公开(公告)号：US20100095865A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12523704

申请日：2007-03-12

申请人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

发明人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC分类号： C07F17/02

摘要： Precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of strontium ruthenium oxide (SrRuO3) thin films, e.g., in the manufacture of microelectronic devices, as well as processes of making and using such precursors, and precursor supply systems containing such precursor compositions in packaged form. Cyclopentadienyl compounds of varied type are described, including cyclopentadienyl as well as non cyclopentadienyl ligands coordinated to ruthenium, strontium or barium central atoms. The precursors of the invention are useful for forming contacts for microelectronic memory device structures, and in a specific aspect for selectively coating copper metallization without deposition on associated dielectric, under deposition conditions in a forming gas ambient.

摘要翻译： 用于原子层沉积（ALD）和氧化钌氧化物（SrRuO 3）薄膜的化学气相沉积（CVD）的前体组合物，例如在微电子器件的制造中，以及制备和使用这些前体的方法以及前体供应 含有包装形式的前体组合物的体系。 描述了不同类型的环戊二烯基化合物，包括环戊二烯基以及与钌，锶或钡中心原子配位的非环戊二烯基配位体。 本发明的前体可用于形成微电子存储器件结构的接触，并且在特定方面，用于在形成气体环境中的沉积条件下，在相关联的电介质上不沉积而选择性地涂覆铜金属化。

公开(公告)号：US08524931B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12523704

申请日：2007-03-12

申请人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

发明人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

IPC分类号： C07F15/00 ,  C03C17/10

CPC分类号： C07F17/02

摘要： Precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of strontium ruthenium oxide (SrRuO3) thin films, e.g., in the manufacture of microelectronic devices, as well as processes of making and using such precursors, and precursor supply systems containing such precursor compositions in packaged form. Cyclopentadienyl compounds of varied type are described, including cyclopentadienyl as well as non cyclopentadienyl ligands coordinated to ruthenium, strontium or barium central atoms. The precursors of the invention are useful for forming contacts for microelectronic memory device structures, and in a specific aspect for selectively coating copper metallization without deposition on associated dielectric, under deposition conditions in a forming gas ambient.

摘要翻译： 用于原子层沉积（ALD）和氧化钌氧化物（SrRuO 3）薄膜的化学气相沉积（CVD）的前体组合物，例如在微电子器件的制造中，以及制备和使用这些前体的方法以及前体供应 含有包装形式的前体组合物的体系。 描述了不同类型的环戊二烯基化合物，包括环戊二烯基以及与钌，锶或钡中心原子配位的非环戊二烯基配位体。 本发明的前体可用于形成微电子存储器件结构的接触，并且在特定方面，用于在形成气体环境中的沉积条件下，在相关联的电介质上不沉积而选择性地涂覆铜金属化。

公开(公告)号：US20100279011A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12740992

申请日：2008-10-31

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  William Hunks ,  Thomas M. Cameron ,  Matthias Stender ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  William Hunks ,  Thomas M. Cameron ,  Matthias Stender ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F9/94 ,  C07F7/08 ,  C09D4/00

CPC分类号： C07F9/94

摘要： Bismuth precursors having utility for forming highly conformal bismuth-containing films by low temperature (

摘要翻译： 铋前体可用于通过低温（<300℃）气相沉积方法如CVD和ALD形成高保形含铋的膜，包括氨基铋，胍铋酸盐，异钌酸铋，氨基甲酸铋和硫代氨基甲酸铋，铋β- 二酮酸酯，二酮基铋，二酮亚胺铋，铋烯丙基酯，环戊二烯基铋，烷基铋，醇铋，铋配合物的铋甲硅烷基，铋甲硅烷基酰胺，铋螯合酰胺和铋二碲酰亚氨基二膦酸铋。 还描述了制备这种前体的方法，以及适用于制造微电子器件产品的这种前体的包装形式。 这些铋前体有利地用于形成含铋的膜，例如GBT，Bi2Te3，Bi4Ti3O12，SrBi2Ta2O9，Bi-Ta-O，BiP和含有铋的含铋膜的膜。

公开(公告)号：US20090162550A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12303250

申请日：2006-12-29

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F1/08 ,  C09D5/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C275/70

摘要： Copper (I) amidinate and copper (I) guanidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of microelectronic device articles, e.g., using chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and rapid vapor deposition processes, as well as mixed ligand copper complexes suitable for such processes. Also described are solvent/additive compositions for copper precursors for CVD/ALD of copper metal films, which are highly advantageous for liquid delivery of such copper amidinates and copper guanidinates, as well as for other organocopper precursor compounds and complexes, e.g., copper isoureate complexes.

摘要翻译： 在微电子器件制品的制造中，例如使用化学气相沉积，原子层沉积和快速气相沉积工艺以及混合配体铜络合物合适的铜（I）脒和铜（I）胍形成铜薄膜的前体， 对于这样的过程。 还描述了用于铜金属膜的CVD / ALD的铜前体的溶剂/添加剂组合物，其对于这种铜脒酸盐和胍盐酸胍以及其它有机铜前体化合物和络合物的液体递送是非常有利的，例如铜异氰酸酯络合物 。

公开(公告)号：US20120127629A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13264745

申请日：2010-04-14

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

IPC分类号： H01G4/10 ,  B32B19/00 ,  B05D5/12 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3142 ,  H01L28/40 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/1284

摘要： A composite dielectric material including an early transition metal or metal oxide base material and a dopant, co-deposited, alloying or layering secondary material, selected from among Nb, Ge, Ta, La, Y, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sr, Ba, Ca, and Mg, and oxides of such metals, and alumina as a dopant or alloying secondary material. Such composite dielectric material can be formed by vapor deposition processes, e.g., ALD, using suitable precursors, to form microelectronic devices such as ferroelectric high k capacitors, gate structures, DRAMs, and the like.

摘要翻译： 包括早期过渡金属或金属氧化物基材以及选自Nb，Ge，Ta，La，Y，Ce，Pr，Nd，Gd，Dy中的掺杂剂，共沉积，合金化或分层次级材料的复合电介质材料 ，Sr，Ba，Ca和Mg，以及这些金属的氧化物，以及作为掺杂剂或合金化二次材料的氧化铝。 这种复合介电材料可以通过使用合适的前体的气相沉积工艺（例如ALD）形成微电子器件，例如铁电高k电容器，栅极结构，DRAM等。

公开(公告)号：US20100112211A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12595383

申请日：2008-04-13

申请人： Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Bryan C. Hendrix ,  Brian Benac ,  Thomas M. Cameron ,  David W. Peters ,  Gregory T. Stauf ,  Leah Maylott

发明人： Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Bryan C. Hendrix ,  Brian Benac ,  Thomas M. Cameron ,  David W. Peters ,  Gregory T. Stauf ,  Leah Maylott

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F7/00 ,  C09D1/00

CPC分类号： C23C16/405 ,  C07C211/65 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18

摘要： Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of corresponding zirconium-containing, hafnium-containing, titanium-containing and silicon-containing films, respectively. The disclosed precursors achieve highly conformal deposited films characterized by minimal carbon incorporation.

摘要翻译： 分别用于相应的含锆，含铪，含钛和含硅膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的锆，铪，钛和硅前体。 所公开的前体实现了以最小碳掺入为特征的高度保形的沉积膜。

公开(公告)号：US20100062150A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12619165

申请日：2009-11-16

申请人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同，各自独立地 选自氢，C1-C12烷基，C1-C12氨基，C6-C10芳基，C1-C12烷氧基，C3-C6烷基甲硅烷基，C2-C12烯基，R1R2R3NNR3，其中R1，R2和R3可以相同或不同 并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现高介电常数的均匀涂布 材料制造闪存等微电子器件。

公开(公告)号：US20090074965A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12282511

申请日：2007-03-12

申请人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/44 ,  C09D7/12 ,  C07F3/00

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula (I), wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式（I）的式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同， 其中每个独立地选自氢，C 1 -C 12烷基，C 1 -C 12氨基，C 6 -C 10芳基，C 1 -C 12烷氧基，C 3 -C 6烷基甲硅烷基，C 2 -C 12烯基，R 1 R 2 R 3 N NR 3，其中R 1，R 2和R 3可以是 彼此相同或不同，并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现均匀涂布 的高介电常数材料制造闪存和其他微电子器件。

公开(公告)号：US08206784B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12619165

申请日：2009-11-16

申请人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C22C16/00

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同，各自独立地 选自氢，C1-C12烷基，C1-C12氨基，C6-C10芳基，C1-C12烷氧基，C3-C6烷基甲硅烷基，C2-C12烯基，R1R2R3NNR3，其中R1，R2和R3可以相同或不同 并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现高介电常数的均匀涂布 材料制造闪存等微电子器件。

公开(公告)号：US20120141675A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13370072

申请日：2012-02-09

申请人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/30

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同，各自独立地 选自氢，C1-C12烷基，C1-C12氨基，C6-C10芳基，C1-C12烷氧基，C3-C6烷基甲硅烷基，C2-C12烯基，R1R2R3NNR3，其中R1，R2和R3可以相同或不同 并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现高介电常数的均匀涂布 材料制造闪存等微电子器件。