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    MULTI-LAYER SiN FOR FUNCTIONAL AND OPTICAL GRADED ARC LAYERS ON CRYSTALLINE SOLAR CELLS
    1.
    发明申请
    MULTI-LAYER SiN FOR FUNCTIONAL AND OPTICAL GRADED ARC LAYERS ON CRYSTALLINE SOLAR CELLS 审中-公开
    晶体太阳能电池上功能和光学分级ARC层的多层SiN

    公开(公告)号：US20110272024A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US13076295

    申请日：2011-03-30

    申请人： Dongwon Choi ,  Michael P. Stewart ,  Li Xu ,  Hemant P. Mungekar ,  Sunhom Paak ,  Kenneth MacWilliams

    发明人： Dongwon Choi ,  Michael P. Stewart ,  Li Xu ,  Hemant P. Mungekar ,  Sunhom Paak ,  Kenneth MacWilliams

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Embodiments of the invention include a solar cell and methods of forming a solar cell. Specifically, the methods may be used to form a passivation/anti-reflection layer having combined functional and optical gradient properties on a solar cell substrate. The methods may include flowing a first process gas mixture into a process volume within a processing chamber generating plasma in the processing chamber at a power density of greater than 0.65 W/cm2 depositing a silicon nitride-containing interface sub-layer on a solar cell substrate in the process volume, flowing a second process gas mixture into the process volume, and depositing a silicon nitride-containing bulk sub-layer on the silicon nitride-containing interface sub-layer.

    摘要翻译： 本发明的实施例包括太阳能电池和形成太阳能电池的方法。 具体地，可以使用这些方法来形成在太阳能电池基板上具有组合的功能和光学梯度特性的钝化/抗反射层。 所述方法可以包括将第一工艺气体混合物流入处理室内的处理容积，所述处理室在处理室中以大于0.65W / cm 2的功率密度产生等离子体，将含氮化硅的界面子层沉积在太阳能电池基板 在处理体积中，使第二工艺气体混合物流入处理体积，以及在含氮化硅的界面子层上沉积含氮化硅的体层状层。

    Enhanced scavenging of residual fluorine radicals using silicon coating on process chamber walls
    4.
    发明授权
    Enhanced scavenging of residual fluorine radicals using silicon coating on process chamber walls 有权
    使用硅涂层在工艺室壁上增强清除残余氟自由基

    公开(公告)号：US08642128B2

    公开(公告)日：2014-02-04

    申请号：US12758167

    申请日：2010-04-12

    申请人： Dongwon Choi ,  Dong Hyung Lee ,  Tze Poon ,  Manoj Vellaikal ,  Peter Porshnev ,  Majeed Foad

    发明人： Dongwon Choi ,  Dong Hyung Lee ,  Tze Poon ,  Manoj Vellaikal ,  Peter Porshnev ,  Majeed Foad

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： H01J37/32467 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/2236

    摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for substrate processing includes a process chamber having a chamber body defining an inner volume; and a silicon containing coating disposed on an interior surface of the chamber body, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon (Si) by atom. In some embodiments, a method for forming a silicon containing coating in a process chamber includes providing a first process gas comprising a silicon containing gas to an inner volume of the process chamber; and forming a silicon containing coating on an interior surface of the process chamber, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon.

    摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，一种用于衬底处理的装置包括具有限定内容积的室主体的处理室; 以及设置在所述室主体的内表面上的含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为原子上至少35％的硅（Si）。 在一些实施例中，在处理室中形成含硅涂层的方法包括向处理室的内部容积提供包括含硅气体的第一工艺气体; 以及在所述处理室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。