公开(公告)号：US10062580B2

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：US15245593

申请日：2016-08-24

申请人： FUJIFILM Corporation

发明人： Atsushi Mizutani ,  Tetsuya Kamimura

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  H01L21/02 ,  C23F1/00 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/00 ,  C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02381 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： Provided is an etchant for a semiconductor process, which contains a sulfonic acid compound, a halogen ion, nitric acid or a nitric acid ion, an organic cation, and water.

公开(公告)号：US20180168032A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：US15580824

申请日：2016-06-17

申请人： DST Innovations Limited

发明人： Anthony Miles ,  Benjamin John Masheder

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  D06M10/02 ,  D06M11/74 ,  D06M11/83 ,  D06M23/16

CPC分类号： H05K1/0283 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  D06M10/025 ,  D06M11/74 ,  D06M11/83 ,  D06M23/16 ,  D10B2501/00 ,  H05K1/038 ,  H05K1/0386 ,  H05K3/061 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0158 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/1461 ,  H05K2203/1545 ,  H05K2203/1572

摘要： A method of forming a conductive/nonconductive pattern on a conductive particle-coated fabric uses chemical etching techniques to remove specific areas of conductive material from the fabric, producing non-conductive areas where the fabric was exposed to an etching agent, and leaving conductive areas where the conductive coating was protected by an etch-resistant coating.

公开(公告)号：US20170314140A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：US15516134

申请日：2015-08-27

申请人： POLIGRAT GmbH

发明人： Siegfried Piesslinger-Schweiger ,  Olaf Boehme ,  Bastian Reising

IPC分类号： C23F1/30 ,  C01B17/69 ,  C01B25/18 ,  C22B19/00

CPC分类号： C23F1/30 ,  C01B17/69 ,  C01B25/18 ,  C09G1/04 ,  C09K13/04 ,  C22B19/00 ,  C23F3/06

摘要： A method for the wet-chemical polishing of molded zinc parts, the molded parts being brought in contact with an acid solution and said acid solution containing only sulfuric acid and phosphoric acid as the strong acids.

公开(公告)号：US09650720B2

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：US15056948

申请日：2016-02-29

申请人： ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE

发明人： Yong Hee Kim ,  Sang-Don Jung

IPC分类号： C23F1/44 ,  C25D5/48 ,  C25D5/10 ,  C25D3/46 ,  C23F1/30 ,  C25D7/00 ,  A61B5/04 ,  C23F1/14 ,  C25D3/48 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23F1/44 ,  A61B5/04001 ,  A61B2562/0215 ,  A61B2562/0217 ,  A61B2562/125 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/30 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00

摘要： In a method for surface-modifying a neural electrode, a neural electrode array is formed, first and second metal nanoparticles having different solubilities with respect to an etching solution are simultaneously electrode-deposited on a surface of the neural electrode array, and the second metal nanoparticles are selectively etched using the etching solution, thereby forming a porous structure including the first metal nanoparticles on the surface of the neural electrode array.

公开(公告)号：US20170024041A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：US15286723

申请日：2016-10-06

申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

发明人： Lijun Zu ,  Matthew H. Frey

IPC分类号： G06F3/044 ,  H05K1/03 ,  H05K3/06 ,  H05K1/02 ,  G03F7/00 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/044 ,  B41M5/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  G03F7/0002 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/032 ,  H05K3/0079 ,  H05K3/061 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/0537 ,  Y10T428/24802

摘要： A method of patterning a conductor on a substrate includes providing an inked elastomeric stamp inked with self-assembled monolayer-forming molecules and having a relief pattern with raised features. Then the raised features of the inked stamp contact a metal-coated visible light transparent substrate. Then the metal is etched to form an electrically conductive micropattem corresponding to the raised features of the inked stamp on the visible light transparent substrate.

摘要翻译： 图案化基板上的导体的方法包括提供用自组装单层形成分子着墨的具有凸起特征的浮雕图案的着墨弹性体印模。 然后，着色印模的凸起特征与金属涂覆的可见光透明基板接触。 然后蚀刻金属以形成对应于可见光透明基板上的着墨印模的凸起特征的导电微孔。

公开(公告)号：US09546321B2

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：US14368714

申请日：2012-12-27

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

IPC分类号： H01B13/00 ,  C09K13/10 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC分类号： C09K13/10 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to metal conducting, e.g., tungsten, and insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions contain at least one oxidant and one etchant, may contain various corrosion inhibitors to ensure selectivity.

摘要翻译： 可用于相对于金属导电（例如钨）选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余材料的组合物，以及来自其上具有其的微电子器件的绝缘材料。 除去组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

公开(公告)号：US20160362804A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：US15121622

申请日：2015-02-23

申请人： ENTEGRIS, INC.

发明人： Tianniu CHEN ,  Ping JIANG ,  Michael B. KORZENSKI

IPC分类号： C25C1/20 ,  C22B3/22 ,  C22B3/08 ,  C22B3/00 ,  C22B3/06

CPC分类号： C25C1/20 ,  C22B3/065 ,  C22B3/08 ,  C22B3/22 ,  C22B3/44 ,  C22B11/04 ,  C22B11/042 ,  C23F1/30 ,  Y02P10/214 ,  Y02P10/234

摘要： Compositions and processes for leaching noble metals from materials comprising said noble metals. Advantageously, the halide-based composition is environmentally friendly and effectively removes noble metals at room temperature without the need for high pressures and electrodes.

摘要翻译： 用于从包含所述贵金属的材料中浸出贵金属的组合物和方法。 有利地，基于卤化物的组合物是环境友好的，并且在室温下有效地除去贵金属，而不需要高压和电极。

公开(公告)号：US20160348246A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：US15112205

申请日：2015-01-14

申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

发明人： Boris Alexander JANSSEN ,  Donny LAUTAN

IPC分类号： C23C18/32 ,  C23C18/16 ,  C23C18/50 ,  H05K3/24 ,  C23F1/30 ,  H05K3/18 ,  H05K3/26 ,  C23C18/18 ,  C23F1/02

CPC分类号： C23C18/32 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/187 ,  H05K3/244 ,  H05K3/26

摘要： The present invention discloses a process for electroless plating of a metal or metal alloy onto copper features of an electronic device such as a printed circuit board which suppresses undesired skip plating and extraneous plating. The process comprises the steps i) providing such a substrate, ii) activating of the copper features with noble metal ions; iii) removing excessive noble metal ions or precipitates formed thereof with an aqueous pre-treatment composition comprising an acid, a source for halide ions and an additive selected from the group consisting of thiourea, thiourea derivatives and polymers comprising thiourea groups, and iv) electroless plating of a metal or metal alloy layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种将金属或金属合金化学镀在电子器件例如印刷电路板的铜特征上的方法，该印刷电路板抑制不期望的跳镀和外部电镀。 该方法包括以下步骤：i）提供这种基材，ii）用贵金属离子活化铜特征; iii）用含有酸，卤离子源和选自硫脲，硫脲衍生物和包含硫脲基团的聚合物的添加剂的含水预处理组合物除去过量的贵金属离子或其形成的沉淀物，以及iv）无电解 电镀金属或金属合金层。

公开(公告)号：US20160133349A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14808360

申请日：2015-07-24

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Eunhyoung CHO ,  Inyong SONG ,  Changseung LEE ,  Chan KWAK ,  Jaekwan KIM ,  Jooho LEE ,  Jinyoung HWANG

IPC分类号： H01B1/22 ,  D06M23/00 ,  C23F1/32 ,  D06M15/564

CPC分类号： H01B1/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/413 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments relate to a nanostructure including a conductive region and a nonconductive region, wherein the conductive region includes at least one first nanowire, and the nonconductive region includes at least one second nanowire that is at least partially sectioned, a method of preparing the nanostructure, and a panel unit including the nanostructure.

摘要翻译： 示例实施方案涉及包括导电区域和非导电区域的纳米结构，其中所述导电区域包括至少一个第一纳米线，并且所述非导电区域包括至少部分切割的至少一个第二纳米线，制备纳米结构的方法， 以及包括纳米结构的面板单元。

公开(公告)号：US20160102408A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：US14972790

申请日：2015-12-17

申请人： UWin Nanotech. Co., Ltd.

发明人： CHING-HSIANG HSU

IPC分类号： C23F1/18 ,  C22B25/06 ,  C22B15/00 ,  C23F1/30 ,  C22B3/00

CPC分类号： C23F1/18 ,  B08B3/04 ,  B08B3/044 ,  C22B11/046 ,  C22B15/0063 ,  C22B23/04 ,  C22B25/04 ,  C22B25/06 ,  C23F1/16 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  H05K3/22 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/178

摘要： The present invention provides a metal stripping additive, composition containing the same, and method for stripping metal by using the composition. The metal stripping additive comprises a phosphate, a carbonate, and a component selected from at least one of citric acid or a derivative thereof, oxalate or a derivative thereof, malate or a derivative thereof. The metal stripping additive is used with nitric acid as the metal stripping composition of the present invention. The present method has advantages of being capable of stripping various metals, low corrosion, low toxicity, and being applicable under ambient temperature.

摘要翻译： 本发明提供一种金属剥离添加剂，含有它的组合物，以及通过使用该组合物剥离金属的方法。 金属剥离添加剂包括磷酸盐，碳酸盐和选自柠檬酸或其衍生物，草酸盐或其衍生物，苹果酸盐或其衍生物中的至少一种的组分。 金属剥离添加剂与硝酸一起用作本发明的金属剥离组合物。 本方法具有能够剥离各种金属，低腐蚀性，低毒性，适用于环境温度的优点。