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1.发明申请METHOD OF FORMING A CAPACITOR STRUCTURE, AND A SILICON ETCHING LIQUID USED IN THIS METHOD 审中-公开形成电容器结构的方法和本方法中使用的硅蚀刻液公开(公告)号：US20140001145A1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：US14016854
申请日：2013-09-03
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Atsushi MIZUTANI , Tadashi INABA , Akiko KOYAMA
CPC分类号： H01G13/00 , C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L28/92
摘要： A method of forming a capacitor structure, which comprises: applying a silicon etching liquid which contains an alkali compound and a hydroxylamine compound in combination, with the pH adjusted to 11 or more, to a polycrystalline silicon film or an amorphous silicon film, removing a part or all of the polycrystalline silicon film or amorphous silicon film, and forming concave and convex shapes that constitute a capacitor.
摘要翻译： 一种形成电容器结构的方法，其特征在于包括：将pH为11以上的pH值调整为11以上的含有碱性化合物和羟胺化合物的硅蚀刻液施加到多晶硅膜或非晶硅膜上， 部分或全部多晶硅膜或非晶硅膜，并形成构成电容器的凹凸形状。
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2.发明申请ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, ETCHING SOLUTION KIT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT 审中-公开蚀刻方法，其中使用的蚀刻溶液，蚀刻溶液工具包以及制造半导体衬底产品的方法公开(公告)号：US20160118264A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：US14927700
申请日：2014-05-01
申请人： FUJIFILM CORPORATION
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： There is provided an etching method of a semiconductor substrate that includes a first layer containing germanium (Ge) and a second layer containing at least one specific metal element selected from nickel platinum (NiPt), titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co), the method including: bringing an etching solution which contains an alkali compound into contact with the second layer and selectively removing the second layer.
摘要翻译： 提供了一种半导体衬底的蚀刻方法，其包括含有锗（Ge）的第一层和包含选自镍铂（NiPt），钛（Ti），镍（Ni））和至少一种特定金属元素的第二层 钴（Co），该方法包括：使包含碱性化合物的蚀刻溶液与第二层接触并选择性地除去第二层。
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3.发明申请ETCHING SOLUTION AND ETCHING SOLUTION KIT, ETCHING METHOD USING SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT 审中-公开蚀刻溶液和蚀刻溶液套件，使用其的蚀刻方法以及半导体衬底产品的生产方法公开(公告)号：US20160053386A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：US14928824
申请日：2015-10-30
申请人： FUJIFILM Corporation
IPC分类号： C23F1/30 , H01L21/465
摘要： There is provided an etching solution of a semiconductor substrate that includes a first layer containing germanium (Ge) and a second layer containing a specific metal element other than germanium (Ge), the etching solution selectively removing the second layer and including following specific acid compoundSpecific acid compound: sulfuric acid (H2SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), phosphonic acid (H3PO3), or organic acid
摘要翻译： 提供了包括含有锗（Ge）的第一层和含有除锗（Ge）之外的特定金属元素的第二层的半导体衬底的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液选择性地除去第二层并包括以下特定酸化合物 特定酸化合物：硫酸（H 2 SO 4），硝酸（HNO 3），磷酸（H 3 PO 4），膦酸（H 3 PO 3）或有机酸
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4.发明申请ETCHING METHOD, ETCHING SOLUTION USED IN SAME, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT 审中-公开蚀刻方法，使用其中的蚀刻方法和半导体基板产品的生产方法公开(公告)号：US20160053385A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：US14927697
申请日：2015-10-30
申请人： FUJIFILM CORPORATION
IPC分类号： C23F1/30 , H01L21/3213 , H01L29/417
摘要： There is provided an etching method of a semiconductor substrate that includes a first layer containing germanium (Ge) and a second layer containing at least one specific metal element selected from nickel platinum (NiPt), titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co), the method including: bringing an etching solution which contains a non-halogen acidic compound into contact with the second layer and selectively removing the second layer.
摘要翻译： 提供了一种半导体衬底的蚀刻方法，其包括含有锗（Ge）的第一层和包含选自镍铂（NiPt），钛（Ti），镍（Ni））和至少一种特定金属元素的第二层 钴（Co），该方法包括：使包含非卤素酸性化合物的蚀刻溶液与第二层接触并选择性地除去第二层。
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5.发明申请ETCHING METHOD, ETCHING LIQUID AND ETCHING LIQUID KIT TO BE USED IN SAID METHOD, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT MANUFACTURING METHOD 审中-公开蚀刻方法，蚀刻液体和蚀刻液体试剂盒应用于本方法，半导体基板产品制造方法公开(公告)号：US20160056054A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：US14927798
申请日：2015-10-30
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： Satomi TAKAHASHI , Tetsuya KAMIMURA , Akiko KOYAMA , Atsushi MIZUTANI , Yasuo SUGISHIMA , Satoru MURAYAMA
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/285 , C23F1/44 , C23F1/30 , C23F1/26 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28088 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66575
摘要： There is provided an etching method of a semiconductor substrate that includes a first layer containing germanium (Ge) and a second layer containing at least one metal element selected from nickel platinum (NiPt), titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co), the method including: bringing an etching liquid which contains a specific acid compound into contact with the second layer and selectively removing the second layer.
摘要翻译： 提供一种半导体衬底的蚀刻方法，其包括含有锗（Ge）的第一层和包含至少一种选自镍铂（NiPt），钛（Ti），镍（Ni）和钴的金属元素的第二层） （Co），该方法包括：使包含特定酸化合物的蚀刻液与第二层接触并选择性地除去第二层。
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6.发明申请ETCHING SOLUTION, ETCHING SOLUTION KIT, ETCHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT 审中-公开蚀刻溶液，蚀刻溶液套件，使用其的蚀刻方法以及制造半导体衬底产品的方法公开(公告)号：US20160047053A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：US14928010
申请日：2015-10-30
申请人： FUJIFILM Corporation
IPC分类号： C23F1/32 , H01L21/306
CPC分类号： C23F1/32 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28518 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L29/665 , H01L29/7833
摘要： There is provided an etching solution of a semiconductor substrate that includes a first layer containing germanium (Ge) and a second layer containing a specific metal element other than germanium (Ge), the etching solution selectively removing the second layer and including an organic alkali compound.
摘要翻译： 提供了包括含有锗（Ge）的第一层和含有除锗（Ge）以外的特定金属元素的第二层的半导体衬底的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液选择性地除去第二层并且包含有机碱化合物 。
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