公开(公告)号：US07355210B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US10906458

申请日：2005-02-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Jia-Rong Chang ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Jia-Rong Chang ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L31/12

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

摘要： A high-efficiency light-emitting element includes a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer including a plurality of hexagonal-pyramid cavities on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.

摘要翻译： 高效发光元件包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的氮化物发光层和形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体层 包括在与氮化物发光层相对的第二氮化物半导体层的表面上的多个六角锥形空腔。

公开(公告)号：US20050211995A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10906458

申请日：2005-02-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Jia-Rong Chang ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Jia-Rong Chang ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01S5/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

摘要： A high-efficiency light-emitting element includes a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer including a plurality of hexagonal-pyramid cavities on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.

摘要翻译： 高效发光元件包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的氮化物发光层和形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体层 包括在与氮化物发光层相对的第二氮化物半导体层的表面上的多个六角锥形空腔。

公开(公告)号：US07705344B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US12078899

申请日：2008-04-08

申请人： Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai ,  Chen Ou

发明人： Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/325

摘要： A light-emitting device includes a substrate, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; wherein the active layer is a multi-quantum-well (MQW) active layer with a predetermined n-type doping profile. More specifically, the MQW active layer is doped with n-type dopants in the region near the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, and the central region is not doped with the n-type dopants.

摘要翻译： 发光器件包括衬底，n型半导体层，有源层和p型半导体层; 其中所述有源层是具有预定n型掺杂分布的多量子阱（MQW）有源层。 更具体地，MQW有源层在p型半导体层和n型半导体层附近的区域中掺杂有n型掺杂剂，并且中心区域不掺杂n型掺杂剂。

公开(公告)号：US20050285136A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。

公开(公告)号：US07385226B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。

公开(公告)号：US20080054278A9

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11160354

申请日：2005-06-21

申请人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light-emitting device includes a substrate, a first nitride semiconductor stack formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor stack, a second nitride semiconductor stack formed on the nitride light-emitting layer, and a first transparent conductive oxide layer formed on the second nitride semiconductor stack. The second nitride semiconductor stack includes a plurality of hexagonal-pyramid cavities formed in an upper surface of the second nitride semiconductor stack. The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated at the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一氮化物半导体堆叠，形成在第一氮化物半导体堆叠上的氮化物发光层，形成在氮化物发光层上的第二氮化物半导体堆叠，以及第一 透明导电氧化物层形成在第二氮化物半导体堆叠上。 第二氮化物半导体堆叠包括形成在第二氮化物半导体堆叠的上表面中的多个六边形棱锥空腔。 第二氮化物半导体叠层的多个六角形金字塔腔被第一透明导电氧化物层填充，并且在多个六角锥形空腔的内表面处产生低电阻欧姆接触，以减少操作 电压并提高发光装置的发光效率。

公开(公告)号：US20080246018A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12078899

申请日：2008-04-08

申请人： Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai ,  Chen Ou

发明人： Ting-Yang Lin ,  Shih-Kuo Lai ,  Chen Ou

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/325

摘要： A light-emitting device includes a substrate, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; wherein the active layer is a multi-quantum-well (MQW) active layer with a predetermined n-type doping profile. More specifically, the MQW active layer is doped with n-type dopants in the region near the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, and the central region is not doped with the n-type dopants.

摘要翻译： 发光装置包括基板，n型半导体层，有源层和p型半导体层; 其中所述有源层是具有预定n型掺杂分布的多量子阱（MQW）有源层。 更具体地，MQW有源层在p型半导体层和n型半导体层附近的区域中掺杂有n型掺杂剂，并且中心区域不掺杂n型掺杂剂。

公开(公告)号：US07132695B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US10605513

申请日：2003-10-05

申请人： Chen Ou ,  Jia-Rong Chang ,  Chen-Ke Hsu ,  Chang-Huei Jing

发明人： Chen Ou ,  Jia-Rong Chang ,  Chen-Ke Hsu ,  Chang-Huei Jing

IPC分类号： H10L31/0304

CPC分类号： H01L33/325 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0421

摘要： A light emitting diode with a dual dopant contact layer. The light emitting diode includes a substrate, a light emitting stacked structure formed on the substrate, a dual dopant contact layer formed on the light emitting stacked structure, and a transparent conductive oxide layer formed on the dual dopant contact layer. The dual dopant contact layer has a plurality of p-type dopants and a plurality of n-type dopants after being fabricated.

摘要翻译： 具有双掺杂剂接触层的发光二极管。 发光二极管包括基板，形成在基板上的发光层叠结构，形成在发光层叠结构上的双掺杂剂接触层和形成在双掺杂剂接触层上的透明导电氧化物层。 双掺杂剂接触层在制造之后具有多个p型掺杂剂和多种n型掺杂剂。

公开(公告)号：US08536565B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13046490

申请日：2011-03-11

申请人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A nitride-based light-emitting device includes a substrate and a plurality of layers formed over the substrate in the following sequence: a nitride-based buffer layer formed by nitrogen, a first group III element, and optionally, a second group III element, a first nitride-based semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second nitride-based semiconductor layer.

摘要翻译： 氮化物系发光器件包括基板和在该基板上形成的多个层，其顺序如下：由氮形成的基于氮化物的缓冲层，第一III族元素和任选的第二III族元素， 第一氮化物基半导体层，发光层和第二氮化物基半导体层。

公开(公告)号：US07497905B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US10711567

申请日：2004-09-24

申请人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

发明人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Ternary nitride-based buffer layer of a nitride-based light-emitting device and related manufacturing method. The device includes a substrate and a plurality of layers formed over the substrate in the following sequence: a ternary nitride-based buffer layer, a first conductivity type nitride-based semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second conductivity type nitride-based semiconductor layer. The manufacturing method includes introducing a first reaction source containing a first group III element into a chamber at a first temperature that is subsequently deposited on the surface of the substrate, the melting point of said element being lower than the first temperature. Introducing a second reaction source containing a second group III element and a third reaction source containing a nitrogen element into the chamber at a second temperature, no lower than the melting point of the first group III element, for forming a ternary nitride-based buffer layer with the first group III element.

摘要翻译： 氮化物系发光元件的三元氮化物系缓冲层及其制造方法。 该装置包括基板和多个层，其以下列顺序形成在基板上：三元氮化物基缓冲层，第一导电型氮化物基半导体层，发光层和第二导电型氮化物基缓冲层， 基于半导体层。 该制造方法包括将包含第一III族元素的第一反应源在随后沉积在基材表面上的第一温度下引入室中，所述元素的熔点低于第一温度。 在不低于第一III族元素的熔点的第二温度下引入含有第二组III元素的第二反应源和含有氮元素的第三反应源，用于形成三元氮化物基缓冲层 与第一组III元素。