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    PARTIALLY CRYSTALLIZED FIN HARD MASK FOR FIN FIELD-EFFECT-TRANSISTOR (FINFET) DEVICE
    3.
    发明申请
    PARTIALLY CRYSTALLIZED FIN HARD MASK FOR FIN FIELD-EFFECT-TRANSISTOR (FINFET) DEVICE 审中-公开
    FIN场效应晶体管（FINFET）器件的部分晶体结构硬掩模

    公开(公告)号：US20150270175A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：US14219059

    申请日：2014-03-19

    申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

    发明人： Xiang Hu ,  Andy Chih-Hung Wei ,  Dae-han Choi ,  Mariappan Hariharaputhiran ,  Weihua Tong ,  Dae Geun Yang ,  Akshey Sehgal ,  Jing Wan

    IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/66795

    摘要： Provided herein are approaches for forming a fin field-effect-transistor (FinFET) device using a partially crystallized fin hard mask. Specifically, a hard mask is patterned over a substrate, and the FinFET device is annealed to form a set of crystallized hard mask elements adjacent a set of non-crystallized hard mask elements. A masking structure is provided over a first section of the patterned hard mask to prevent the set of non-crystallized hard mask elements from being crystallized during the anneal. During a subsequent fin cut process, the non-crystallized mask elements are removed, while crystallized mask elements remain. A set of fins is then formed in the FinFET device according to the location(s) of the crystallized mask elements.

    摘要翻译： 本文提供了使用部分结晶的翅片硬掩模形成鳍状场效应晶体管（FinFET）器件的方法。 具体地说，将硬掩模图案化在衬底上，并且FinFET器件被退火以形成与一组非结晶硬掩模元件相邻的一组结晶的硬掩模元件。 在图案化的硬掩模的第一部分上提供掩模结构，以防止在退火期间该组非结晶硬掩模元件结晶。 在随后的翅片切割过程中，除去未结晶的掩模元件，同时保留结晶的掩模元件。 然后根据结晶化掩模元件的位置在FinFET器件中形成一组翅片。

    Fin field-effect transistor (FinFET) device formed using a single spacer, double hardmask scheme
    4.
    发明授权
    Fin field-effect transistor (FinFET) device formed using a single spacer, double hardmask scheme 有权
    Fin场效应晶体管（FinFET）器件使用单个间隔层形成，双重硬掩模方案

    公开(公告)号：US09159630B1

    公开(公告)日：2015-10-13

    申请号：US14330063

    申请日：2014-07-14

    申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

    发明人： Andy Chih-Hung Wei ,  Dae Geun Yang ,  Dae-han Choi

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/76 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

    CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L27/0924

    摘要： Approaches for providing a single spacer, double hardmask dual-epi FinFET are disclosed. Specifically, at least one approach for providing the FinFET includes: forming a set of spacers along each sidewall of a plurality of fins of the FinFET device; forming a first ultra-thin hardmask over the plurality of fins; implanting the first ultra-thin hardmask over a first set of fins from the plurality of fins; removing the first ultra-thin hardmask over a second set of fins from the plurality of fins untreated by the implant; forming an epitaxial (epi) layer over the second set of fins; forming a second ultra-thin hardmask over the FinFET device; implanting the second ultra-thin hardmask; removing the second ultra-thin hardmask over the first set of fins; and growing an epi layer over the first set of fins.

    摘要翻译： 公开了用于提供单个间隔物，双重硬掩模双外延FinFET的方法。 具体地，用于提供FinFET的至少一种方法包括：沿着FinFET器件的多个鳍片的每个侧壁形成一组间隔物; 在所述多个翅片上形成第一超薄硬掩模; 将第一超薄硬掩模从多个翅片植入第一组翼片; 在未被植入物处理的多个翅片上从第二组翅片上移除第一超薄硬掩模; 在所述第二组翅片上形成外延（epi）层; 在FinFET器件上形成第二个超薄硬掩模; 植入第二超薄硬掩模; 在第一组翅片上移除第二超薄硬掩模; 并在第一组翅片上生长一个外延层。

    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FINS
    7.
    发明申请
    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR FINS 审中-公开
    形成半导体FINS的方法

    公开(公告)号：US20140148011A1

    公开(公告)日：2014-05-29

    申请号：US13688258

    申请日：2012-11-29

    申请人： GLOBALFOUNDRIES INC.

    发明人： Dae-han Choi ,  Dae Geun Yang ,  Chang Ho Maeng

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/66795

    摘要： An improved method of forming semiconductor fins is disclosed. Cavities are formed by etching a semiconductor substrate to a first depth. A surface treatment layer such as a nitride layer is then deposited or formed on the interior surface of the cavities. The etch then continues deeper, while the surface treatment layer protects the upper portion of the cavities.

    摘要翻译： 公开了一种形成半导体鳍片的改进方法。 通过将半导体衬底蚀刻到第一深度来形成空穴。 然后在空腔的内表面上沉积或形成诸如氮化物层的表面处理层。 然后蚀刻继续更深，同时表面处理层保护空腔的上部。

    Semiconductor device having a gate formed on a uniform surface and method for forming the same
    8.
    发明授权
    Semiconductor device having a gate formed on a uniform surface and method for forming the same 有权
    具有形成在均匀表面上的栅极的半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号：US08697501B1

    公开(公告)日：2014-04-15

    申请号：US13693094

    申请日：2012-12-04

    申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

    发明人： Dae-han Choi ,  Dae Geun Yang

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66545

    摘要： Aspects of the present invention generally relate to approaches for forming a semiconductor device (e.g., FinFET device) having a gate structure formed on a planar surface thereof. Specifically, a uniform, oxide-fin (OF) surface is formed. Then, a “dummy” gate structure and a set of spacers are formed thereon. Once the gate structure and set of spacers have been formed, the OF surface may be recessed. In one embodiment, the OF surface is uniformly recessed. In another embodiment, the OF surface is selectively recessed to yield a set of fins. In any event, after the recessing, an epitaxial layer is grown and an oxide fill is performed. Then, the “dummy” gate structure is removed (from between the set of spacers) and an oxide recess is performed to yield a set of channel fins between the spacers.

    摘要翻译： 本发明的方面通常涉及用于形成其平面上形成有栅极结构的半导体器件（例如，FinFET器件）的方法。 具体地，形成均匀的氧化物翅片（OF）表面。 然后，在其上形成“虚拟”栅极结构和一组间隔物。 一旦形成了栅极结构和间隔物组，则OF表面可以是凹进的。 在一个实施例中，OF表面是均匀凹陷的。 在另一个实施例中，OF表面选择性地凹入以产生一组翅片。 无论如何，在凹陷之后，生长外延层并进行氧化物填充。 然后，从“间隔件组”之间移除“虚拟”门结构，并且执行氧化物凹槽以产生间隔件之间的一组通道散热片。