公开(公告)号：US08116141B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12558627

申请日：2009-09-14

申请人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

发明人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/3427

摘要： A distribution analyzing method for a nonvolatile memory device having memory cells exhibiting overlapping first and second threshold voltage distributions includes; detecting a degree of overlap between the first and second threshold voltage distributions by reading data stored in the memory cells and determining read index data from the read data, and estimating a distribution characteristic for at least one of the overlapping threshold voltage distributions using the read index data.

摘要翻译： 一种具有显示重叠的第一和第二阈值电压分布的存储单元的非易失性存储器件的分布分析方法包括： 通过读取存储在存储单元中的数据并根据读取的数据确定读取的索引数据来检测第一和第二阈值电压分布之间的重叠程度，并且使用读取的索引来估计至少一个重叠阈值电压分布的分布特性 数据。

公开(公告)号：US08331144B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12575735

申请日：2009-10-08

申请人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

发明人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Disclosed is a program method of a non-volatile memory device which comprises classifying plural memory cells into aggressor cells and victim cells based on program data to be written in the plural memory cells; and programming the aggressor cells by a program manner different from the victim cells.

摘要翻译： 本发明公开了一种非易失性存储器件的程序方法，该方法包括：根据要写入多个存储器单元的程序数据，将多个存储单元分为侵略单元和受害单元; 并且通过与受害细胞不同的程序方式对攻击者细胞进行编程。

公开(公告)号：US20100142281A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12575735

申请日：2009-10-08

申请人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

发明人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Disclosed is a program method of a non-volatile memory device which comprises classifying plural memory cells into aggressor cells and victim cells based on program data to be written in the plural memory cells; and programming the aggressor cells by a program manner different from the victim cells.

摘要翻译： 本发明公开了一种非易失性存储器件的程序方法，该方法包括：根据要写入多个存储器单元的程序数据，将多个存储单元分为侵略单元和受害单元; 并且通过与受害细胞不同的程序方式对攻击者细胞进行编程。

公开(公告)号：US08417988B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12784683

申请日：2010-05-21

申请人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

发明人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

IPC分类号： G06F11/26 ,  G06F11/00

CPC分类号： G11C29/82

摘要： Memory systems and related defective block management methods are provided. Methods for managing a defective block in a memory device include allocating a defective block when a memory block satisfies a defective block condition. The allocated defective block is cancelled when the allocated defective block satisfies a defective block cancellation condition.

摘要翻译： 提供了存储器系统和相关的有缺陷的块管理方法。 用于管理存储器件中的缺陷块的方法包括当存储器块满足缺陷块状态时分配缺陷块。 当分配的缺陷块满足缺陷块取消条件时，分配的缺陷块被取消。

公开(公告)号：US08310876B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20100306583A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12784683

申请日：2010-05-21

申请人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

发明人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

IPC分类号： G06F11/20

CPC分类号： G11C29/82

摘要： Memory systems and related defective block management methods are provided. Methods for managing a defective block in a memory device include allocating a defective block when a memory block satisfies a defective block condition. The allocated defective block is cancelled when the allocated defective block satisfies a defective block cancellation condition.

摘要翻译： 提供了存储器系统和相关的有缺陷的块管理方法。 用于管理存储器件中的缺陷块的方法包括当存储器块满足缺陷块状态时分配缺陷块。 当分配的缺陷块满足缺陷块取消条件时，分配的缺陷块被取消。

公开(公告)号：US20100265764A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20100241928A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12716793

申请日：2010-03-03

申请人： Jaehong Kim ,  Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  Seung-Hwan Song

发明人： Jaehong Kim ,  Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： H03M13/618 ,  G06F11/1012 ,  H03M13/13 ,  H03M13/353 ,  H03M13/3738 ,  H03M13/6356 ,  H03M13/6362

摘要： A data processing system includes an error checking and correction (ECC) encoding circuit, an integrated circuit memory and a code rate control circuit. The ECC encoding circuit is configured to selectively apply a plurality of unique ECC code rates to write data received by the data processing system during an operation to convert the write data into encoded data, in response to a code rate selection signal. The integrated circuit memory includes a plurality of storage regions therein. These storage regions are configured to receive respective portions of the encoded data from the ECC encoding circuit. The code rate control circuit is configured to generate the code rate selection signal. This code rate selection signal has a value that specifies the corresponding ECC code rate to be applied to respective portions of the write data.

摘要翻译： 数据处理系统包括纠错（ECC）编码电路，集成电路存储器和码率控制电路。 ECC编码电路被配置为响应于码率选择信号，在操作期间选择性地应用多个唯一ECC码率来写入由数据处理系统接收的数据，以将写入数据转换为编码数据。 集成电路存储器包括多个存储区域。 这些存储区域被配置为从ECC编码电路接收编码数据的相应部分。 码率控制电路被配置为产生码率选择信号。 该码率选择信号具有指定应用于写入数据的各个部分的相应的ECC码率的值。

公开(公告)号：US08751900B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13106892

申请日：2011-05-13

申请人： Yong June Kim ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi ,  Junjin Kong ,  Yongtaew Yim ,  Jaehong Kim ,  KyoungLae Cho ,  Wootae Chang

发明人： Yong June Kim ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi ,  Junjin Kong ,  Yongtaew Yim ,  Jaehong Kim ,  KyoungLae Cho ,  Wootae Chang

IPC分类号： G11C29/00 ,  H03M13/00

CPC分类号： G06F11/106 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/136 ,  H03M13/152 ,  H03M13/155 ,  H03M13/2909 ,  H03M13/618

摘要： A storage device includes a non-volatile memory device outputting read data from a source area and a memory controller configured to execute an ECC operation on a plurality of vectors in the read data and to write the error-corrected read data into target area of the non-volatile memory device. The memory controller declares that a vector corresponding to a clean area is decoding pass without using a flag bit among the plurality of vectors during the error correction operation.

摘要翻译： 存储装置包括从源区域输出读取数据的非易失性存储器装置和被配置为对读取数据中的多个向量执行ECC操作并将经纠错的读取数据写入到目标区域中的存储器控​​制器 非易失性存储器件。 存储器控制器声明对应于清洁区域的矢量是在纠错操作期间不使用多个矢量中的标志位的解码通过。

公开(公告)号：US09100054B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13414002

申请日：2012-03-07

申请人： Kijun Lee ,  Junjin Kong ,  Sejin Lim ,  Jaehong Kim ,  Hong-Rak Son ,  Yong-June Kim

发明人： Kijun Lee ,  Junjin Kong ,  Sejin Lim ,  Jaehong Kim ,  Hong-Rak Son ,  Yong-June Kim

IPC分类号： H03M13/29 ,  H03M13/37 ,  H03M13/33 ,  H03M13/09 ,  H03M13/11 ,  H03M13/15

CPC分类号： H03M13/2906 ,  H03M13/09 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/152 ,  H03M13/2933 ,  H03M13/2957 ,  H03M13/3738

摘要： A method may be provided to detect and correct data errors in a data system where a data message has been encoded with outer parity bits based on the data message using an outer encoding technique to provide an outer codeword and with inner parity bits based on the outer codeword using an inner encoding technique different than the outer encoding technique to provide an inner codeword. The method may include using the inner parity bits and an inner decoding technique corresponding to the inner encoding technique to perform inner decoding of the inner codeword. Responsive to performing inner decoding of the inner codeword without error, the data message may be extracted from a result of inner decoding the inner codeword without using the outer parity bits to decode the result of inner decoding the inner codeword. Related systems are also discussed.

摘要翻译： 可以提供一种方法来检测和校正数据系统中的数据错误，其中数据消息已经使用外部奇偶校验比特基于数据消息使用外部编码技术进行编码，以提供外部码字，并且具有基于外部奇偶校验位的内部奇偶校验位 码字使用与外部编码技术不同的内部编码技术来提供内部码字。 该方法可以包括使用内部奇偶校验位和对应于内部编码技术的内部解码技术来执行内部码字的内部解码。 响应于无误地执行内部码字的内部解码，可以从内部码字的内部解码的结果中提取数据消息，而不使用外部奇偶校验位来解码内​​部码字的内部解码结果。 还讨论了相关系统。