利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

24 条记录 (耗时 0.027 秒)

    Phase change memory devices and methods for manufacturing the same
    1.
    发明授权
    Phase change memory devices and methods for manufacturing the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07964862B2

    公开(公告)日：2011-06-21

    申请号：US12056227

    申请日：2008-03-26

    申请人： Frederick T Chen ,  Yen Chuo ,  Hong-Hui Hsu ,  Jyi-Tyan Yeh ,  Ming-Jinn Tsai

    发明人： Frederick T Chen ,  Yen Chuo ,  Hong-Hui Hsu ,  Jyi-Tyan Yeh ,  Ming-Jinn Tsai

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1691

    摘要： Phase change memory devices and methods for manufacturing the same are provided. An exemplary embodiment of a phase change memory device includes a first electrode disposed in a first dielectric layer. A second dielectric layer is disposed over the first dielectric layer and the first electrode. A phase change material layer disposed in the second dielectric layer to electrically contact the first electrode. A third dielectric layer is disposed over the second dielectric layer. A second electrode is disposed in the third dielectric layer to electrically connect the phase change material layer and at least one gap disposed in the first dielectric layer or the second dielectric layer to thereby isolate portions of the phase change material layer and portions of the first or second dielectric layer adjacent thereto.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件及其制造方法。 相变存储器件的示例性实施例包括设置在第一介电层中的第一电极。 第二电介质层设置在第一电介质层和第一电极之上。 一种相变材料层，设置在第二电介质层中以与第一电极电接触。 第三电介质层设置在第二电介质层上。 第二电极设置在第三电介质层中以将相变材料层和布置在第一介电层或第二介电层中的至少一个间隙电连接，从而隔离相变材料层的部分和第一或 第二电介质层。

    PHASE CHANGE MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME
    2.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080265238A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US12056227

    申请日：2008-03-26

    申请人： Frederick T. Chen ,  Yen Chuo ,  Hong-Hui Hsu ,  Jyi-Tyan Yeh ,  Ming-Jinn Tsai

    发明人： Frederick T. Chen ,  Yen Chuo ,  Hong-Hui Hsu ,  Jyi-Tyan Yeh ,  Ming-Jinn Tsai

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1691

    摘要： Phase change memory devices and methods for manufacturing the same are provided. An exemplary embodiment of a phase change memory device includes a first electrode disposed in a first dielectric layer. A second dielectric layer is disposed over the first dielectric layer and the first electrode. A phase change material layer disposed in the second dielectric layer to electrically contact the first electrode. A third dielectric layer is disposed over the second dielectric layer. A second electrode is disposed in the third dielectric layer to electrically connect the phase change material layer and at least one gap disposed in the first dielectric layer or the second dielectric layer to thereby isolate portions of the phase change material layer and portions of the first or second dielectric layer adjacent thereto.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件及其制造方法。 相变存储器件的示例性实施例包括设置在第一介电层中的第一电极。 第二电介质层设置在第一电介质层和第一电极之上。 一种相变材料层，设置在第二电介质层中以与第一电极电接触。 第三电介质层设置在第二电介质层上。 第二电极设置在第三电介质层中以将相变材料层和布置在第一介电层或第二介电层中的至少一个间隙电连接，从而隔离相变材料层的部分和第一或 第二电介质层。

    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    3.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080164504A1

    公开(公告)日：2008-07-10

    申请号：US11857396

    申请日：2007-09-18

    申请人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Der-Sheng Chao ,  Chih-Wei Chen ,  Ming-Jinn Tsai

    发明人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Der-Sheng Chao ,  Chih-Wei Chen ,  Ming-Jinn Tsai

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691

    摘要： A phase change memory device is provided. The phase change memory device comprises a substrate. An electrode layer is on the substrate. A phase change memory structure is on the electrode layer and electrically connected to the electrode layer, wherein the phase change memory structure comprises a cup-shaped heating electrode on the electrode layer. An insulating layer is on the cup-shaped heating electrode along a first direction covering a portion of the cup-shaped heating electrode. An electrode structure is on the cup-shaped heating electrode along a second direction covering a portion of the insulating layer and the cup-shaped heating electrode. A pair of double spacers is on a pair of sidewalls of the electrode structure covering a portion of the cup-shaped heating electrode, wherein the double spacer comprises a phase change material spacer and an insulating material spacer on a sidewall of the phase change material spacer.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件。 相变存储器件包括衬底。 电极层位于基板上。 相变存储器结构在电极层上并电连接到电极层，其中相变存储器结构包括在电极层上的杯形加热电极。 绝缘层沿着覆盖杯状加热电极的一部分的第一方向位于杯状加热电极上。 电极结构沿着覆盖绝缘层和杯状加热电极的一部分的第二方向位于杯状加热电极上。 一对双间隔物位于电极结构的一对侧壁上，覆盖杯状加热电极的一部分，其中双间隔物包括相变材料间隔物和在相变材料间隔物的侧壁上的绝缘材料间隔物 。

    Phase change memory device and method for fabricating the same
    4.
    发明授权
    Phase change memory device and method for fabricating the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07989795B2

    公开(公告)日：2011-08-02

    申请号：US11857396

    申请日：2007-09-18

    申请人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Der-Sheng Chao ,  Chih Wei Chen ,  Ming-Jinn Tsai

    发明人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Der-Sheng Chao ,  Chih Wei Chen ,  Ming-Jinn Tsai

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691

    摘要： A phase change memory device is provided. The phase change memory device comprises a substrate. An electrode layer is on the substrate. A phase change memory structure is on the electrode layer and electrically connected to the electrode layer, wherein the phase change memory structure comprises a cup-shaped heating electrode on the electrode layer. An insulating layer is on the cup-shaped heating electrode along a first direction covering a portion of the cup-shaped heating electrode. An electrode structure is on the cup-shaped heating electrode along a second direction covering a portion of the insulating layer and the cup-shaped heating electrode. A pair of double spacers is on a pair of sidewalls of the electrode structure covering a portion of the cup-shaped heating electrode, wherein the double spacer comprises a phase change material spacer and an insulating material spacer on a sidewall of the phase change material spacer.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件。 相变存储器件包括衬底。 电极层位于基板上。 相变存储器结构在电极层上并电连接到电极层，其中相变存储器结构包括在电极层上的杯形加热电极。 绝缘层沿着覆盖杯状加热电极的一部分的第一方向位于杯状加热电极上。 电极结构沿着覆盖绝缘层和杯状加热电极的一部分的第二方向位于杯状加热电极上。 一对双间隔物位于电极结构的一对侧壁上，覆盖杯状加热电极的一部分，其中双间隔物包括相变材料间隔物和在相变材料间隔物的侧壁上的绝缘材料间隔物 。

    Phase change memory device and fabricating method therefor
    7.
    发明申请
    Phase change memory device and fabricating method therefor 失效
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070148855A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11479497

    申请日：2006-06-30

    申请人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Min-Hung Lee

    发明人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Min-Hung Lee

    IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A phase change memory device and fabricating method are provided. A disk-shaped phase change layer is buried within the insulating material. A center via and ring via are formed by a lithography. The center via is located in the center of the phase change layer and passes through the phase change layer, and the ring via takes the center via as a center. A heating electrode within the center via performs Joule heating of the phase change layer, and the contact area between the phase change layer and the heating electrode is reduced by controlling the thickness of the phase change layer. Furthermore, a second electrode within the ring via dissipates the heat transmitted to the contact interface between the phase change layers, so as to avoid transmitting the heat to the etching boundary at the periphery of the phase change layer.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 盘状相变层被埋在绝缘材料内。 通过光刻形成中心通孔和环形通孔。 中心通孔位于相变层的中心，通过相变层，环形通孔以中心通孔为中心。 中心通孔内的加热电极进行相变层的焦耳加热，通过控制相变层的厚度来降低相变层与加热电极之间的接触面积。 此外，环通孔内的第二电极耗散了传递到相变层之间的接触界面的热量，以避免将热量传递到相变层周围的蚀刻边界。

    PHASE-CHANGE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF
    9.
    发明申请
    PHASE-CHANGE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
    相变记忆及其制造方法

    公开(公告)号：US20110177667A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：US13079840

    申请日：2011-04-05

    申请人： Yen CHUO ,  Hong-Hui Hsu

    发明人： Yen CHUO ,  Hong-Hui Hsu

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A phase-change memory is provided. The phase-change memory comprises a substrate. A first electrode is formed on the substrate. A circular or linear phase-change layer is electrically connected to the first electrode. A second electrode formed on the phase-change layer and electrically connected to the phase-change layer, wherein at least one of the first electrode and the second electrode comprises phase-change material.

    摘要翻译： 提供了相变存储器。 相变存储器包括衬底。 在基板上形成第一电极。 圆形或线性相变层电连接到第一电极。 形成在所述相变层上并与所述相变层电连接的第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括相变材料。

    Phase change memory device and fabricating method therefor
    10.
    发明授权
    Phase change memory device and fabricating method therefor 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07868314B2

    公开(公告)日：2011-01-11

    申请号：US12547744

    申请日：2009-08-26

    申请人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Min-Hung Lee

    发明人： Wei-Su Chen ,  Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Min-Hung Lee

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A phase change memory device and fabricating method are provided. A disk-shaped phase change layer is buried within the insulating material. A center via and ring via are formed by a lithography. The center via is located in the center of the phase change layer and passes through the phase change layer, and the ring via takes the center via as a center. A heating electrode within the center via performs Joule heating of the phase change layer, and the contact area between the phase change layer and the heating electrode is reduced by controlling the thickness of the phase change layer. Furthermore, a second electrode within the ring via dissipates the heat transmitted to the contact interface between the phase change layers, so as to avoid transmitting the heat to the etching boundary at the periphery of the phase change layer.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 盘状相变层被埋在绝缘材料内。 通过光刻形成中心通孔和环形通孔。 中心通孔位于相变层的中心，通过相变层，环形通孔以中心通孔为中心。 中心通孔内的加热电极进行相变层的焦耳加热，通过控制相变层的厚度来降低相变层与加热电极之间的接触面积。 此外，环通孔内的第二电极耗散了传递到相变层之间的接触界面的热量，以避免将热量传递到相变层周围的蚀刻边界。