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    Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method
    1.
    发明授权
    Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method 失效
    使用分离曝光技术的光掩模，光掩模的制造方法以及使用该方法制造光掩模的装置

    公开(公告)号：US07939223B2

    公开(公告)日：2011-05-10

    申请号：US11730454

    申请日：2007-04-02

    申请人： Hak-seung Han ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    发明人： Hak-seung Han ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/36 ,  G03F1/76

    摘要： A method of fabricating a photomask may include forming a light-shielding layer and a first resist film on a substrate, forming a first resist pattern by exposing first exposed regions of the first resist film to a first exposure source that may have a first energy, forming a first light shielding pattern by etching the selectively exposed light-shielding layer by using the first resist pattern as an etching mask, removing the first resist pattern, forming a second resist film on the first light-shielding layer, exposing second exposed regions of the second resist film that may have a desired pattern shape to a second exposure source that may have a second energy, forming a second light shielding pattern by etching the selectively exposed first light shielding pattern by using the second resist pattern as an etching mask, and removing the second resist pattern.

    摘要翻译： 制造光掩模的方法可以包括在基板上形成遮光层和第一抗蚀剂膜，通过将第一抗蚀剂膜的第一曝光区域暴露于可能具有第一能量的第一曝光源形成第一抗蚀剂图案， 通过使用第一抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的遮光层来形成第一遮光图案，去除第一抗蚀剂图案，在第一遮光层上形成第二抗蚀剂膜，暴露第二曝光区域 可以具有期望的图案形状的第二抗蚀剂膜可以具有可以具有第二能量的第二曝光源，通过使用第二抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的第一遮光图案来形成第二遮光图案;以及 去除第二抗蚀剂图案。

    PHOTOMASK USING SEPARATED EXPOSURE TECHNIQUE, METHOD OF FABRICATING PHOTOMASK, AND APPARATUS FOR FABRICATING PHOTOMASK BY USING THE METHOD
    2.
    发明申请
    PHOTOMASK USING SEPARATED EXPOSURE TECHNIQUE, METHOD OF FABRICATING PHOTOMASK, AND APPARATUS FOR FABRICATING PHOTOMASK BY USING THE METHOD 审中-公开
    使用分离曝光技术的光电子产品，制造光致发光材料的方法，以及使用该方法制造光电子产品的装置

    公开(公告)号：US20110244376A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US13102836

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hak-seung HAN ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    发明人： Hak-seung HAN ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03B27/42

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/36 ,  G03F1/76

    摘要： A method of fabricating a photomask may include forming a light-shielding layer and a first resist film on a substrate, forming a first resist pattern by exposing first exposed regions of the first resist film to a first exposure source that may have a first energy, forming a first light shielding pattern by etching the selectively exposed light-shielding layer by using the first resist pattern as an etching mask, removing the first resist pattern, forming a second resist film on the first light-shielding layer, exposing second exposed regions of the second resist film that may have a desired pattern shape to a second exposure source that may have a second energy, forming a second light shielding pattern by etching the selectively exposed first light shielding pattern by using the second resist pattern as an etching mask, and removing the second resist pattern.

    摘要翻译： 制造光掩模的方法可以包括在基板上形成遮光层和第一抗蚀剂膜，通过将第一抗蚀剂膜的第一曝光区域暴露于可能具有第一能量的第一曝光源形成第一抗蚀剂图案， 通过使用第一抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的遮光层来形成第一遮光图案，去除第一抗蚀剂图案，在第一遮光层上形成第二抗蚀剂膜，暴露第二曝光区域 可以具有期望的图案形状的第二抗蚀剂膜可以具有可以具有第二能量的第二曝光源，通过使用第二抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的第一遮光图案来形成第二遮光图案;以及 去除第二抗蚀剂图案。

    Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method
    3.
    发明申请
    Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method 失效
    使用分离曝光技术的光掩模，光掩模的制造方法以及使用该方法制造光掩模的装置

    公开(公告)号：US20070231715A1

    公开(公告)日：2007-10-04

    申请号：US11730454

    申请日：2007-04-02

    申请人： Hak-seung Han ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    发明人： Hak-seung Han ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/36 ,  G03F1/76

    摘要： A method of fabricating a photomask may include forming a light-shielding layer and a first resist film on a substrate, forming a first resist pattern by exposing first exposed regions of the first resist film to a first exposure source that may have a first energy, forming a first, light shielding pattern by etching the selectively exposed light-shielding layer by using the first resist pattern as an etching mask, removing the first resist pattern, forming a second resist film on the first light-shielding layer, exposing second exposed regions of the second resist film that may have a desired pattern shape to a second exposure source that may have a second energy, forming a second light shielding pattern by etching the selectively exposed first light shielding pattern by using the second resist pattern as an etching mask, and removing the second resist pattern.

    摘要翻译： 制造光掩模的方法可以包括在基板上形成遮光层和第一抗蚀剂膜，通过将第一抗蚀剂膜的第一曝光区域暴露于可能具有第一能量的第一曝光源形成第一抗蚀剂图案， 通过使用第一抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的遮光层来形成第一遮光图案，去除第一抗蚀剂图案，在第一遮光层上形成第二抗蚀剂膜，暴露第二曝光区域 可以具有期望的图案形状的第二抗蚀剂膜可以具有可以具有第二能量的第二曝光源，通过使用第二抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻选择性地暴露的第一遮光图案来形成第二遮光图案， 并移除第二抗蚀剂图案。

    Image sensor using light-sensitive device and method of operating the image sensor
    7.
    发明申请
    Image sensor using light-sensitive device and method of operating the image sensor 有权
    使用感光装置的图像传感器和操作图像传感器的方法

    公开(公告)号：US20110242384A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US12923924

    申请日：2010-10-14

    申请人： Ji-hyun Hur ,  Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Sang-hun Jeon

    发明人： Ji-hyun Hur ,  Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Sang-hun Jeon

    IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/0264

    摘要： Provided are an image sensor using a light-sensitive oxide semiconductor material as a light-sensitive device and a method of operating the image sensor for acquiring RGB values of incident light in the image sensor, the image sensor includes an array of a plurality of light-sensing cells wherein each of the light-sensing cells includes a light-sensitive oxide semiconductor layer that forms a channel region of an oxide semiconductor transistor. Electronic characteristics of the light-sensitive oxide semiconductor layer vary according to an amount of light irradiated onto the light-sensitive oxide semiconductor layer. Each of the light-sensing cells constitutes a single unit color pixel.

    摘要翻译： 提供了使用感光氧化物半导体材料作为感光装置的图像传感器和操作用于获取图像传感器中的入射光的RGB值的图像传感器的方法，图像传感器包括多个光的阵列 其中每个感光单元包括形成氧化物半导体晶体管的沟道区的光敏氧化物半导体层。 光敏氧化物半导体层的电子特性根据照射到光敏氧化物半导体层上的光量而变化。 每个感光单元构成单个单色彩像素。

    Method of fabricating Schottky barrier transistor
    8.
    发明授权
    Method of fabricating Schottky barrier transistor 有权
    制造肖特基势垒晶体管的方法

    公开(公告)号：US07674665B2

    公开(公告)日：2010-03-09

    申请号：US12149894

    申请日：2008-05-09

    申请人： Sung-ho Park ,  Jin-seo Noh ,  Joong S. Jeon ,  Eun-ju Bae

    发明人： Sung-ho Park ,  Jin-seo Noh ,  Joong S. Jeon ,  Eun-ju Bae

    IPC分类号： H01L21/338

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7839

    摘要： Provided is a method of fabricating a Schottky barrier transistor. The method includes (a) forming a pair of cavities for forming a source forming portion and a drain forming portion having a predetermined depth and parallel to each other and a channel forming portion having a fin shape between the cavities in a substrate; (b) filling the pair of cavities with a metal; (c) forming a channel, a source, and a drain by patterning the channel forming portion, the source forming portion, and the drain forming portion in a direction perpendicular to a lengthwise direction of the channel forming portion; (d) sequentially forming a gate oxide layer and a gate metal layer that cover the channel, the source, and the drain on the substrate; and (e) forming a gate electrode corresponding to the channel by patterning the gate metal layer, wherein one of the operations (b) through (e) further comprises forming a Schottky barrier by annealing the substrate.

    摘要翻译： 提供了制造肖特基势垒晶体管的方法。 该方法包括：（a）形成用于形成具有预定深度并彼此平行的源极形成部分和漏极形成部分的一对空腔，以及在衬底中的空腔之间具有翅片形状的沟道形成部分; （b）用金属填充一对空腔; （c）通过在垂直于沟道形成部分的长度方向的方向上图形化沟道形成部分，源形成部分和漏极形成部分来形成沟道，源极和漏极; （d）顺序地形成覆盖衬底上的沟道，源极和漏极的栅极氧化物层和栅极金属层; 以及（e）通过对所述栅极金属层进行构图来形成对应于所述沟道的栅电极，其中，所述（b）至（e）中的一个还包括通过使所述衬底退火来形成肖特基势垒。

    System and method for implementing a shared platform or software resource for coupled computing devices
    9.
    发明申请
    System and method for implementing a shared platform or software resource for coupled computing devices 有权
    用于实现用于耦合计算设备的共享平台或软件资源的系统和方法

    公开(公告)号：US20090193155A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12152656

    申请日：2008-05-14

    申请人： Peter Skillman ,  Kevin Michael O'Shaughnessy ,  Sung-ho Park

    发明人： Peter Skillman ,  Kevin Michael O'Shaughnessy ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： G06F3/00

    CPC分类号： G06F9/4411 ,  G06F9/4413 ,  H04M1/72527

    摘要： A computing device includes a communication port, memory resources, and one or more processors. The one or more processors are configured to combine with the memory resources to operate one or more of the plurality of modules. The plurality of modules are operative in order to handle exchange of communications with a primary computer over the communication port. The one or more modules include a first module that is operative in a first communication mode in enabling exchange of communications with the primary computer over the communication port. The exchange of communications causes the primary computer to access and execute one or more autorun files from the computing device. The one or more modules may also include a second module that is operative in a second communication mode to be operative in enabling an alternative function to be performed with or for the primary computer over the communication port.

    摘要翻译： 计算设备包括通信端口，存储器资源以及一个或多个处理器。 一个或多个处理器被配置为与存储器资源组合以操作多个模块中的一个或多个。 多个模块是可操作的，以便通过通信端口处理与主计算机的通信交换。 一个或多个模块包括第一模块，其以第一通信模式操作，以使得能够通过通信端口与主计算机进行通信交换。 通信交换使得主计算机从计算设备访问和执行一个或多个自动运行文件。 一个或多个模块还可以包括第二模块，其以第二通信模式操作，以使得能够通过通信端口执行与主计算机的替代功能。

    Transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors
    10.
    发明授权
    Transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors 有权
    晶体管及其制造方法以及包括晶体管的电子器件

    公开(公告)号：US09117727B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US13099806

    申请日：2011-05-03

    申请人： I-hun Song ,  Yin Huaxiang ,  Sang-hun Jeon ,  Sung-ho Park

    发明人： I-hun Song ,  Yin Huaxiang ,  Sang-hun Jeon ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/00 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14681 ,  H01L27/14692

    摘要： Example embodiments disclose transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors. An active layer of a transistor may include a plurality of material layers (oxide layers) with different energy band gaps. The active layer may include a channel layer and a photo sensing layer. The photo sensing layer may have a single-layered or multi-layered structure. When the photo sensing layer has a multi-layered structure, the photo sensing layer may include a first material layer and a second material layer that are sequentially stacked on a surface of the channel layer. The first layer and the second layer may be alternately stacked one or more times.

    摘要翻译： 示例性实施例公开了晶体管，其制造方法以及包括晶体管的电子器件。 晶体管的有源层可以包括具有不同能带隙的多个材料层（氧化物层）。 有源层可以包括沟道层和感光层。 感光层可以具有单层或多层结构。 当感光层具有多层结构时，感光层可以包括依次层叠在沟道层的表面上的第一材料层和第二材料层。 第一层和第二层可以交替堆叠一次或多次。