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    Device for controlling fluid flow in an aspiration system
    1.
    发明申请
    Device for controlling fluid flow in an aspiration system 审中-公开
    用于控制吸气系统中流体流动的装置

    公开(公告)号：US20050113741A1

    公开(公告)日：2005-05-26

    申请号：US10965314

    申请日：2004-10-14

    申请人： David Huang ,  John Hall ,  Mark Goodin ,  David Thompson

    发明人： David Huang ,  John Hall ,  Mark Goodin ,  David Thompson

    IPC分类号： A61F9/007 ,  A61M1/00

    CPC分类号： A61M1/0031 ,  A61F9/00736 ,  A61M1/0064

    摘要： A device for, when connected to a vacuum system, conducting aspiration fluid away from a surgical site includes a conduit having a portion adapted for insertion into the surgical site. The device also includes a flow limiter interposed between the vacuum system and the conduit and in fluid communication with the conduit. The flow limiter has at least two orifices arranged in series and a flow path interconnecting the at least two orifices. The flow path has a flow area that is greater than a flow area of each one of the at least two orifices. Aspiration fluid flows through the conduit and the flow limiter in response to a pressure drop between the surgical site and the vacuum system. The flow limiter produces a non-linear relationship between a rate of aspiration fluid flow and the pressure drop.

    摘要翻译： 用于当连接到真空系统时将远离外科手术部位的吸引流体连接的装置包括具有适于插入外科手术部位的部分的导管。 该装置还包括插入在真空系统和导管之间并与导管流体连通的限流器。 流量限制器具有串联布置的至少两个孔和将至少两个孔相互连接的流路。 流动路径具有大于至少两个孔中的每一个的流动面积的流动面积。 吸入流体响应于手术部位和真空系统之间的压降而流过导管和流量限制器。 流量限制器在抽吸流体流量和压降之间产生非线性关系。

    Instrumented foam pig
    2.
    发明授权
    Instrumented foam pig 有权
    仪器型泡沫猪

    公开(公告)号：US08925400B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13512685

    申请日：2010-11-30

    申请人： Rennie Hill ,  David Thompson ,  Peter Ward

    发明人： Rennie Hill ,  David Thompson ,  Peter Ward

    IPC分类号： F16L55/26 ,  F16L55/28 ,  F16L55/40

    CPC分类号： F16L55/28 ,  F16L55/40

    摘要： An instrumented pig comprises a foam body having an outer surface and an inner cavity in which, in use, is located a sealed unit housing at least a part of a parameter measurement apparatus configured to measure at least one parameter from which the extent of deflection of the outer surface of the foam body may be derived, the sealed unit including at least one sensor configured to generate an output signal representative of the at least one measured parameter.

    摘要翻译： 仪表式猪包括具有外表面和内腔的泡沫体，在使用中，所述发泡体位于密封单元中，所述密封单元容纳参数测量装置的至少一部分，所述参数测量装置被配置成测量至少一个参数， 可以导出泡沫体的外表面，密封单元包括至少一个被配置为产生表示至少一个测量参数的输出信号的传感器。

    Method For Producing Nickel-Containing Films
    5.
    发明申请
    Method For Producing Nickel-Containing Films 有权
    生产含镍薄膜的方法

    公开(公告)号：US20140023785A1

    公开(公告)日：2014-01-23

    申请号：US13555832

    申请日：2012-07-23

    申请人： David Knapp ,  David Thompson

    发明人： David Knapp ,  David Thompson

    IPC分类号： C23C16/18

    CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00

    摘要： Provided are precursors and methods of using same to deposit film consisting essentially of nickel. Certain methods comprise providing a substrate surface; exposing the substrate surface to a vapor comprising a precursor having a structure represented by formula (I): wherein R1 is t-butyl and each R2 is each independently any C1-C3 alkyl group; and exposing the substrate to a reducing gas to provide a film consisting essentially of nickel on the substrate surface.

    摘要翻译： 提供的是使用其沉积基本上由镍组成的膜的前体和方法。 某些方法包括提供基底表面; 将基材表面暴露于包含具有由式（I）表示的结构的前体的蒸气：其中R 1是叔丁基，每个R 2各自独立地是任何C 1 -C 3烷基; 并将衬底暴露于还原气体，以在衬底表面上提供基本上由镍组成的膜。

    Deposition Of N-Metal Films Comprising Aluminum Alloys
    6.
    发明申请
    Deposition Of N-Metal Films Comprising Aluminum Alloys 有权
    包含铝合金的N-金属膜的沉积

    公开(公告)号：US20140017408A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：US13930194

    申请日：2013-06-28

    申请人： Srinivas Gandikota ,  Xinliang Lu ,  Shih Chung Chen ,  Wei Tang ,  Jing Zhou ,  Seshadri Ganguli ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Atif Noori ,  Faruk Gungor ,  Dien-Yeh Wu ,  Mei Chang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

    发明人： Srinivas Gandikota ,  Xinliang Lu ,  Shih Chung Chen ,  Wei Tang ,  Jing Zhou ,  Seshadri Ganguli ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Atif Noori ,  Faruk Gungor ,  Dien-Yeh Wu ,  Mei Chang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

    IPC分类号： C23C18/00

    CPC分类号： C23C18/00 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553

    摘要： Provided are methods of depositing films comprising alloys of aluminum, which may be suitable as N-metal films. Certain methods comprise exposing a substrate surface to a metal halide precursor comprising a metal halide selected from TiCl4, TaCl5 and HfCl4 to provide a metal halide at the substrate surface; purging metal halide; exposing the substrate surface to an alkyl aluminum precursor comprising one or more of dimethyaluminum hydride, diethylhydridoaluminum, methyldihydroaluminum, and an alkyl aluminum hydrides of the formula [(CxHy)3-aAlHa]n, wherein x has a value of 1 to 3, y has a value of 2x+2, a has a value of 1 to 2, and n has a value of 1 to 4; and exposing the substrate surface to an alane-containing precursor comprising one or more of dimethylethylamine alane, methylpyrrolidinealane, di(methylpyrolidine)alane, and trimethyl amine alane borane. Other methods comprise exposing a substrate surface to a metal precursor and trimethyl amine alane borane.

    摘要翻译： 提供了沉积包括铝合金的膜的方法，其可以适合作为N-金属膜。 某些方法包括将衬底表面暴露于包含选自TiCl 4，TaCl 5和HfCl 4的金属卤化物的金属卤化物前体，以在衬底表面提供金属卤化物; 清洗金属卤化物; 将基材表面暴露于包含一种或多种二氢化铝氢化物，二乙基氢化铝，甲基二氢铝和式[（C x H y）3-a AlHa] n的烷基铝氢化物的烷基铝前体，其中x具有1至3的值，y 具有2x + 2的值，a具有1至2的值，并且n具有1至4的值; 并将基材表面暴露于含有二甲基乙基胺丙烷，甲基吡咯烷烃，二（甲基吡咯烷）甲烷和三甲基胺丙烷硼烷中的一种或多种的含Alane的前体。 其他方法包括将基底表面暴露于金属前体和三甲基胺丙烷硼烷。

    Deposition Of Films Containing Alkaline Earth Metals
    7.
    发明申请
    Deposition Of Films Containing Alkaline Earth Metals 审中-公开
    沉积含碱性地球金属的薄膜

    公开(公告)号：US20140004274A1

    公开(公告)日：2014-01-02

    申请号：US13923599

    申请日：2013-06-21

    申请人： David Thompson

    发明人： David Thompson

    IPC分类号： C23C16/40

    CPC分类号： C23C16/404

    摘要： Described are methods of depositing a metal film by chemical reaction on a substrate. The method comprises: exposing the substrate to flows of a first reactant gas comprising a group 2 metal and a second reactant gas comprising a halide to form a first layer containing a metal halide on the substrate; exposing the substrate to a third reactant gas comprising an oxidant to form a second layer containing a metal peroxide or metal hydroxide on the substrate during; exposing the substrate to heat or a plasma to convert the metal peroxide or metal hydroxide to metal oxide. The method may be repeated to form the metal oxide film absent any metal carbonate impurity.

    摘要翻译： 描述了通过化学反应将金属膜沉积在基底上的方法。 该方法包括：将衬底暴露于包含第2族金属的第一反应气体和包含卤化物的第二反应气体的流动，以在衬底上形成含有金属卤化物的第一层; 将衬底暴露于包含氧化剂的第三反应气体，以在衬底期间在衬底上形成含有金属过氧化物或金属氢氧化物的第二层; 将基底暴露于加热或等离子体以将金属过氧化物或金属氢氧化物转化为金属氧化物。 可以重复该方法以形成没有金属碳酸盐杂质的金属氧化物膜。