公开(公告)号：US20110193084A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13123072

申请日：2009-11-04

申请人： Heiko Thiem ,  Juergen Steiger ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yilmaz Aksu ,  Stefan Schutte ,  Matthias Driess

发明人： Heiko Thiem ,  Juergen Steiger ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yilmaz Aksu ,  Stefan Schutte ,  Matthias Driess

IPC分类号： H01L29/22 ,  C09D7/00 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C16/06 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1295

摘要： The present invention relates to formulations comprising a) at least two different ZnO cubanes of which at least one ZnO cubane is present in solid form under SATP conditions and at least one ZnO cubane is present in liquid form under SATP conditions, and b) at least one solvent, to processes for producing semiconductive ZnO layers from these formulations, to the use of the formulations for producing electronic components and to the electronic components themselves.

摘要翻译： 本发明涉及包含a）至少两种不同的ZnO立方体，其中在SATP条件下至少一种ZnO立方体以固体形式存在，并且至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液体形式存在，以及b）至少 一种溶剂，用于从这些配方生产半导体ZnO层的方法，以及用于制备电子部件的配方和电子部件本身的使用。

公开(公告)号：US08889476B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13123072

申请日：2009-11-04

申请人： Heiko Thiem ,  Juergen Steiger ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yilmaz Aksu ,  Stefan Schutte ,  Matthias Driess

发明人： Heiko Thiem ,  Juergen Steiger ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yilmaz Aksu ,  Stefan Schutte ,  Matthias Driess

IPC分类号： H01L21/36 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C16/06 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1295

摘要： The present invention relates to formulations comprising a) at least two different ZnO cubanes of which at least one ZnO cubane is present in solid form under SATP conditions and at least one ZnO cubane is present in liquid form under SATP conditions, and b) at least one solvent, to processes for producing semiconductive ZnO layers from these formulations, to the use of the formulations for producing electronic components and to the electronic components themselves.

摘要翻译： 本发明涉及包含a）至少两种不同的ZnO立方体，其中在SATP条件下至少一种ZnO立方体以固体形式存在，并且至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液体形式存在，以及b）至少 一种溶剂，用于从这些配方生产半导体ZnO层的方法，以及用于制备电子部件的配方和电子部件本身的使用。

公开(公告)号：US20130104773A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13809423

申请日：2011-07-12

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： C07F5/00

CPC分类号： C07F5/003 ,  C07C31/28 ,  C09D1/00 ,  C23C18/1216

摘要： The present invention relates to halogenated indium oxo alkoxides of the generic formula In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x where R=C1-C15-alkyl, C1-C15-alkenyl, C1-C15-alkynyl, C1-C15-alkoxyalkyl, C6-C15-aryl- or C7-C15-alkoxyaryl, X=F, Cl, Br, I and x=0 to 10, to processes for preparation thereof and to use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及通式为InO 2 O（OH）（OR）12 X 4（ROH）x的卤代卤代烷氧基化物，其中R = C 1 -C 15 - 烷基，C 1 -C 15 - 烯基，C 1 -C 15 - 炔基，C 1 -C 15 - 烷氧基烷基，C 6 -C 15 - 芳基 - 或C 7 -C 15 - 烷氧基芳基，X = F，Cl，Br，I和x = 0至10，用于其制备和使用。

公开(公告)号：US20110315982A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13201107

申请日：2010-02-05

申请人： Arne Hoppe ,  Alexey Merkulov ,  Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Heiko Thiem

发明人： Arne Hoppe ,  Alexey Merkulov ,  Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Heiko Thiem

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L29/24

CPC分类号： C23C18/1216

摘要： The present invention relates to a process for producing semiconductive indium oxide layers, in which a substrate is coated with a liquid, anhydrous composition comprising a) at least one indium alkoxide and b) at least one solvent, optionally dried and thermally treated at temperatures greater than 250° C., to the layers producible by this process, and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产半导体氧化铟层的方法，其中衬底被涂覆有液体，无水组合物，其包含a）至少一种铟醇盐和b）至少一种溶剂，任选地在更大的温度下进行干燥和热处理 超过250℃，可通过该方法生产的层及其用途。

公开(公告)号：US09115422B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13148967

申请日：2010-02-05

申请人： Juergen Steiger ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Arne Hoppe

IPC分类号： H01B1/02 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/125

摘要： The present invention relates to a liquid indium alkoxide-containing composition comprising at least one indium alkoxide and at least three solvents L1, L2 and L3, in which the solvent L1 is selected from the group consisting of ethyl lactate, anisole, tetrahydrofurfuryl alcohol, butyl acetate, ethylene glycol diacetate and ethyl benzoate, and the difference between the boiling points of the two solvents L2 and L3 under SATP conditions is at least 30° C., to processes for preparation thereof and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及含有至少一种铟醇盐和至少三种溶剂L1，L2和L3的液态含铟醇盐的组合物，其中溶剂L1选自乳酸乙酯，苯甲醚，四氢糠醇，丁基 乙酸酯，乙二醇二乙酸酯和苯甲酸乙酯，并且在SATP条件下两种溶剂L2和L3的沸点之间的差异为至少30℃，其制备方法及其用途。

公开(公告)号：US20120181488A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13390840

申请日：2010-08-13

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： H01B1/08 ,  B05D5/00 ,  B05D1/18 ,  B05D3/06 ,  B05D3/12 ,  B05D1/02 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  B05D1/30

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/1258

摘要： The invention relates to a liquid-phase method for producing metal oxide-containing layers from nonaqueous solution. In said method, an anhydrous composition containing i) at least one metal oxo-alkoxide of generic formula MxOy(OR)z[O(R′O)cH]aXb[R″OH]d, where M=In, Ga, Sn, and/or Zn, x=3-25, y=1-10, z=3-50, a=0-25, b=0-20, c=0-1, d=0-25, R, R′, R″=organic group, X═F, Cl, Br, I, and ii) at least one solvent is applied to a substrate, is optionally dried, and is converted into a metal oxide-containing layer. The invention also relates to the layers that can be produced using the method of the invention and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种从非水溶液中生产含金属氧化物的层的液相方法。 在所述方法中，无水组合物含有i）至少一种通式为MxOy（OR）z [O（R'O）cH] aXb [R“OH] d的金属氧代 - 醇盐，其中M = In，Ga，Sn ，和/或Zn，x = 3-25，y = 1-10，z = 3-50，a = 0-25，b = 0-20，c = 0-1，d = 0-25，R， R'，R“=有机基团，X = F，Cl，Br，I和ii）将至少一种溶剂施加到基材上，任选地干燥，并转化为含金属氧化物的层。 本发明还涉及可以使用本发明的方法生产的层及其用途。

公开(公告)号：US20130221352A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13884495

申请日：2011-10-26

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/22 ,  H01L29/43 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/02628 ,  C23C18/1216 ,  H01L21/288 ,  H01L29/22 ,  H01L29/43

摘要： The present invention relates to a liquid phase process for producing indium oxide-containing layers, in which a coating composition preparable from a mixture comprising at least one indium oxide precursor and at least one solvent and/or dispersion medium, in the sequence of points a) to d), a) is applied to a substrate, and b) the composition applied to the substrate is irradiated with electromagnetic radiation, c) optionally dried and d) converted thermally into an indium oxide-containing layer, where the indium oxide precursor is an indium halogen alkoxide of the generic formula InX(OR)2 where R is an alkyl radical and/or alkoxyalkyl radical and X is F, Cl, Br or I and the irradiation is carried out with electromagnetic radiation having significant fractions of radiation in the range of 170-210 nm and of 250-258 nm, to the indium oxide-containing layers producible with the process, and the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生产含氧化铟的层的液相方法，其中可以从包含至少一种氧化铟前体和至少一种溶剂和/或分散介质的混合物制备的涂料组合物以点a ）至d），a）施加到基底上，b）用电磁辐射照射施加到基底上的组合物，c）任选干燥，d）热转换成含氧化铟的层，其中氧化铟前体 是通式为InX（OR）2的卤素烷氧化物，其中R是烷基和/或烷氧基烷基，X是F，Cl，Br或I，并且用具有显着部分辐射的电磁辐射进行照射 170-210nm和250-258nm的范围，与该方法可生产的含氧化铟的层及其用途。

公开(公告)号：US09315901B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13391114

申请日：2010-08-13

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/1258

摘要： The present invention relates to a liquid phase process for producing indium oxide-containing layers from nonaqueous solution, in which an anhydrous composition containing at least one indium oxo alkoxide of the generic formula MxOy(OR)z[O(R′O)cH]aXb[R″OH]d where x=3-25, y=1-10, z=3-50, a=0-25, b=0-20, c=0-1, d=0-25, M=In, R, R′, R″=organic radical, X=F, Cl, Br, I and at least one solvent are applied to a substrate, optionally dried, and converted to an indium oxide-containing layer, to the layers producible by the process according to the invention and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种从非水溶液制备含氧化铟含量层的液相方法，其中含有至少一种通式M x O y（OR）z [O（R'O）c H] aXb [R“OH] d，其中x = 3-25，y = 1-10，z = 3-50，a = 0-25，b = 0-20，c = 0-1，d = M = In，R，R'，R“=有机基团，X = F，Cl，Br，I和至少一种溶剂施加到基材上，任选地干燥，并转化为含氧化铟的层， 可通过本发明方法生产的层及其用途。

公开(公告)号：US09309595B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US13390840

申请日：2010-08-13

申请人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

发明人： Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Heiko Thiem ,  Alexey Merkulov ,  Arne Hoppe

IPC分类号： C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C23C18/1258

摘要： The invention relates to a liquid-phase method for producing metal oxide-containing layers from nonaqueous solution. In said method, an anhydrous composition containing i) at least one metal oxo-alkoxide of generic formula MxOy(OR)z[O(R′O)cH]aXb[R″OH]d, where M=In, Ga, Sn, and/or Zn, x=3-25, y=1-10, z=3-50, a=0-25, b=0-20, c=0-1, d=0-25, R, R′, R″=organic group, X═F, Cl, Br, I, and ii) at least one solvent is applied to a substrate, is optionally dried, and is converted into a metal oxide-containing layer. The invention also relates to the layers that can be produced using the method of the invention and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种从非水溶液中生产含金属氧化物的层的液相方法。 在所述方法中，无水组合物含有i）至少一种通式为MxOy（OR）z [O（R'O）cH] aXb [R“OH] d的金属氧代 - 醇盐，其中M = In，Ga，Sn ，和/或Zn，x = 3-25，y = 1-10，z = 3-50，a = 0-25，b = 0-20，c = 0-1，d = 0-25，R， R'，R“=有机基团，X = F，Cl，Br，I和ii）将至少一种溶剂施加到基材上，任选地干燥，并转化为含金属氧化物的层。 本发明还涉及可以使用本发明的方法生产的层及其用途。

公开(公告)号：US09194046B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13201107

申请日：2010-02-05

申请人： Arne Hoppe ,  Alexey Merkulov ,  Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Heiko Thiem

发明人： Arne Hoppe ,  Alexey Merkulov ,  Juergen Steiger ,  Duy Vu Pham ,  Yvonne Damaschek ,  Heiko Thiem

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L21/44 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1216

摘要： The present invention relates to a process for producing semiconductive indium oxide layers, in which a substrate is coated with a liquid, anhydrous composition comprising a) at least one indium alkoxide and b) at least one solvent, optionally dried and thermally treated at temperatures greater than 250° C., to the layers producible by this process, and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产半导体氧化铟层的方法，其中衬底被涂覆有液体，无水组合物，其包含a）至少一种铟醇盐和b）至少一种溶剂，任选地在更大的温度下进行干燥和热处理 超过250℃，可通过该方法生产的层及其用途。