEE ,  Ching-Yu CHANG ,  Hua-Tai LIN ,  Burn Jeng LIN

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70858 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A material for use in lithography processing includes a polymer that turns soluble to a base solution in response to reaction with acid and a plurality of magnetically amplified generators (MAGs) each having a magnetic element and each decomposing to form acid bonded with the magnetic element in response to radiation energy.

摘要翻译： 用于光刻处理的材料包括响应于与酸的反应而变成可溶于碱溶液的聚合物和多个具有磁性元素的磁放大发生器（MAG），并分别与磁性元件形成酸结合 响应辐射能量。

公开(公告)号：US20070091288A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11548551

申请日：2006-10-11

申请人： Burn Jeng LIN ,  David LU

发明人： Burn Jeng LIN ,  David LU

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70983 ,  G02B1/105 ,  G02B1/111 ,  G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B13/143 ,  G03F7/70341

摘要： Disclosed is an objective lens adapted for use in liquid immersion photolithography and a method for making such a lens. In one example, the objective lens has multiple lens elements, one of which includes a transparent substrate and a layer of protective coating (PC). The PC is formed proximate to the transparent substrate and is positioned between a liquid used during the liquid immersion photolithography and the transparent substrate to protect the transparent substrate from the liquid.

摘要翻译： 公开了适用于液浸光刻的物镜和制造这种透镜的方法。 在一个示例中，物镜具有多个透镜元件，其中一个透镜元件包括透明基板和一层保护涂层（PC）。 PC形成在透明基板附近，并且位于液浸光刻期间使用的液体和透明基板之间，以保护透明基板免于液体。

公开(公告)号：US20070091287A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11427421

申请日：2006-06-29

申请人： Ching-Yu CHANG ,  Burn Jeng LIN ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Ching-Yu CHANG ,  Burn Jeng LIN ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： B08B3/12 ,  B08B7/00 ,  B08B3/00 ,  G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70925 ,  G03F7/70341

摘要： A lithography apparatus includes an imaging lens module; a substrate table positioned underlying the imaging lens module and configured to hold a substrate; and a cleaning module adapted to clean the lithography apparatus. The cleaning module is selected from the group consisting of an ultrasonic unit, a scrubber, a fluid jet, an electrostatic cleaner, and combinations thereof.

摘要翻译： 光刻设备包括成像透镜模块; 位于所述成像透镜模块下方且被配置为保持基板的基板台; 以及适于清洁光刻设备的清洁模块。 清洁模块选自超声波单元，洗涤器，流体射流，静电清洁器及其组合。

公开(公告)号：US20070037410A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11426233

申请日：2006-06-23

申请人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  Burn Jeng LIN

发明人： Ching-Yu CHANG ,  Chin-Hsiang LIN ,  Burn Jeng LIN

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

摘要： A method of lithography patterning includes forming a first material layer on a substrate, the first material layer being substantially free of silicon, and forming a patterned resist layer including at least one opening therein above the first material layer. A second material layer containing silicon is formed on the patterned resist layer and an opening is formed in the first material layer using the second material layer as a mask.

摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基底上形成第一材料层，第一材料层基本上不含硅，并且在第一材料层上方形成包括至少一个开口的图案化抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成含有硅的第二材料层，并且使用第二材料层作为掩模在第一材料层中形成开口。