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    Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy
    1.
    发明授权
    Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy 失效
    用选择性面积外延生产的垂直光学腔

    公开(公告)号：US5960024A

    公开(公告)日：1999-09-28

    申请号：US50657

    申请日：1998-03-30

    申请人： Gabriel S. Li ,  Wupen Yuen ,  Constance J. Chang-Hasnain

    发明人： Gabriel S. Li ,  Wupen Yuen ,  Constance J. Chang-Hasnain

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/18358 ,  H01S5/1057 ,  H01S5/106 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/4087

    摘要： A monolithic vertical optical cavity device built up along a vertical direction. The device has a bottom Distributed Bragg Reflector (DBR), a Quantum Well (QW) region consisting of least one active layer grown on top of the bottom DBR by using a Selective Area Epitaxy (SAE) mask such that the active layer or layers exhibit a variation in at least one physical parameter in a horizontal plane perpendicular to the vertical direction and a top DBR deposited on top of the QW region. A spacer is deposited with or without SAE adjacent the QW region. The device has a variable Fabry-Perot distance defined along the vertical direction between the bottom DBR and the top DBR and a variable physical parameter of the active layer. The varying physical parameter of the active layers is either their surface curvature and/or the band gap and both of these parameters are regulated by SAE. The monolithic vertical cavity device can be used as a Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) or a Vertical Cavity Detector (VCDET).

    摘要翻译： 沿垂直方向建立的单片垂直光学腔装置。 该器件具有底部分布布拉格反射器（DBR），量子阱（QW）区域，其由通过选择区域外延（SAE）掩模在底部DBR顶部生长的至少一个活性层组成，使得活性层或层显示 垂直于垂直方向的水平面中的至少一个物理参数的变化和沉积在QW区域顶部的顶部DBR。 隔离层沉积有或没有与邻近QW区域的SAE。 该装置具有沿底部DBR和顶部DBR之间的垂直方向限定的可变的法布里 - 珀罗距离以及有源层的可变物理参数。 活性层的变化的物理参数是它们的表面曲率和/或带隙，并且这些参数都由SAE调节。 单片垂直腔装置可用作垂直腔面发射激光（VCSEL）或垂直腔探测器（VCDET）。

    Fabrication of multiple-wavelength vertical-cavity opto-electronic device arrays
    3.
    发明授权
    Fabrication of multiple-wavelength vertical-cavity opto-electronic device arrays 失效
    多波长垂直腔光电器件阵列的制作

    公开(公告)号：US06174749B1

    公开(公告)日：2001-01-16

    申请号：US09078195

    申请日：1998-05-13

    申请人： Wupen Yuen ,  Constance J. Chang-Hasnain ,  Gabriel S. Li

    发明人： Wupen Yuen ,  Constance J. Chang-Hasnain ,  Gabriel S. Li

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01S5/18358 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/4087 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/02

    摘要： The present invention provides multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser (“MW-VCSEL”) arrays. These arrays are fabricated in a molecular beam epitaxy system or the like using two patterned-substrate growth techniques. The growth techniques can be used with an in-situ laser reflectometry. In one embodiment, a temperature dependent growth rate to create the devices is provided. In an alternative aspect, uniform growth is performed followed by a temperature-dependent desorption technique. These techniques provided desired wavelength span and desired characteristics.

    摘要翻译： 本发明提供了多波长垂直腔表面发射激光器（“MW-VCSEL”）阵列。 这些阵列使用两种图案化衬底生长技术在分子束外延系统等中制造。 生长技术可以使用原位激光反射计。 在一个实施例中，提供了用于创建装置的温度依赖性增长率。 在另一方面，进行均匀生长，然后进行温度依赖性解吸技术。 这些技术提供了期望的波长范围和期望的特性。

    Lattice-relaxed vertical optical cavities
    4.
    发明授权
    Lattice-relaxed vertical optical cavities 有权
    光栅垂直光学腔

    公开(公告)号：US06366597B1

    公开(公告)日：2002-04-02

    申请号：US09375338

    申请日：1999-08-16

    申请人： Wupen Yuen ,  Gabriel S. Li ,  Contance J. Chang-Hasnain

    发明人： Wupen Yuen ,  Gabriel S. Li ,  Contance J. Chang-Hasnain

    IPC分类号： H01S5183

    CPC分类号： H01S5/18311 ,  H01L33/105 ,  H01S5/0614 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18366 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/4018

    摘要： A monolithic long-wavelength vertical optical cavity device built up along a vertical direction. The device, when designed as a surface emitting laser, has a bottom Distributed Bragg Reflector (DBR), an active region consisting of active bulk medium or quantum wells, a current confinement layer next to the active layer, and a top DBR. The bottom DBR and the active region are lattice matched to the lattice defining material, while the top DBR is lattice relaxed. The design achieves high reflectivity, low absorption and diffraction loss. The design also ensures low production cost due to low precision requirement and wafer size production. The device can be used as a light detector when the active region is replaced by a spacer or a optical filter.

    摘要翻译： 沿垂直方向建立的单片长波长垂直光腔装置。 当设计为表面发射激光器时，该器件具有底部分布布拉格反射器（DBR），由有源体积介质或量子阱组成的有源区域，紧邻有源层的电流限制层和顶部DBR。 底部DBR和有源区域与晶格限定材料进行晶格匹配，而顶部DBR晶格弛豫。 该设计实现了高反射率，低吸收和衍射损耗。 该设计还确保了低精度要求和晶圆尺寸生产的低成本。 当有源区域被间隔物或滤光器代替时，该装置可以用作光检测器。