公开(公告)号：US07358184B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US10819137

申请日：2004-04-07

申请人： Chien-Hung Liu ,  Ming-Huan Yang ,  Jane Chang ,  Chun-Jung Chen ,  Chao-Kai Cheng ,  Kou-Chen Liu

发明人： Chien-Hung Liu ,  Ming-Huan Yang ,  Jane Chang ,  Chun-Jung Chen ,  Chao-Kai Cheng ,  Kou-Chen Liu

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0783

摘要： A method of forming a conductive via plug is disclosed. The conductive via plug is formed by printing a solution comprising a solvent with insulating material dissolve capability and a conductive material by an inkjet method. The formed conductive via plug has a low resistivity and thus may serve as an electrical connection between two separate conductive layers. This manufacturing method of the conductive via plug may achieve simultaneously deposition, patterning and etching purposes, which significantly simplifies the manufacturing process.

摘要翻译： 公开了形成导电通孔的方法。 导电通孔插塞是通过用喷墨法印刷包含具有绝缘材料溶剂的溶剂的溶液和导电材料而形成的。 所形成的导电通孔塞具有低电阻率，因此可以用作两个分开的导电层之间的电连接。 导电通孔插头的这种制造方法可以实现同时沉积，图案化和蚀刻目的，这显着简化了制造工艺。

公开(公告)号：US20050142871A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10819137

申请日：2004-04-07

申请人： Chien-Hung Liu ,  Ming-Huan Yang ,  Jane Chang ,  Chun-Jung Chen ,  Chao-Kai Cheng ,  Kou-Chen Liu

发明人： Chien-Hung Liu ,  Ming-Huan Yang ,  Jane Chang ,  Chun-Jung Chen ,  Chao-Kai Cheng ,  Kou-Chen Liu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H05K3/00 ,  H05K3/32 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0783

摘要： A method of forming a conductive via plug is disclosed. The conductive via plug is formed by printing a solution comprising a solvent with insulating material dissolve capability and a conductive material by an inkjet method. The formed conductive via plug has a low resistivity and thus may serve as an electrical connection between two separate conductive layers. This manufacturing method of the conductive via plug may achieve simultaneously deposition, patterning and etching purposes, which significantly simplifies the manufacturing process.

摘要翻译： 公开了形成导电通孔的方法。 导电通孔插塞是通过用喷墨法印刷包含具有绝缘材料溶剂的溶剂的溶液和导电材料而形成的。 所形成的导电通孔塞具有低电阻率，因此可以用作两个分开的导电层之间的电连接。 导电通孔插头的这种制造方法可以实现同时沉积，图案化和蚀刻目的，这显着简化了制造工艺。

公开(公告)号：US08680516B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13239581

申请日：2011-09-22

申请人： Der-Jun Jan ,  Kou-Chen Liu ,  Yi-Lin Chiang

发明人： Der-Jun Jan ,  Kou-Chen Liu ,  Yi-Lin Chiang

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/5253

摘要： The present invention discloses a packaging structure and method for organic light emitting devices, in which the packaging structure comprises a substrate; an OLED device, which disposing on the substrate; a first transparent protection layer, which forming on the OLED device; and a second transparent protection layer, which forming on the first transparent protection layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于有机发光器件的封装结构和方法，其中所述封装结构包括衬底; 设置在基板上的OLED器件; 第一透明保护层，其在OLED器件上形成; 以及形成在第一透明保护层上的第二透明保护层。

公开(公告)号：US20120098022A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13239581

申请日：2011-09-22

申请人： DER-JUN JAN ,  Kou-Chen Liu ,  Yi-Lin Chiang

发明人： DER-JUN JAN ,  Kou-Chen Liu ,  Yi-Lin Chiang

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L51/5253

摘要： The present invention discloses a packaging structure and method for organic light emitting devices, in which the packaging structure comprises a substrate; an OLED device, which disposing on the substrate; a first transparent protection layer, which forming on the OLED device; and a second transparent protection layer, which forming on the first transparent protection layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于有机发光器件的封装结构和方法，其中所述封装结构包括衬底; 设置在基板上的OLED器件; 第一透明保护层，其在OLED器件上形成; 以及形成在第一透明保护层上的第二透明保护层。

公开(公告)号：US08487290B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12324841

申请日：2008-11-27

申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih ,  Kou-Chen Liu

发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih ,  Kou-Chen Liu

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： A method for fabricating an RRAM is provided. First, a bottom electrode is formed. A resistive layer is formed on the bottom electrode. A top electrode is then formed on the resistive layer, wherein the top electrode is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). Finally, the top electrode is irradiated with UV light.

摘要翻译： 提供了一种制造RRAM的方法。 首先，形成底部电极。 电阻层形成在底部电极上。 然后在电阻层上形成顶部电极，其中顶部电极选自氧化铟锡（ITO）和氧化铟锌（IZO）。 最后，用紫外光照射顶部电极。

公开(公告)号：US20100072449A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12324841

申请日：2008-11-27

申请人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih ,  Kou-Chen Liu

发明人： Chun-I Hsieh ,  Chang-Rong Wu ,  Neng-Tai Shih ,  Kou-Chen Liu

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： A method for fabricating an RRAM is provided. First, a bottom electrode is formed. A resistive layer is formed on the bottom electrode. A top electrode is then formed on the resistive layer, wherein the top electrode is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). Finally, the top electrode is irradiated with UV light.

摘要翻译： 提供了一种制造RRAM的方法。 首先，形成底部电极。 电阻层形成在底部电极上。 然后在电阻层上形成顶部电极，其中顶部电极选自氧化铟锡（ITO）和氧化铟锌（IZO）。 最后，用紫外光照射顶部电极。