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公开(公告)号：US20130318418A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：US13477610
申请日：2012-05-22
申请人： Ferdinando Bedeschi , Roberto Gastaldi , Christophe Laurent , Paolo Amato , Sandro Bellini , Alessandro Tomasoni
发明人： Ferdinando Bedeschi , Roberto Gastaldi , Christophe Laurent , Paolo Amato , Sandro Bellini , Alessandro Tomasoni
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C13/0004 , G11C29/028 , G11C2029/0411 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/19 , H03M13/353 , H03M13/3715
摘要： Subject matter disclosed herein relates to memory operations regarding error correction or error detection.
摘要翻译： 本文公开的主题涉及关于纠错或错误检测的存储器操作。
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公开(公告)号：US08510628B2
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：US12617661
申请日：2009-11-12
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C2029/0411
摘要： Described herein are a method and apparatuses for providing customizable error correction for memory arrays. In one embodiment, an apparatus includes a memory device having a memory array to store data and an analog to digital sense unit coupled to the memory array. The analog to digital sense unit senses analog signals associated with the memory array and converts the analog signals into distributions of digital values. An error-correcting code (ECC) unit receives the distributions of digital values from the analog to digital sense unit. A configurable non-volatile look-up table generates ECC parameters including error probability data and provides the ECC parameters to the ECC unit for error correction. The error probability data has error probability values that are associated with the distributions of digital values. The ECC unit executes an ECC algorithm to provide error correction using the error probability data.
摘要翻译： 这里描述了一种用于为存储器阵列提供可定制的纠错的方法和装置。 在一个实施例中，装置包括具有用于存储数据的存储器阵列和耦合到存储器阵列的模拟到数字感测单元的存储器件。 模拟到数字感测单元感测与存储器阵列相关联的模拟信号，并将模拟信号转换成数字值的分布。 纠错码（ECC）单元从模拟数字感测单元接收数字值的分布。 可配置的非易失性查找表生成包括错误概率数据的ECC参数，并将ECC参数提供给ECC单元用于纠错。 误差概率数据具有与数字值分布相关联的误差概率值。 ECC单元执行ECC算法以使用错误概率数据提供纠错。
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公开(公告)号：US20110113303A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：US12617661
申请日：2009-11-12
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C2029/0411
摘要： Described herein are a method and apparatuses for providing customizable error correction for memory arrays. In one embodiment, an apparatus includes a memory device having a memory array to store data and an analog to digital sense unit coupled to the memory array. The analog to digital sense unit senses analog signals associated with the memory array and converts the analog signals into distributions of digital values. An error-correcting code (ECC) unit receives the distributions of digital values from the analog to digital sense unit. A configurable non-volatile look-up table generates ECC parameters including error probability data and provides the ECC parameters to the ECC unit for error correction. The error probability data has error probability values that are associated with the distributions of digital values. The ECC unit executes an ECC algorithm to provide error correction using the error probability data.
摘要翻译： 这里描述了一种用于为存储器阵列提供可定制的纠错的方法和装置。 在一个实施例中，装置包括具有用于存储数据的存储器阵列和耦合到存储器阵列的模拟到数字感测单元的存储器件。 模拟到数字感测单元感测与存储器阵列相关联的模拟信号，并将模拟信号转换成数字值的分布。 纠错码（ECC）单元接收从模拟到数字感测单元的数字值的分布。 可配置的非易失性查找表生成包括错误概率数据的ECC参数，并将ECC参数提供给ECC单元用于纠错。 误差概率数据具有与数字值分布相关联的误差概率值。 ECC单元执行ECC算法以使用错误概率数据提供纠错。
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公开(公告)号：US09070473B2
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：US13513139
申请日：2009-12-02
CPC分类号： G11C13/0033 , G06F11/1068 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C14/009 , G11C16/3418 , G11C29/52
摘要： Methods and systems to refresh a non-volatile memory device, such as a phase change memory. In an embodiment, as a function of system state, a memory device performs either a first refresh of memory cells using a margined read reference level or a second refresh of error-corrected memory cells using a non-margined read reference level.
摘要翻译： 刷新非易失性存储器件的方法和系统，例如相变存储器。 在一个实施例中，作为系统状态的函数，存储器设备使用边缘读取参考电平或使用非余量读取参考电平对错误校正的存储器单元的第二刷新来执行存储器单元的第一刷新。
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公开(公告)号：US20110176358A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：US13072911
申请日：2011-03-28
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/75 , G11C2213/76
摘要： A read current high enough to threshold a phase change memory element may be used to read the element without thresholding the memory element. The higher current may improve performance in some cases. The memory element does not threshold because the element is read and the current stopped prior to triggering the memory element.
摘要翻译： 可以使用高达阈值相变存储器元件的读取电流来读取元件而不对存储元件进行阈值化。 在某些情况下，较高的电流可能会改善性能。 由于读取元素并且在触发存储器元件之前停止了当前存储器元件，因此存储器元件不会被阈值。
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公开(公告)号：US20120287698A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：US13555346
申请日：2012-07-23
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read. window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 结果阅读。 在一些实施例中可以改善窗口或边缘。
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7.发明申请公开(公告)号：US20050169095A1
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：US10971776
申请日：2004-10-22
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C7/12 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C15/00 , G11C29/02 , G11C29/025 , G11C29/83 , G11C2213/79
摘要： A method of controlling a discharge of bit lines of a matrix of memory cells comprises conditioning a value of a current flowing through a bit line of the matrix during a bit line discharge phase to an absence of an indication of defectiveness of the bit line. The method allows preventing crowbar currents that otherwise flow during the bit line discharge phase when a defective bit line exhibits a short-circuit to a defective word line.
摘要翻译： 控制存储器单元的矩阵的位线的放电的方法包括在位线放电阶段期间调节流过矩阵的位线的电流的值，使得不存在位线的缺陷的指示。 该方法允许当有缺陷的位线与缺陷字线短路时，防止在位线放电阶段期间流过的撬棒电流。
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8.发明授权Method for using a bit specific reference level to read a phase change memory 有权使用位特定参考电平读取相变存储器的方法公开(公告)号：US08705306B2
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：US13555346
申请日：2012-07-23
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。
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公开(公告)号：US20130003451A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：US13513139
申请日：2009-12-02
IPC分类号： G11C11/402 , G11C11/00
CPC分类号： G11C13/0033 , G06F11/1068 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C14/009 , G11C16/3418 , G11C29/52
摘要： Methods and systems to refresh a non-volatile memory device, such as a phase change memory. In an embodiment, as a function of system state, a memory device performs either a first refresh of memory cells using a margined read reference level or a second refresh of error-corrected memory cells using a non-margined read reference level.
摘要翻译： 刷新非易失性存储器件的方法和系统，例如相变存储器。 在一个实施例中，作为系统状态的函数，存储器设备使用边缘读取参考电平或使用非余量读取参考电平对错误校正的存储器单元的第二刷新来执行存储器单元的第一刷新。
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公开(公告)号：US08259525B2
公开(公告)日：2012-09-04
申请号：US13353531
申请日：2012-01-19
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。
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