公开(公告)号：US07661765B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US12200810

申请日：2008-08-28

申请人： David R. Hall ,  Jacob Smith

发明人： David R. Hall ,  Jacob Smith

IPC分类号： E21C35/18

CPC分类号： E21C35/183 ,  E21C2035/1806

摘要： In one aspect of the present invention, a degradation assembly comprises an inverted conical face formed in a top end of a metal body tapering towards a central axis of the metal body. A base end of a carbide bolster is adapted to be brazed to the top end of the metal body within the inverted conical face. At least one protrusion is formed in the inverted conical face and is adapted to control a braze thickness between the face and the base end.

摘要翻译： 在本发明的一个方面，降解组件包括形成在金属体的顶端中的朝向金属体的中心轴逐渐变细的倒锥形面。 碳化物垫片的基端适于在倒锥形面内钎焊到金属体的顶端。 至少一个突起形成在倒锥形面中并且适于控制面与基端之间的钎焊厚度。

公开(公告)号：US20080315667A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12200810

申请日：2008-08-28

申请人： David R. Hall ,  Jacob Smith

发明人： David R. Hall ,  Jacob Smith

IPC分类号： E21C25/00

CPC分类号： E21C35/183 ,  E21C2035/1806

摘要： In one aspect of the present invention, a degradation assembly comprises an inverted conical face formed in a top end of a metal body tapering towards a central axis of the metal body. A base end of a carbide bolster is adapted to be brazed to the top end of the metal body within the inverted conical face. At least one protrusion is formed in the inverted conical face and is adapted to control a braze thickness between the face and the base end.

公开(公告)号：US20080309149A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12200786

申请日：2008-08-28

申请人： David R. Hall ,  Jacob Smith

发明人： David R. Hall ,  Jacob Smith

IPC分类号： E21C25/10

CPC分类号： E21C35/183 ,  A47C3/00 ,  B28D1/186 ,  E21B10/16 ,  E21B10/36 ,  E21C35/18 ,  E21C35/197 ,  E21C2035/1806 ,  E21C2035/1826

摘要： In one aspect of the present invention, a degradation assembly comprises an inverted conical face formed in a top end of a metal body tapering towards a central axis of the metal body. A base end of a carbide bolster is adapted to be brazed to the top end of the metal body within the inverted conical face. At least one protrusion is formed in the inverted conical face and is adapted to control a braze thickness between the face and the base end.

摘要翻译： 在本发明的一个方面，降解组件包括形成在金属体的顶端中的朝向金属体的中心轴逐渐变细的倒锥形面。 碳化物垫片的基端适于在倒锥形面内钎焊到金属体的顶端。 至少一个突起形成在倒锥形面中并且适于控制面与基端之间的钎焊厚度。

公开(公告)号：US07575982B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11404525

申请日：2006-04-14

申请人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  David Eaglesham

发明人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  David Eaglesham

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： C23C16/481 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： Methods are provided of fabricating compound nitride semiconductor structures. A group-III precursor and a nitrogen precursor are flowed into a processing chamber to deposit a first layer over a surface of a first substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process. A second layer is deposited over a surface of a second substrate with the thermal chemical-vapor-deposition process using the first group-III precursor and the first nitrogen precursor. The first and second substrates are different outer substrates of a plurality of stacked substrates disposed within the processing chamber as a stack so that the first and second layers are deposited on opposite sides of the stack. Deposition of the first layer and deposition of the second layer are performed simultaneously.

摘要翻译： 提供了制造复合氮化物半导体结构的方法。 将III族前体和氮前体流入处理室中，以通过热化学气相沉积工艺在第一基板的表面上沉积第一层。 使用第一组III前体和第一氮前体，通过热化学气相沉积工艺将第二层沉积在第二衬底的表面上。 第一和第二基板是作为堆叠设置在处理室内的多个堆叠基板的不同的外部基板，使得第一和第二层沉积在堆叠的相对侧上。 同时进行第一层的沉积和第二层的沉积。

公开(公告)号：US07470599B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11404390

申请日：2006-04-14

申请人： Sandeep Nijhawan ,  David Eaglesham ,  Lori Washington ,  David Bour ,  Jacob Smith

发明人： Sandeep Nijhawan ,  David Eaglesham ,  Lori Washington ,  David Bour ,  Jacob Smith

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L33/007 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

摘要： Methods are provided of fabricating a nitride semiconductor structure. A group-III precursor and a nitrogen precursor are flowed into a processing chamber to deposit a first layer over one side of the substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process. A second layer is similarly deposited over an opposite side of the substrate using the group-III precursor and the nitrogen precursor. The substrate is cooled after depositing the first and second layers without substantially deforming a shape of the substrate.

摘要翻译： 提供了制造氮化物半导体结构的方法。 将III族前体和氮前体流入处理室中，以通过热化学气相沉积工艺在衬底的一侧沉积第一层。 类似地，使用III族前体和氮前体在衬底的相对侧上沉积第二层。 在沉积第一层和第二层之后冷却衬底，而基本上不使形状变形。

公开(公告)号：US20070259504A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11429084

申请日：2006-05-05

申请人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Jacob Smith ,  Lori Washington

发明人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Jacob Smith ,  Lori Washington

IPC分类号： C30B13/00 ,  H01L21/331 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025

摘要： In accordance with the present invention, improved methods for reducing the dislocation density of nitride epitaxial films are provided. Specifically, an in-situ etch treatment is provided to preferentially etch the dislocations of the nitride epitaxial layer to prevent threading of the dislocations through the nitride epitaxial layer. Subsequent to etching of the dislocations, an epitaxial layer overgrowth is performed. In certain embodiments, the etching of the dislocations occurs simultaneously with growth of the epitaxial layer. In other embodiments, a dielectric mask is deposited within the etch pits formed at the dislocations prior to the epitaxial layer overgrowth.

摘要翻译： 根据本发明，提供了用于降低氮化物外延膜的位错密度的改进方法。 具体地，提供了原位蚀刻处理以优先蚀刻氮化物外延层的位错，以防止通过氮化物外延层的位错穿透。 在蚀刻位错之后，进行外延层过度生长。 在某些实施例中，位错的蚀刻与外延层的生长同时发生。 在其它实施例中，在外延层过度生长之前，在形成于位错处的蚀刻坑内沉积电介质掩模。

公开(公告)号：US20070254390A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11414581

申请日：2006-04-28

申请人： David Bour ,  Jacob Smith ,  Jie Su ,  Sandeep Nijhawan

发明人： David Bour ,  Jacob Smith ,  Jie Su ,  Sandeep Nijhawan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007

摘要： Nitride optoelectronic devices that have asymmetric double-sided structures and methods fabricating such structures are disclosed. Two n-type III-N layers are formed simultaneously over opposite sides of a substrate with substantially the same composition. Thereafter, a p-type III-N active layer is formed over one of the n-type III-N layers but not over the other.

摘要翻译： 公开了具有非对称双面结构的氮化物光电器件和制造这种结构的方法。 两个n型III-N层同时形成在具有基本相同组成的衬底的相对侧上。 此后，在n型III-N层之一上形成p型III-N有源层，而不是在另一层上形成p型III-N有源层。

公开(公告)号：US20070254100A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11411672

申请日：2006-04-26

申请人： Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  Gary Kwong ,  David Bour ,  David Eaglesham

发明人： Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  Gary Kwong ,  David Bour ,  David Eaglesham

IPC分类号： C23C16/00 ,  B05C11/00

CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/52

摘要： Methods and systems permit fabricating structures using liquid sources without active temperature control. A substrate is disposed within a substrate processing chamber. A liquid source of a group-III precursor is provided in a bubbler. A push gas is applied to the liquid source to drive the group-III precursor into a vaporizer. A carrier gas is flowed into the vaporizer. A flow of vaporized group-III precursor carried by the carrier gas is injected from the vaporizer into the processing chamber. A nitrogen precursor is flowed into the processing chamber. A group-III nitride layer is deposited over the substrate with a thermal chemical vapor deposition within the processing chamber using the vaporized group-III precursor and the nitrogen precursor.

摘要翻译： 方法和系统允许使用没有主动温度控制的液体源制造结构。 基板设置在基板处理室内。 在起泡器中提供III族前体的液体源。 推动气体被施加到液体源以驱动III族前体进入蒸发器。 载气流入蒸发器。 由载气携带的汽化的III族前体的流动从蒸发器注入到处理室中。 氮气前体流入处理室。 使用蒸发的III族前体和氮前体，在处理室内通过热化学气相沉积在衬底上沉积III族氮化物层。

公开(公告)号：US20070243652A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11404525

申请日：2006-04-14

申请人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  David Eaglesham

发明人： David Bour ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori Washington ,  Jacob Smith ,  David Eaglesham

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC分类号： C23C16/481 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： Methods are provided of fabricating compound nitride semiconductor structures. A group-III precursor and a nitrogen precursor are flowed into a processing chamber to deposit a first layer over a surface of a first substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process. A second layer is deposited over a surface of a second substrate with the thermal chemical-vapor-deposition process using the first group-III precursor and the first nitrogen precursor. The first and second substrates are different outer substrates of a plurality of stacked substrates disposed within the processing chamber as a stack so that the first and second layers are deposited on opposite sides of the stack. Deposition of the first layer and deposition of the second layer are performed simultaneously.

摘要翻译： 提供了制造复合氮化物半导体结构的方法。 将III族前体和氮前体流入处理室中，以通过热化学气相沉积工艺在第一基板的表面上沉积第一层。 使用第一组III前体和第一氮前体，通过热化学气相沉积工艺将第二层沉积在第二衬底的表面上。 第一和第二基板是作为堆叠设置在处理室内的多个堆叠基板的不同的外部基板，使得第一和第二层沉积在堆叠的相对侧上。 同时进行第一层的沉积和第二层的沉积。

公开(公告)号：US20070082507A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11245373

申请日：2005-10-06

申请人： R. Iyer ,  Jacob Smith ,  Sean Seutter ,  Kangzhan Zhang ,  Alexander Tam ,  Kevin Cunningham ,  Phani Ramachandran

发明人： R. Iyer ,  Jacob Smith ,  Sean Seutter ,  Kangzhan Zhang ,  Alexander Tam ,  Kevin Cunningham ,  Phani Ramachandran

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4557

摘要： A method and apparatus for low temperature deposition of doped silicon nitride films is disclosed. The improvements include a mechanical design for a CVD chamber that provides uniform heat distribution for low temperature processing and uniform distribution of process chemicals, and methods for depositing at least one layer comprising silicon and nitrogen on a substrate by heating a substrate, flowing a silicon containing precursor into a processing chamber having a mixing region defined by an adaptor ring and one or more blocker plates and an exhaust system heating the adapter ring and a portion of the exhaust system, flowing one or more of a hydrogen, germanium, boron, or carbon containing precursor into the processing chamber, and optionally flowing a nitrogen containing precursor into the processing chamber.

摘要翻译： 公开了一种用于低温沉积掺杂氮化硅膜的方法和装置。 这些改进包括用于CVD室的机械设计，其提供用于低温处理的均匀热分布和工艺化学品的均匀分布，以及用于通过加热衬底在衬底上沉积包含硅和氮的至少一层的方法，使含硅 前体进入具有由适配环和一个或多个阻断板限定的混合区域的处理室，以及加热接合环和排气系统的一部分，排出氢，锗，硼或碳的一部分的排气系统 并且可选地将含氮前体流入处理室。