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    High power semiconductor laser diodes
    2.
    发明授权
    High power semiconductor laser diodes 有权
    大功率半导体激光二极管

    公开(公告)号：US08320419B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US12873382

    申请日：2010-09-01

    申请人： Martin Krejci ,  Norbert Lichtenstein ,  Stefan Weiss ,  Julien Boucart ,  René Todt

    发明人： Martin Krejci ,  Norbert Lichtenstein ,  Stefan Weiss ,  Julien Boucart ,  René Todt

    IPC分类号： H01S3/04

    CPC分类号： H01S5/024 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/14

    摘要： A high power laser source comprises a bar of laser diodes having a first coefficient of thermal expansion CTEbar on a submount having a second coefficient CTEsub and a cooler having a third coefficient CTEcool. The submount/cooler assembly shows an effective fourth coefficient CTEeff differing from CTEbar. This difference leads to a deformation of the crystal lattice of the lasers' active regions by mechanical stress. CTEeff is selected to be either lower than both CTEbar and CTEcool or is selected to be between CTEbar and CTEcool. The submount may either comprise layers of materials having different CTEs, e.g., a Cu layer of 10-40 μm thickness and a Mo layer of 100-400 μm thickness, or a single material with a varying CTEsub. Both result in a CTEsub varying across the submount's thickness.

    摘要翻译： 高功率激光源包括具有第二系数CTEsub的底座上具有第一热膨胀系数CTEbar的激光二极管棒和具有第三系数CTEcool的冷却器。 底座/冷却器组件显示与CTEbar不同的有效的第四系数CTEeff。 该差异导致激光器的活性区域的晶格由于机械应力而变形。 CTEeff选择为低于CTEbar和CTEcool，或者选择为CTEbar和CTEcool之间。 底座可以包括具有不同CTE的材料层，例如厚度为10-40μm的Cu层和100-400μm厚度的Mo层，或具有变化的CTEsub的单一材料。 两者都导致CTEsub在底座的厚度上变化。