利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

69 条记录 (耗时 0.037 秒)

    Methods and apparatus for programming multiple program values per signal level in flash memories
    5.
    发明授权
    Methods and apparatus for programming multiple program values per signal level in flash memories 有权
    闪存中每个信号电平编程多个程序值的方法和装置

    公开(公告)号：US08634250B2

    公开(公告)日：2014-01-21

    申请号：US13001295

    申请日：2009-07-21

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

    摘要： Methods and apparatus are provided for programming multiple program values per signal level in flash memories. A flash memory device having a plurality of program values is programmed by programming the flash memory device for a given signal level, wherein the programming step comprises a programming phase and a plurality of verify phases. In another variation, a flash memory device having a plurality of program values is programmed, and the programming step comprises a programming phase and a plurality of verify phases, wherein at least one signal level comprises a plurality of the program values. The signal levels or the program values (or both) can be represented using one or more of a voltage, a current and a resistance.

    摘要翻译： 提供了用于在闪速存储器中编程每个信号电平的多个程序值的方法和装置。 具有多个编程值的闪速存储器件通过针对给定的信号电平对闪速存储器件进行编程来编程，其中编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段。 在另一个实施例中，编程具有多个编程值的闪速存储器件，并且编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段，其中至少一个信号电平包括多个程序值。 可以使用电压，电流和电阻中的一个或多个来表示信号电平或程序值（或两者）。

    Methods and apparatus for write-side intercell interference mitigation in flash memories
    6.
    发明授权
    Methods and apparatus for write-side intercell interference mitigation in flash memories 失效
    Flash存储器中写入侧小区间干扰减轻的方法和装置

    公开(公告)号：US08526230B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13001286

    申请日：2009-06-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418

    摘要： Methods and apparatus are provided for write-side intercell interference mitigation in flash memories. A flash memory device is written by obtaining program data to be written to at least one target cell in the flash memory; obtaining one or more bits of program data for at least one aggressor cell to be programmed later than the target cell: and precompensating for intercell interference for the target cell by generating precompensated program values. The aggressor cells comprise one or more cells adjacent to the target cell, such as adjacent cells in a same wordline as the target cell and/or cells in an upper or lower adjacent wordline to the target cell. The precompensated program values for the target cell are optionally provided to the flash memory.

    摘要翻译： 提供了用于闪存中的写侧小区间干扰减轻的方法和装置。 通过获得写入到闪速存储器中的至少一个目标单元的程序数据来写入闪速存储器件; 为至少一个侵略者单元获得待编程的比目标小区晚的一个或多个程序数据位;并且通过产生预补偿的程序值来预补偿目标小区的小区间干扰。 侵略者细胞包括与靶细胞相邻的一个或多个细胞，例如与靶细胞相同的字线中的相邻细胞和/或与靶细胞的上或下相邻字线中的细胞。 目标单元的预补偿程序值可选地提供给闪存。

    Methods and apparatus for soft data generation for memory devices
    8.
    发明授权
    Methods and apparatus for soft data generation for memory devices 有权
    用于存储器件的软数据生成的方法和装置

    公开(公告)号：US08830748B2

    公开(公告)日：2014-09-09

    申请号：US13063888

    申请日：2009-09-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Clifton Williamson ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Clifton Williamson ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/2022 ,  G11C7/02 ,  G11C7/04 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5634

    摘要： Methods and apparatus are provided for soft data generation for memory devices. At least one soft data value is generated for a memory device, by obtaining at least one hard read value; and generating the soft data value associated with the at least one hard read value based on statistics for reading the hard read value. The hard read value may be one or more of data bits, voltage levels, current levels and resistance levels. The generated soft data value may be one or more of (i) a soft read value that is used to generate one or more log likelihood ratios, and (ii) one or more log likelihood ratios. The statistics comprise one or more of bit-based statistics and cell-based statistics. The statistics may also optionally comprise pattern-dependent disturbance of at least one aggressor cell on the target cell, as well as location-specific statistics. At least one soft data value can be generated for a memory device, by obtaining a soft read value; and generating the soft data value associated with the soft read value based on statistics for reading the soft read value, wherein the statistics comprise one or more of location-specific statistics and pattern-dependent statistics.

    摘要翻译： 提供了用于存储器件的软数据生成的方法和装置。 通过获得至少一个硬读取值，为存储器件生成至少一个软数据值; 以及基于用于读取硬读取值的统计量来生成与所述至少一个硬读取值相关联的软数据值。 硬读取值可以是数据位，电压电平，电流电平和电阻电平中的一个或多个。 所产生的软数据值可以是（i）用于产生一个或多个对数似然比的软读取值的一个或多个，以及（ii）一个或多个对数似然比。 统计信息包括基于位的统计信息和基于单元的统计信息中的一个或多个。 统计还可以任选地包括目标小区上的至少一个攻击者小区的模式相关干扰，以及位置特定统计。 可以通过获得软读取值来为存储器件生成至少一个软数据值; 以及基于用于读取所述软读取值的统计信息来生成与所述软读取值相关联的软数据值，其中所述统计信息包括位置特定统计信息和模式相关统计信息中的一个或多个。

    Methods and Apparatus for Write-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories
    10.
    发明申请
    Methods and Apparatus for Write-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories 失效
    闪存中写入端间干扰减轻的方法和装置

    公开(公告)号：US20110149657A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US13001286

    申请日：2009-06-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418

    摘要： Methods and apparatus are provided for write-side intercell interference mitigation in flash memories. A flash memory device is written by obtaining program data to be written to at least one target cell in the flash memory; obtaining one or more bits of program data for at least one aggressor cell to be programmed later than the target cell: and precompensating for intercell interference for the target cell by generating precompensated program values. The aggressor cells comprise one or more cells adjacent to the target cell, such as adjacent cells in a same wordline as the target cell and/or cells in an upper or lower adjacent wordline to the target cell. The precompensated program values for the target cell are optionally provided to the flash memory.

    摘要翻译： 提供了用于闪存中的写侧小区间干扰减轻的方法和装置。 通过获得写入到闪速存储器中的至少一个目标单元的程序数据来写入闪速存储器件; 为至少一个侵略者单元获得待编程的比目标小区晚的一个或多个程序数据位;并且通过产生预补偿的程序值来预补偿目标小区的小区间干扰。 侵略者细胞包括与靶细胞相邻的一个或多个细胞，例如与靶细胞相同的字线中的相邻细胞和/或与靶细胞的上或下相邻字线中的细胞。 目标单元的预补偿程序值可选地提供给闪存。