公开(公告)号：US20100290270A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12844144

申请日：2010-07-27

申请人： Eiji KITAGAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Tatsuya KISHI ,  Hiroaki YODA

发明人： Eiji KITAGAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Tatsuya KISHI ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1693 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： An inadvertent write can be prevented when a read is performed. The duration of the write current pulse for writing information in the magnetic memory layer is longer than the duration of the read current pulse for reading the information from the magnetic memory layer.

摘要翻译： 当执行读取时，可以防止无意写入。 用于在磁存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间长于用于从磁存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间。

公开(公告)号：US20100080050A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12556883

申请日：2009-09-10

申请人： Jyunichi OZEKI ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Sumio IKEGAWA ,  Tadashi KAI ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Hisanori AIKAWA ,  Tatsuya KISHI ,  Hiroaki YODA ,  Eiji KITAGAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA

发明人： Jyunichi OZEKI ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Sumio IKEGAWA ,  Tadashi KAI ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Hisanori AIKAWA ,  Tatsuya KISHI ,  Hiroaki YODA ,  Eiji KITAGAWA ,  Masatoshi YOSHIKAWA

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/14

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3277 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory includes a magnetoresistive effect device comprising: a first ferromagnetic layer that has magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film plane thereof; a first nonmagnetic layer that is provided on the first ferromagnetic layer; a first reference layer that is provided on the first nonmagnetic layer, has magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film plane thereof, has magnetization antiparallel to a magnetization direction of the first ferromagnetic layer, and has a film thickness that is 1/5.2 to 1/1.5 times as large as a film thickness of the first ferromagnetic layer in the direction perpendicular to the film plane; a second nonmagnetic layer that is provided on the first reference layer; and a storage layer that is provided on the second nonmagnetic layer, has magnetic anisotropy in a direction perpendicular to a film plane thereof, and has a magnetization direction varied by spin-polarized electrons caused by flowing the current to the magnetoresistive effect device.

摘要翻译： 磁存储器包括磁阻效应器件，包括：在垂直于其膜平面的方向上具有磁各向异性的第一铁磁层; 设置在第一铁磁层上的第一非磁性层; 设置在第一非磁性层上的第一参考层在垂直于其膜平面的方向上具有磁各向异性，具有与第一铁磁层的磁化方向反平行的磁化，并且具有1 / 5.2〜 在第一铁磁层的垂直于膜平面的方向上的膜厚度的1/15倍; 设置在第一参考层上的第二非磁性层; 并且设置在第二非磁性层上的存储层在垂直于其膜平面的方向上具有磁各向异性，并且由于使电流流向磁阻效应器而引起的由自旋极化电子变化的磁化方向。

公开(公告)号：US20120230091A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13426139

申请日：2012-03-21

申请人： Satoshi YANAGI ,  Eiji KITAGAWA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Jyunichi OZEKI ,  Hisanori AIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Minoru AMANO ,  Shigeki TAKAHASHI ,  Hiroaki YODA

发明人： Satoshi YANAGI ,  Eiji KITAGAWA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Jyunichi OZEKI ,  Hisanori AIKAWA ,  Naoharu SHIMOMURA ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Minoru AMANO ,  Shigeki TAKAHASHI ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory includes at least one memory cell including a magnetoresistive element, and first and second electrodes. The element includes a first magnetic layer, a tunnel barrier layer, a second magnetic layer, and a third magnetic layer provided on the second magnetic layer and having a magnetization antiparallel to the magnetization direction of the second magnetic layer. A diameter of an upper surface of the first magnetic layer is smaller than that of a lower surface of the tunnel barrier layer. A diameter of a lower surface of the second magnetic layer is not more than that of an upper surface of the tunnel barrier layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器包括至少一个包括磁阻元件的存储单元以及第一和第二电极。 元件包括第一磁性层，隧道势垒层，第二磁性层和设置在第二磁性层上并且具有与第二磁性层的磁化方向反平行的磁化的第三磁性层。 第一磁性层的上表面的直径小于隧道势垒层的下表面的直径。 第二磁性层的下表面的直径不大于隧道势垒层的上表面的直径。

公开(公告)号：US20150263265A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：US14479192

申请日：2014-09-05

申请人： Masatoshi YOSHIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Shuichi TSUBATA ,  Kenji NOMA ,  Tatsuya KISHI ,  Satoshi SETO ,  Kazuhiro TOMIOKA

发明人： Masatoshi YOSHIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Shuichi TSUBATA ,  Kenji NOMA ,  Tatsuya KISHI ,  Satoshi SETO ,  Kazuhiro TOMIOKA

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory device includes a stacked structure including a magnetic element, a protective insulating film covering the stacked structure, and an interface layer provided at an interface between the stacked structure and the protective insulating film. The interface layer contains a predetermined element which is not contained in the magnetic element or the protective insulating film.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器件包括堆叠结构，其包括磁性元件，覆盖层叠结构的保护绝缘膜以及设置在堆叠结构和保护绝缘膜之间的界面处的界面层。 界面层包含不包含在磁性元件或保护绝缘膜中的预定元件。

公开(公告)号：US20130056349A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13600812

申请日：2012-08-31

申请人： Eiji KITAGAWA ,  Tadaomi DAIBOU ,  Kenji NOMA ,  Tadashi KAI ,  Koji YAMAKAWA ,  Toshihiko NAGASE ,  Katsuya NISHIYAMA ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Hiroaki YODA ,  Satoru SANO ,  Yoshihiro NISHIMURA ,  Takayuki WATANABE ,  Yuzo KATO ,  Akira UEKI

发明人： Eiji KITAGAWA ,  Tadaomi DAIBOU ,  Kenji NOMA ,  Tadashi KAI ,  Koji YAMAKAWA ,  Toshihiko NAGASE ,  Katsuya NISHIYAMA ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Hiroaki YODA ,  Satoru SANO ,  Yoshihiro NISHIMURA ,  Takayuki WATANABE ,  Yuzo KATO ,  Akira UEKI

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/082 ,  C23C14/3414 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： Provided are a sputtering target including a target main body 10 that has MgO as a main component and a thickness of 3 mm or smaller, and a method of manufacturing a magnetic memory using the sputtering target which improves an MR ratio.

摘要翻译： 提供一种溅射靶，其包括具有MgO作为主要成分并且厚度为3mm以下的靶主体10以及使用该溅射靶的磁性存储器的制造方法，其提高MR比。

公开(公告)号：US20130069184A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13618410

申请日：2012-09-14

申请人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

发明人： Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Sumio IKEGAWA

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer, in which a magnetization direction is variable and is perpendicular to a film surface, a tunnel barrier layer that is formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer that is formed on the tunnel barrier layer, a magnetization direction of the second magnetic layer being variable and being perpendicular to the film surface. The second magnetic layer comprises a body layer that constitutes an origin of perpendicular magnetic anisotropy, and an interface layer that is formed between the body layer and the tunnel barrier layer. The interface layer has a permeability higher than that of the body layer and a planar size larger than that of the body layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括其中磁化方向可变并且垂直于膜表面的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道势垒层和形成的第二磁性层 在隧道势垒层上，第二磁性层的磁化方向是可变的并垂直于膜表面。 第二磁性层包括构成垂直磁各向异性的原点的主体层以及形成在主体层与隧道势垒层之间的界面层。 界面层的透过率比体层高，平面尺寸比体层大。

公开(公告)号：US20150069552A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14200894

申请日：2014-03-07

申请人： Yutaka HASHIMOTO ,  Tadashi KAI ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Hiroaki YODA ,  Toshihiko NAGASE ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Yasuyuki SONODA

发明人： Yutaka HASHIMOTO ,  Tadashi KAI ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Hiroaki YODA ,  Toshihiko NAGASE ,  Masatoshi YOSHIKAWA ,  Yasuyuki SONODA

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory device includes a magnetoresistance effect element having a structure in which a first magnetic layer, a nonmagnetic layer, a second magnetic layer, and a third magnetic layer are stacked, wherein the third magnetic layer comprises a first region and a plurality of second regions, and each of the second regions is surrounded by the first region, has conductivity, and has a greater magnetic property than the first region.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器件包括具有其中堆叠第一磁性层，非磁性层，第二磁性层和第三磁性层的结构的磁阻效应元件，其中第三磁性层包括第一区域 和多个第二区域，并且每个第二区域被第一区域包围，具有导电性，并且具有比第一区域更大的磁特性。

公开(公告)号：US20130069186A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13618780

申请日：2012-09-14

申请人： Masaru TOKO ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Akihiro NITAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA

发明人： Masaru TOKO ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Akihiro NITAYAMA ,  Tatsuya KISHI ,  Hisanori AIKAWA ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer having a magnetization direction invariable and perpendicular to a film surface, a tunnel barrier layer formed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer formed on the tunnel barrier layer and having a magnetization direction variable and perpendicular to the film surface. The first magnetic layer includes an interface layer formed on an upper side in contact with a lower portion of the tunnel barrier layer, and a main body layer formed on a lower side and serving as an origin of perpendicular magnetic anisotropy. The interface layer includes a first area provided on an inner side and having magnetization, and a second area provided on an outer side to surround the first area and having magnetization smaller than the magnetization of the first area or no magnetization.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括具有不变且垂直于膜表面的磁化方向的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道势垒层，以及形成在隧道势垒层上的第二磁性层，并且具有 磁化方向可变并垂直于膜表面。 第一磁性层包括形成在与隧道势垒层的下部相接触的上侧的界面层，以及形成在下侧并用作垂直磁各向异性的原点的主体层。 界面层包括设置在内侧并具有磁化的第一区域和设置在外侧以围绕第一区域并且具有小于第一区域的磁化或不具有磁化的磁化的第二区域。

公开(公告)号：US20090244792A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12396778

申请日：2009-03-03

申请人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

发明人： Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Sumio IKEGAWA ,  Hiroaki YODA ,  Tatsuya KISHI

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226

摘要： A magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer having invariable magnetization perpendicular to a film plane; a second ferromagnetic layer having variable magnetization perpendicular to the film plane; a first nonmagnetic layer interposed between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a third ferromagnetic layer provided on an opposite side of the second ferromagnetic layer from the first nonmagnetic layer, and having variable magnetization parallel to the film plane; and a second nonmagnetic layer interposed between the second and third ferromagnetic layers. Spin-polarized electrons are injected into the second ferromagnetic layer by flowing a current in the direction perpendicular to the film planes between the first and third ferromagnetic layers, precession movement is induced in the magnetization of the third ferromagnetic layer by injecting the spin-polarized electrons, and a microwave magnetic field of a frequency corresponding to the precession movement is applied to the second ferromagnetic layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括：具有垂直于膜平面的不变磁化的第一铁磁层; 具有垂直于膜平面的可变磁化的第二铁磁层; 介于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的第一非磁性层; 第三铁磁层，其设置在所述第二铁磁层的与所述第一非磁性层相反的一侧上，并且具有与所述膜平面平行的可变磁化强度; 以及插入在第二和第三铁磁层之间的第二非磁性层。 通过在垂直于第一和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动电流，将旋转极化电子注入到第二铁磁层中，通过注入自旋极化电子在第三铁磁层的磁化中引起进动运动 并且将对应于进动运动的频率的微波磁场施加到第二铁磁层。

公开(公告)号：US20110227179A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13050692

申请日：2011-03-17

申请人： Eiji KITAGAWA ,  Tadashi KAI ,  Tadaomi DAIBOU ,  Yutaka HASHIMOTO ,  Hiroaki YODA

发明人： Eiji KITAGAWA ,  Tadashi KAI ,  Tadaomi DAIBOU ,  Yutaka HASHIMOTO ,  Hiroaki YODA

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first magnetic layer; a tunnel barrier layer on the first magnetic layer; a second magnetic layer placed on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer placed on the second magnetic layer, and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：第一磁性层; 在第一磁性层上的隧道阻挡层; 放置在隧道势垒层上并含有CoFe的第二磁性层; 以及放置在第二磁性层上的非磁性层，并含有氮和选自B，Ta，Zr，Al和Ce中的至少一种元素。