公开(公告)号：US20130323898A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13486050

申请日：2012-06-01

申请人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Ya Hui Chang ,  Kuei-Shun Chen

发明人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Ya Hui Chang ,  Kuei-Shun Chen

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a integrated circuit pattern. The method includes forming gate stacks on a substrate, two adjacent gate stacks of the gate stacks being spaced away by a dimension G; forming a nitrogen-containing layer on the gate stacks and the substrate; forming a dielectric material layer on the nitrogen-containing layer, the dielectric material layer having a thickness T substantially less than G/2; coating a photoresist layer on the dielectric material layer; and patterning the photoresist layer by a lithography process.

摘要翻译： 一种形成集成电路图案的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极堆叠，门堆叠的两个相邻栅堆叠被尺寸G间隔开; 在栅叠层和衬底上形成含氮层; 在所述含氮层上形成介电材料层，所述电介质材料层的厚度T大致小于G / 2; 在介电材料层上涂覆光致抗蚀剂层; 并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08877598B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13486050

申请日：2012-06-01

申请人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Ya Hui Chang ,  Kuei-Shun Chen

发明人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Ya Hui Chang ,  Kuei-Shun Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a integrated circuit pattern. The method includes forming gate stacks on a substrate, two adjacent gate stacks of the gate stacks being spaced away by a dimension G; forming a nitrogen-containing layer on the gate stacks and the substrate; forming a dielectric material layer on the nitrogen-containing layer, the dielectric material layer having a thickness T substantially less than G/2; coating a photoresist layer on the dielectric material layer; and patterning the photoresist layer by a lithography process.

摘要翻译： 一种形成集成电路图案的方法。 该方法包括在衬底上形成栅极堆叠，门堆叠的两个相邻栅堆叠被尺寸G间隔开; 在栅叠层和衬底上形成含氮层; 在所述含氮层上形成介电材料层，所述电介质材料层的厚度T大致小于G / 2; 在介电材料层上涂覆光致抗蚀剂层; 并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08765363B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13478559

申请日：2012-05-23

申请人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Kuei-Shun Chen

发明人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Kuei-Shun Chen

IPC分类号： G03F7/38

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/09 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76224

摘要： A method of forming a integrated circuit pattern. The method includes coating a photoresist layer on a substrate; performing a lithography exposure process to the photoresist layer; performing a multiple-step post-exposure-baking (PEB) process to the photoresist layer; and developing the photoresist layer to form a patterned photoresist layer.

摘要翻译： 一种形成集成电路图案的方法。 该方法包括在基底上涂覆光致抗蚀剂层; 对光致抗蚀剂层进行光刻曝光工艺; 对光致抗蚀剂层进行多步曝光后烘烤（PEB）处理; 并且显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US20130316510A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13478559

申请日：2012-05-23

申请人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Kuei-Shun Chen

发明人： Chung-Ming Wang ,  Yu Lun Liu ,  Chia-Chu Liu ,  Kuei-Shun Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/302 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/09 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/76224

摘要： A method of forming a integrated circuit pattern. The method includes coating a photoresist layer on a substrate; performing a lithography exposure process to the photoresist layer; performing a multiple-step post-exposure-baking (PEB) process to the photoresist layer; and developing the photoresist layer to form a patterned photoresist layer.

摘要翻译： 一种形成集成电路图案的方法。 该方法包括在基底上涂覆光致抗蚀剂层; 对光致抗蚀剂层进行光刻曝光工艺; 对光致抗蚀剂层进行多步曝光后烘烤（PEB）处理; 并且显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08872339B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13370828

申请日：2012-02-10

申请人： Chia-Chu Liu ,  Yi-Shien Mor ,  Kuei Shun Chen ,  Yu Lun Liu ,  Han-Hsun Chang ,  Shiao-Chian Yeh

发明人： Chia-Chu Liu ,  Yi-Shien Mor ,  Kuei Shun Chen ,  Yu Lun Liu ,  Han-Hsun Chang ,  Shiao-Chian Yeh

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002

摘要： A structure includes a substrate, a first supporting member over the substrate, a second supporting member over the substrate, and a layer of material over the substrate and covering the first supporting member and the second supporting member. The first supporting member has a first width, and the second supporting member has a second width. The first supporting member and the second supporting member are separated by a gap region. The first width is at least 10 times the second width, and a gap width of the gap region ranges from 5 to 30 times the second width.

摘要翻译： 一种结构包括基底，在基底上方的第一支撑构件，在基底上方的第二支撑构件，以及在基底上方的覆盖第一支撑构件和第二支撑构件的材料层。 第一支撑构件具有第一宽度，并且第二支撑构件具有第二宽度。 第一支撑构件和第二支撑构件由间隙区域分开。 第一宽度为第二宽度的至少10倍，间隙区域的间隙宽度为第二宽度的5至30倍。

公开(公告)号：US08431291B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US13281198

申请日：2011-10-25

申请人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

发明人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/36

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68

摘要： An intensity selective exposure photomask, also describes as a gradated photomask, is provided. The photomask includes a first region including a first array of sub-resolution features. The first region blocks a first percentage of the incident radiation. The photomask also includes a second region including a second array of sub-resolution features. The second region blocks a second percentage of the incident radiation different that the first percentage.

摘要翻译： 还提供强度选择性曝光光掩模，还描述为渐变光掩模。 光掩模包括包括第一子分解特征阵列的第一区域。 第一个区域阻止了第一个入射辐射的百分比。 光掩模还包括包括第二子分辨率特征阵列的第二区域。 第二个区域阻止了第二个百分比的入射辐射不同于第一个百分比。

公开(公告)号：US08673520B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13046265

申请日：2011-03-11

申请人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

发明人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68

摘要： An intensity selective exposure photomask, also describes as a gradated photomask, is provided. The photomask includes a first region including a first array of sub-resolution features. The first region blocks a first percentage of the incident radiation. The photomask also includes a second region including a second array of sub-resolution features. The second region blocks a second percentage of the incident radiation different that the first percentage. Each of the features of the first and second array includes an opening disposed in an area of attenuating material.

摘要翻译： 还提供强度选择性曝光光掩模，还描述为渐变光掩模。 光掩模包括包括第一子分解特征阵列的第一区域。 第一个区域阻止了第一个入射辐射的百分比。 光掩模还包括包括第二子分辨率特征阵列的第二区域。 第二个区域阻止了第二个百分比的入射辐射不同于第一个百分比。 第一和第二阵列的每个特征包括设置在衰减材料区域中的开口。

公开(公告)号：US20120040278A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13281198

申请日：2011-10-25

申请人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

发明人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

IPC分类号： G03F1/38

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68

摘要： An intensity selective exposure photomask, also describes as a gradated photomask, is provided. The photomask includes a first region including a first array of sub-resolution features. The first region blocks a first percentage of the incident radiation. The photomask also includes a second region including a second array of sub-resolution features. The second region blocks a second percentage of the incident radiation different that the first percentage.

摘要翻译： 还提供强度选择性曝光光掩模，还描述为渐变光掩模。 光掩模包括包括第一子分解特征阵列的第一区域。 第一个区域阻止了第一个入射辐射的百分比。 光掩模还包括包括第二子分辨率特征阵列的第二区域。 第二个区域阻止了第二个百分比的入射辐射不同于第一个百分比。

公开(公告)号：US20110217630A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13046265

申请日：2011-03-11

申请人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

发明人： George Liu ,  Kuei Shun Chen ,  Chih-Yang Yeh ,  Te-Chih Huang ,  Wen-Hao Liu ,  Ying-Chou Cheng ,  Boren Luo ,  Tsong-Hua Ou ,  Yu-Po Tang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Shu-Chen Lu ,  Yu Lun Liu ,  Yao-Ching Ku ,  Tsai-Sheng Gau

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/00 ,  G03F1/68

摘要： An intensity selective exposure photomask, also describes as a gradated photomask, is provided. The photomask includes a first region including a first array of sub-resolution features. The first region blocks a first percentage of the incident radiation. The photomask also includes a second region including a second array of sub-resolution features. The second region blocks a second percentage of the incident radiation different that the first percentage. Each of the features of the first and second array includes an opening disposed in an area of attenuating material.

摘要翻译： 还提供强度选择性曝光光掩模，还描述为渐变光掩模。 光掩模包括包括第一子分解特征阵列的第一区域。 第一个区域阻止了第一个入射辐射的百分比。 光掩模还包括包括第二子分辨率特征阵列的第二区域。 第二个区域阻止了第二个百分比的入射辐射不同于第一个百分比。 第一和第二阵列的每个特征包括设置在衰减材料区域中的开口。