公开(公告)号：US20110265721A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US13095720

申请日：2011-04-27

申请人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W.H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W.H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

IPC分类号： C23C16/00 ,  B01J19/08

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

摘要： An apparatus and a method for depositing materials, and more particularly a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process are provided. In one embodiment a chamber comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.

摘要翻译： 提供一种用于沉积材料的装置和方法，更具体地，提供了在等离子体增强过程期间配置成沉积材料的气相沉积室。 在一个实施例中，室包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中并被配置为支撑一个或多个基板的基板支撑件，设置在基板支撑件上方的过程盖组件，其中处理盖组件具有等离子体腔 被配置为产生等离子体并且为处理体积提供一个或多个自由基物质，耦合到气体分配组件的RF（射频）功率源，与处理盖组件耦合的等离子体形成气体源，以及反应气体源 与工艺盖组件。

公开(公告)号：US09004006B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13095720

申请日：2011-04-27

申请人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

摘要： An apparatus and a method for depositing materials, and more particularly a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process are provided. In one embodiment a chamber comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.

摘要翻译： 提供一种用于沉积材料的装置和方法，更具体地，提供了在等离子体增强过程期间配置成沉积材料的气相沉积室。 在一个实施例中，室包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中并被配置为支撑一个或多个基板的基板支撑件，设置在基板支撑件上方的过程盖组件，其中处理盖组件具有等离子体腔 被配置为产生等离子体并且为处理体积提供一个或多个自由基物质，耦合到气体分配组件的RF（射频）功率源，与处理盖组件耦合的等离子体形成气体源，以及反应气体源 与工艺盖组件。

公开(公告)号：US20140342555A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US13897327

申请日：2013-05-17

申请人： Hyman Lam ,  Nicholas R. Denny ,  Joseph AuBuchon ,  Mei Chang

发明人： Hyman Lam ,  Nicholas R. Denny ,  Joseph AuBuchon ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/48

CPC分类号： H01L21/32051 ,  C23C16/482 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76862

摘要： Described are apparatus and methods for processing semiconductor wafers so that a film can be deposited on the wafer and the film can be UV treated without the need to move the wafer to a separate location for treatment. The apparatus and methods include a window which is isolated from the reactive gases by a flow of an inert gas.

摘要翻译： 描述了用于处理半导体晶片的装置和方法，使得膜可以沉积在晶片上，并且膜可以被UV处理，而不需要将晶片移动到单独的处理位置。 该装置和方法包括通过惰性气体流与活性气体隔离的窗口。