公开(公告)号：US08278221B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US13181655

申请日：2011-07-13

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US08003543B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12759771

申请日：2010-04-14

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US20080090419A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11727124

申请日：2007-03-23

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US20110269294A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US13181655

申请日：2011-07-13

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US20100197139A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12759771

申请日：2010-04-14

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US07732341B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11727124

申请日：2007-03-23

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Joon-soo Park ,  Ji-young Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A method of forming hard mask employs a double patterning technique. A first hard mask layer is formed on a substrate, and a first sacrificial pattern is formed on the first hard mask layer by photolithography. Features of the first sacrificial pattern are spaced from one another by a first pitch. A second hard mask layer is then formed conformally on the first sacrificial pattern and the first hard mask layer so as to delimit recesses between adjacent features of the first sacrificial pattern. Upper portions of the second hard mask layer are removed to expose the first sacrificial pattern, and the exposed first sacrificial pattern and the second sacrificial pattern are removed. The second hard mask layer and the first hard mask layer are then etched to form a hard mask composed of residual portions of the first hard mask layer and the second hard mask layer. A fine pattern of a semiconductor device, such as a trench isolation region or a pattern of contact holes, can be formed using the hard mask as an etch mask.

摘要翻译： 形成硬掩模的方法采用双重图案化技术。 第一硬掩模层形成在基板上，并且通过光刻在第一硬掩模层上形成第一牺牲图案。 第一牺牲图案的特征彼此间隔开第一间距。 然后在第一牺牲图案和第一硬掩模层上共形地形成第二硬掩模层，以便限定第一牺牲图案的相邻特征之间的凹部。 去除第二硬掩模层的上部以露出第一牺牲图案，并且去除暴露的第一牺牲图案和第二牺牲图案。 然后蚀刻第二硬掩模层和第一硬掩模层，以形成由第一硬掩模层和第二硬掩模层的残留部分组成的硬掩模。 可以使用硬掩模作为蚀刻掩模来形成诸如沟槽隔离区域或接触孔图案的半导体器件的精细图案。

公开(公告)号：US20080076070A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11554324

申请日：2006-10-30

申请人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Gi-sung Yeo ,  Yool Kang ,  Ji-young Lee ,  Doo-youl Lee

发明人： Cha-won Koh ,  Han-ku Cho ,  Gi-sung Yeo ,  Yool Kang ,  Ji-young Lee ,  Doo-youl Lee

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

摘要： A fine pattern is formed in an integrated circuit substrate, by forming a sacrificial pattern on the integrated circuit substrate. The sacrificial pattern includes tops and side walls. Atomic layer deposition is then performed to atomic layer deposit a mask material layer on the sacrificial pattern, including on the tops and the side walls thereof, and on the integrated circuit substrate therebetween. The mask material layer that was atomic layer deposited is then etched, to expose the top and the integrated circuit therebetween, such that a mask material pattern remains on the side walls. The sacrificial pattern is then removed, and the integrated circuit substrate is then etched through the mask material pattern that remains.

摘要翻译： 通过在集成电路基板上形成牺牲图案，在集成电路基板上形成精细图案。 牺牲图案包括顶部和侧壁。 然后进行原子层沉积以在牺牲图案上沉积掩模材料层，包括在其顶部和侧壁上以及其间的集成电路基板上。 然后蚀刻原子层沉积的掩模材料层，以暴露其间的顶部和集成电路，使得掩模材料图案残留在侧壁上。 然后去除牺牲图案，然后通过保留的掩模材料图案蚀刻集成电路基板。

公开(公告)号：US07787301B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11590207

申请日：2006-10-31

申请人： Doo-youl Lee ,  Han-ku Cho ,  Suk-joo Lee ,  Gi-sung Yeo ,  Cha-won Koh ,  Pan-suk Kwak

发明人： Doo-youl Lee ,  Han-ku Cho ,  Suk-joo Lee ,  Gi-sung Yeo ,  Cha-won Koh ,  Pan-suk Kwak

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： H01L27/11531 ,  H01L27/11526

摘要： Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.

摘要翻译： 提供一种闪速存储器件及其制造方法。 闪存设备包括字符串。 串中的每一个具有字符串选择线，接地选择线和在串选择线和地选择线之间形成的奇数个字线。

公开(公告)号：US07687369B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11896512

申请日：2007-09-04

申请人： Cha-won Koh ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Sang-jin Kim ,  Sung-gon Jung

发明人： Cha-won Koh ,  Jeong-lim Nam ,  Gi-sung Yeo ,  Sang-jin Kim ,  Sung-gon Jung

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134

摘要： A method of forming fine metal interconnect patterns includes forming an insulating film on a substrate, forming a plurality of mold patterns with first spaces therebetween on the insulating film, such that the mold patterns have a first layout, forming metal hardmask patterns in the first spaces by a damascene process, removing the mold patterns, etching the insulating film through the metal hardmask patterns to form insulating film patterns with second spaces therebetween, the second spaces having the first layout, and forming metal interconnect patterns having the first layout in the second spaces by the damascene process.

摘要翻译： 一种形成精细金属互连图案的方法包括在基板上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成多个模具图案，其间具有第一间隔，使得模具图案具有第一布局，在第一空间中形成金属硬掩模图案 通过镶嵌工艺去除模具图案，通过金属硬掩模图案蚀刻绝缘膜以形成具有第二间隔的绝缘膜图案，第二空间具有第一布局，并且在第二空间中形成具有第一布局的金属互连图案 通过大马士革的过程。

公开(公告)号：US20100290285A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12845829

申请日：2010-07-29

申请人： Doo-youl Lee ,  Han-ku Cho ,  Suk-joo Lee ,  Gi-sung Yeo ,  Cha-won Koh ,  Pan-suk Kwak

发明人： Doo-youl Lee ,  Han-ku Cho ,  Suk-joo Lee ,  Gi-sung Yeo ,  Cha-won Koh ,  Pan-suk Kwak

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/11531 ,  H01L27/11526

摘要： Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.

摘要翻译： 提供一种闪速存储器件及其制造方法。 闪存设备包括字符串。 串中的每一个具有字符串选择线，接地选择线和在串选择线和地选择线之间形成的奇数个字线。