利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

6 条记录 (耗时 0.027 秒)

    LOW DAMAGE PHOTORESIST STRIP METHOD FOR LOW-K DIELECTRICS
    2.
    发明申请
    LOW DAMAGE PHOTORESIST STRIP METHOD FOR LOW-K DIELECTRICS 有权
    用于低K电介质的低损耗光电子条纹方法

    公开(公告)号：US20110139176A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：US12636601

    申请日：2009-12-11

    申请人： David Cheung ,  Ted Li ,  Anirban Guha ,  Kirk Ostrowski

    发明人： David Cheung ,  Ted Li ,  Anirban Guha ,  Kirk Ostrowski

    IPC分类号： B08B5/00 ,  B08B13/00 ,  C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/31058 ,  G03F7/427 ,  H01L21/67207

    摘要： Improved methods for stripping photoresist and removing etch-related residues from dielectric materials are provided. In one aspect of the invention, methods involve removing material from a dielectric layer using a hydrogen-based etch process employing a weak oxidizing agent and fluorine-containing compound. Substrate temperature is maintained at a level of about 160° C. or less, e.g., less than about 90° C.

    摘要翻译： 提供了用于剥离光致抗蚀剂和从介电材料中去除蚀刻相关残留物的改进方法。 在本发明的一个方面，方法包括使用采用弱氧化剂和含氟化合物的氢基蚀刻方法从介电层去除材料。 底物温度保持在约160℃或更低，例如小于约90℃的水平。

    Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics
    3.
    发明授权
    Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics 有权
    低K电介质的低损伤光刻胶剥离方法

    公开(公告)号：US08591661B2

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US12636601

    申请日：2009-12-11

    申请人： David Cheung ,  Ted Li ,  Anirban Guha ,  Kirk Ostrowski

    发明人： David Cheung ,  Ted Li ,  Anirban Guha ,  Kirk Ostrowski

    IPC分类号： B08B5/00

    CPC分类号： H01L21/31058 ,  G03F7/427 ,  H01L21/67207

    摘要： Improved methods for stripping photoresist and removing etch-related residues from dielectric materials are provided. In one aspect of the invention, methods involve removing material from a dielectric layer using a hydrogen-based etch process employing a weak oxidizing agent and fluorine-containing compound. Substrate temperature is maintained at a level of about 160° C. or less, e.g., less than about 90° C.

    摘要翻译： 提供了用于剥离光致抗蚀剂和从介电材料中去除蚀刻相关残留物的改进方法。 在本发明的一个方面，方法包括使用采用弱氧化剂和含氟化合物的氢基蚀刻方法从介电层去除材料。 底物温度保持在约160℃或更低，例如小于约90℃的水平。

    PHOTORESIST STRIP PROCESSES FOR IMPROVED DEVICE INTEGRITY
    5.
    发明申请
    PHOTORESIST STRIP PROCESSES FOR IMPROVED DEVICE INTEGRITY 有权
    用于改进设备完整性的光栅条纹工艺

    公开(公告)号：US20130048014A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13590083

    申请日：2012-08-20

    申请人： Roey Shaviv ,  Kirk Ostrowski ,  David Cheung ,  Joon Park ,  Bayu Thedjoisworo ,  Patrick J. Lord

    发明人： Roey Shaviv ,  Kirk Ostrowski ,  David Cheung ,  Joon Park ,  Bayu Thedjoisworo ,  Patrick J. Lord

    IPC分类号： B08B7/00 ,  B05B1/18

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724

    摘要： Provided herein are methods and apparatus of hydrogen-based photoresist strip operations that reduce dislocations in a silicon wafer or other substrate. According to various embodiments, the hydrogen-based photoresist strip methods can employ one or more of the following techniques: 1) minimization of hydrogen budget by using short processes with minimal overstrip duration, 2) providing dilute hydrogen, e.g., 2%-16% hydrogen concentration, 3) minimization of material loss by controlling process conditions and chemistry, 4) using a low temperature resist strip, 5) controlling implant conditions and concentrations, and 6) performing one or more post-strip venting processes. Apparatus suitable to perform the photoresist strip methods are also provided.

    摘要翻译： 本文提供了减少硅晶片或其它基板中位错的氢基光刻胶剥离操作的方法和装置。 根据各种实施方案，氢基光刻胶剥离方法可以采用以下一种或多种技术：1）通过使用具有最小过载持续时间的短过程来最小化氢预算，2）提供稀氢，例如2％-16％ 氢气浓度，3）通过控制工艺条件和化学反应来最小化材料损失，4）使用低温抗蚀剂条，5）控制植入物条件和浓度，以及6）执行一个或多个后带通风过程。 还提供了适用于执行光致抗蚀剂剥离方法的设备。

    Method for removing photoresist from low-k films in a downstream plasma system
    6.
    发明授权
    Method for removing photoresist from low-k films in a downstream plasma system 有权
    在下游等离子体系中从低k膜去除光致抗蚀剂的方法

    公开(公告)号：US06693043B1

    公开(公告)日：2004-02-17

    申请号：US10251178

    申请日：2002-09-20

    申请人： Senzi Li ,  Helmuth Treichel ,  Kirk Ostrowski ,  Chevan Goonetilleke ,  Jim Su ,  David L. Chen

    发明人： Senzi Li ,  Helmuth Treichel ,  Kirk Ostrowski ,  Chevan Goonetilleke ,  Jim Su ,  David L. Chen

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01J37/32357 ,  G03F7/427 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802

    摘要： A unique photoresist strip sequence using a downstream plasma system is described. The sequence can include a RF directional plasma alone, downstream plasma alone or combine both RF plasma and downstream plasma together. The process sequence can be a single step or multiple steps, which produce high strip rates while maintaining the dielectric properties of the film. The process can be an oxidizing process carried out at low temperature and low pressure, which reduces the reactivity of the oxygen with the low-k film. Furthermore, by adding a small percentage of an additive gas, such as a fluorine-containing gas, to the plasma, the inorganic residues from the strip process are removed, leaving a clean film cleared of photoresist and residue.

    摘要翻译： 描述了使用下游等离子体系统的独特的光刻胶条序列。 该序列可以包括单独的RF定向等离子体，单独的下游等离子体或将RF等离子体和下游等离子体组合在一起。 工艺顺序可以是单步或多步，其在保持膜的介电性能的同时产生高剥离速率。 该过程可以是在低温和低压下进行的氧化过程，这降低了氧与低k膜的反应性。 此外，通过将少量的添加气体如含氟气体加入到等离子体中，去除来自带材加工的无机残留物，留下清洁的光致抗蚀剂和残留物的薄膜。