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    PROCESS CHAMBER LID DESIGN WITH BUILT-IN PLASMA SOURCE FOR SHORT LIFETIME SPECIES
    1.
    发明申请
    PROCESS CHAMBER LID DESIGN WITH BUILT-IN PLASMA SOURCE FOR SHORT LIFETIME SPECIES 有权
    用于短期生物物种的内置等离子体源的过程室盖设计

    公开(公告)号：US20110265721A1

    公开(公告)日：2011-11-03

    申请号：US13095720

    申请日：2011-04-27

    申请人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W.H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    发明人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W.H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    IPC分类号： C23C16/00 ,  B01J19/08

    CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

    摘要： An apparatus and a method for depositing materials, and more particularly a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process are provided. In one embodiment a chamber comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.

    摘要翻译： 提供一种用于沉积材料的装置和方法，更具体地，提供了在等离子体增强过程期间配置成沉积材料的气相沉积室。 在一个实施例中，室包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中并被配置为支撑一个或多个基板的基板支撑件，设置在基板支撑件上方的过程盖组件，其中处理盖组件具有等离子体腔 被配置为产生等离子体并且为处理体积提供一个或多个自由基物质，耦合到气体分配组件的RF（射频）功率源，与处理盖组件耦合的等离子体形成气体源，以及反应气体源 与工艺盖组件。

    Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species
    2.
    发明授权
    Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species 有权
    过程室盖设计，内置等离子体源，用于短寿命物种

    公开(公告)号：US09004006B2

    公开(公告)日：2015-04-14

    申请号：US13095720

    申请日：2011-04-27

    申请人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    发明人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

    CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

    摘要： An apparatus and a method for depositing materials, and more particularly a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process are provided. In one embodiment a chamber comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.

    摘要翻译： 提供一种用于沉积材料的装置和方法，更具体地，提供了在等离子体增强过程期间配置成沉积材料的气相沉积室。 在一个实施例中，室包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中并被配置为支撑一个或多个基板的基板支撑件，设置在基板支撑件上方的过程盖组件，其中处理盖组件具有等离子体腔 被配置为产生等离子体并且为处理体积提供一个或多个自由基物质，耦合到气体分配组件的RF（射频）功率源，与处理盖组件耦合的等离子体形成气体源，以及反应气体源 与工艺盖组件。

    Selective etching of silicon nitride
    5.
    发明授权
    Selective etching of silicon nitride 失效
    选择性蚀刻氮化硅

    公开(公告)号：US08252696B2

    公开(公告)日：2012-08-28

    申请号：US12247059

    申请日：2008-10-07

    申请人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

    发明人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31116

    摘要： Methods for etching dielectric layers comprising silicon and nitrogen are provided herein. In some embodiments, such methods may include providing a substrate having a dielectric layer comprising silicon and nitrogen disposed thereon, forming reactive species from a process gas comprising hydrogen (H2) and nitrogen trifluoride (NF3) using a remote plasma; and etching the dielectric layer using the reactive species. In some embodiments, an oxide layer is disposed adjacent to the dielectric layer. In some embodiments, the flow rate ratio of the process gas can be adjusted such that an etch selectivity of the dielectric layer to at least one of the oxide layer or the substrate is between about 0.8 to about 4.

    摘要翻译： 本文提供了用于蚀刻包含硅和氮的电介质层的方法。 在一些实施例中，这样的方法可以包括提供具有介于其上的硅和氮的电介质层的衬底，使用远程等离子体从包括氢（H 2）和三氟化氮（NF 3）的工艺气体形成反应物种; 并使用反应性物质蚀刻介电层。 在一些实施例中，氧化物层邻近电介质层设置。 在一些实施方案中，可以调节处理气体的流速比，使得介电层与氧化物层或基底中的至少一个的蚀刻选择性在约0.8至约4之间。

    SELECTIVE ETCHING OF SILICON NITRIDE
    10.
    发明申请
    SELECTIVE ETCHING OF SILICON NITRIDE 失效
    硅酸盐的选择性蚀刻

    公开(公告)号：US20090104782A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US12247059

    申请日：2008-10-07

    申请人： XINLAING LU ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

    发明人： XINLAING LU ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/31116

    摘要： Methods for etching dielectric layers comprising silicon and nitrogen are provided herein. In some embodiments, such methods may include providing a substrate having a dielectric layer comprising silicon and nitrogen disposed thereon, forming reactive species from a process gas comprising hydrogen (H2) and nitrogen trifluoride (NF3) using a remote plasma; and etching the dielectric layer using the reactive species. In some embodiments, an oxide layer is disposed adjacent to the dielectric layer. In some embodiments, the flow rate ratio of the process gas can be adjusted such that an etch selectivity of the dielectric layer to at least one of the oxide layer or the substrate is between about 0.8 to about 4.

    摘要翻译： 本文提供了用于蚀刻包含硅和氮的电介质层的方法。 在一些实施例中，这样的方法可以包括提供具有介于其上的硅和氮的电介质层的衬底，使用远程等离子体从包含氢（H 2）和三氟化氮（NF 3）的工艺气体形成反应物种; 并使用反应性物质蚀刻介电层。 在一些实施例中，氧化物层邻近电介质层设置。 在一些实施方案中，可以调节处理气体的流速比，使得介电层与氧化物层或基底中的至少一个的蚀刻选择性在约0.8至约4之间。