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    PHOTOMASK USING SEPARATED EXPOSURE TECHNIQUE, METHOD OF FABRICATING PHOTOMASK, AND APPARATUS FOR FABRICATING PHOTOMASK BY USING THE METHOD
    2.
    发明申请
    PHOTOMASK USING SEPARATED EXPOSURE TECHNIQUE, METHOD OF FABRICATING PHOTOMASK, AND APPARATUS FOR FABRICATING PHOTOMASK BY USING THE METHOD 审中-公开
    使用分离曝光技术的光电子产品，制造光致发光材料的方法，以及使用该方法制造光电子产品的装置

    公开(公告)号：US20110244376A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US13102836

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hak-seung HAN ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    发明人： Hak-seung HAN ,  Seong-woon Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sung-ho Park

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03B27/42

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/36 ,  G03F1/76

    摘要： A method of fabricating a photomask may include forming a light-shielding layer and a first resist film on a substrate, forming a first resist pattern by exposing first exposed regions of the first resist film to a first exposure source that may have a first energy, forming a first light shielding pattern by etching the selectively exposed light-shielding layer by using the first resist pattern as an etching mask, removing the first resist pattern, forming a second resist film on the first light-shielding layer, exposing second exposed regions of the second resist film that may have a desired pattern shape to a second exposure source that may have a second energy, forming a second light shielding pattern by etching the selectively exposed first light shielding pattern by using the second resist pattern as an etching mask, and removing the second resist pattern.

    摘要翻译： 制造光掩模的方法可以包括在基板上形成遮光层和第一抗蚀剂膜，通过将第一抗蚀剂膜的第一曝光区域暴露于可能具有第一能量的第一曝光源形成第一抗蚀剂图案， 通过使用第一抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的遮光层来形成第一遮光图案，去除第一抗蚀剂图案，在第一遮光层上形成第二抗蚀剂膜，暴露第二曝光区域 可以具有期望的图案形状的第二抗蚀剂膜可以具有可以具有第二能量的第二曝光源，通过使用第二抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻选择性地暴露的第一遮光图案来形成第二遮光图案;以及 去除第二抗蚀剂图案。

    Photomask registration errors of which have been corrected and method of correcting registration errors of photomask
    3.
    发明授权
    Photomask registration errors of which have been corrected and method of correcting registration errors of photomask 有权
    已修正光掩模配准错误，修正光掩膜配准错误的方法

    公开(公告)号：US07763397B2

    公开(公告)日：2010-07-27

    申请号：US11591152

    申请日：2006-11-01

    申请人： Myoung-Soo Lee ,  Suk-Jong Bae ,  Jung-Hoon Lee ,  Seong-Woo Choi ,  Byung-Gook Kim

    发明人： Myoung-Soo Lee ,  Suk-Jong Bae ,  Jung-Hoon Lee ,  Seong-Woo Choi ,  Byung-Gook Kim

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/38 ,  G03F1/60

    摘要： Provided are photomask registration errors of which have been corrected and a method of correcting the registration errors of a photomask. The photomask includes a photomask substrate, an optical pattern formed on one surface of the photomask substrate, and a plurality of stress generation portions formed in the photomask substrate. A method of correcting the registration errors of a photomask includes the steps of forming an optical pattern on a photomask substrate, measuring the registration errors of the optical pattern, and forming a plurality of stress generation portions in the photomask substrate so that the stress generation portions correspond to the measured registration errors.

    摘要翻译： 提供了其光掩模配准错误已被校正，以及校正光掩模的配准误差的方法。 光掩模包括光掩模基板，形成在光掩模基板的一个表面上的光学图案，以及形成在光掩模基板中的多个应力产生部。 校正光掩模的配准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图案，测量光学图案的配准误差，以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分 对应于测量的注册错误。

    Photomasks, Methods of Fabricating the Photomasks, and Method of Fabricating Semiconductor Devices by Using the Photomasks
    6.
    发明申请
    Photomasks, Methods of Fabricating the Photomasks, and Method of Fabricating Semiconductor Devices by Using the Photomasks 有权
    光掩模，光掩模的制造方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20160048073A1

    公开(公告)日：2016-02-18

    申请号：US14700175

    申请日：2015-04-30

    申请人： Jung-hwan Lee ,  Byung-gook Kim ,  Sang-hyeon Lee

    发明人： Jung-hwan Lee ,  Byung-gook Kim ,  Sang-hyeon Lee

    IPC分类号： G03F1/76 ,  G03F1/72 ,  G03F1/74 ,  G03F1/78

    CPC分类号： G03F1/74 ,  G03F1/72

    摘要： Provided are photomasks, methods of fabricating the photomasks, and methods of fabricating a semiconductor device by using the photomasks, in which a critical dimension (CD) of a pattern of a specific region of the photomask is corrected to improve the distribution of CDs of the pattern formed on a wafer. The photomasks may include a substrate and a light-blocking pattern formed on the substrate that includes an absorber layer and an anti-reflection coating (ARC) layer. The light-blocking pattern may include at least one of a first corrected area in which a top surface of the absorber layer is exposed, and a second corrected area in which a correction layer is formed on the ARC layer.

    摘要翻译： 提供光掩模，制造光掩模的方法以及通过使用光掩模制造半导体器件的方法，其中校正光掩模的特定区域的图案的临界尺寸（CD）以改善光掩模的CD的分布 图案形成在晶片上。 光掩模可以包括衬底和形成在衬底上的遮光图案，其包括吸收层和抗反射涂层（ARC）层。 遮光图案可以包括其中暴露吸收层的顶表面的第一校正区域和其中在ARC层上形成校正层的第二校正区域中的至少一个。

    Photomasks and methods of fabricating the same
    7.
    发明授权
    Photomasks and methods of fabricating the same 有权
    光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US08592105B2

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US13231313

    申请日：2011-09-13

    申请人： Il-Yong Jang ,  Byung-Gook Kim

    发明人： Il-Yong Jang ,  Byung-Gook Kim

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/54

    摘要： A photomask includes a pattern area and a blind area, a first opaque pattern disposed on the blind area and having a first thickness, and a second opaque pattern disposed on the pattern area and having a second thickness smaller than the first thickness. The first and second opaque patterns are formed of the same material.

    摘要翻译： 光掩模包括图案区域和盲区，设置在盲区上并具有第一厚度的第一不透明图案和布置在图案区域上并且具有小于第一厚度的第二厚度的第二不透明图案。 第一和第二不透明图案由相同的材料形成。

    METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND PHOTOMASK MANUFACTURED USING THE SAME
    8.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND PHOTOMASK MANUFACTURED USING THE SAME 有权
    使用其制造光电子和光电子的方法

    公开(公告)号：US20130143150A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：US13571043

    申请日：2012-08-09

    申请人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

    发明人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

    IPC分类号： G03F1/44

    CPC分类号： G03F1/44

    摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.

    摘要翻译： 光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。 缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。 使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

    FEMTO BASE STATION AND METHOD FOR ALLOCATING RADIO RESOURCE THEREOF
    9.
    发明申请
    FEMTO BASE STATION AND METHOD FOR ALLOCATING RADIO RESOURCE THEREOF 失效
    FEMTO基站和分配无线电资源的方法

    公开(公告)号：US20120127954A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US13381641

    申请日：2009-06-30

    申请人： Jae-Won Lim ,  Jang-Won Lee ,  Jeong-Ahn Kwong ,  Byung-Gook Kim

    发明人： Jae-Won Lim ,  Jang-Won Lee ,  Jeong-Ahn Kwong ,  Byung-Gook Kim

    IPC分类号： H04W72/04 ,  H04W36/08

    CPC分类号： H04W72/082 ,  H04W72/0406 ,  H04W84/045

    摘要： A method for allocating radio resource to one or more first UEs by a femto BS, includes: acquiring information about one or more second UEs which are located within a cell coverage of the femto BS but served by the macro BS; receiving a control channel from the macro BS; acquiring radio resource information allocated to the second UEs by the macro BS from the control channel; and allocating radio resource to the first UEs such that the allocated radio resource does not overlap with radio resource information allocated to the second UEs.

    摘要翻译： 一种用于由毫微微BS分配无线电资源给一个或多个第一UE的方法，包括：获取关于位于毫微微BS的小区覆盖范围但由宏BS服务的一个或多个第二UE的信息; 从宏BS接收控制信道; 从控制信道获取由宏BS分配给第二UE的无线资源信息; 以及向所述第一UE分配无线电资源，使得所分配的无线电资源不与分配给所述第二UE的无线电资源信息重叠。

    METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PHOTOLITHOGRAPHIC SHOT GROUPING
    10.
    发明申请
    METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PHOTOLITHOGRAPHIC SHOT GROUPING 有权
    使用光刻机分组形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20120058432A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：US13219579

    申请日：2011-08-26

    申请人： Jin Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sang-hee Lee

    发明人： Jin Choi ,  Byung-gook Kim ,  Hee-bom Kim ,  Sang-hee Lee

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F1/38 ,  G03F1/70 ,  G03F1/76

    摘要： A method of forming a semiconductor device can include determining a shot set including a plurality of shots, based on a final pattern used to form a mask. Shots included in the plurality shots can be classified as being in a first pass shot set or in a second pass shot set, where each can include a plurality of non-directly neighboring shots. A first pass exposure can be performed to radiate a reticle to provide the first pass shot set and a second pass exposure can be performed to radiate the reticle to provide the second pass shot set.

    摘要翻译： 形成半导体器件的方法可以包括基于用于形成掩模的最终图案来确定包括多个镜头的镜头组。 包括在多个镜头中的拍摄可以被分类为处于第一传球镜头或第二镜头组中的每一个，其中每个镜头可以包括多个非直接相邻镜头。 可以执行第一遍曝光以辐射掩模版以提供第一遍照射设置，并且可以执行第二曝光曝光以辐射掩模版以提供第二遍照射设置。