公开(公告)号：US06642163B2

公开(公告)日：2003-11-04

申请号：US10034071

申请日：2001-12-20

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C03C3102

CPC分类号： H01J29/863 ,  C03C3/105 ,  C03C4/087

摘要： A CRT funnel of a non beam-index type is made of a lead glass which contains 10-30 mass % of PbO and has an X-ray absorption coefficient of 40 cm−1 or more at 0.6 Å. The lead glass further contains Sb2O3 and an additive including at least one of CeO2 and SnO2. In case where the additive includes CeO2, it is preferable that the content of CeO2 is not smaller than 0.01 mass % and is smaller than 0.5 mass %. In case where the additive includes SnO2, the content of SnO2 preferably falls within a range of 0.001-2 mass %.

摘要翻译： 非光束折射型的CRT漏斗由铅玻璃制成，铅玻璃含有10-30质量％的PbO，并且在0.6埃处具有40cm -1以上的X射线吸收系数。 铅玻璃还含有Sb 2 O 3和包含CeO 2和SnO 2中的至少一种的添加剂。 在添加剂含有CeO 2的情况下，优选CeO 2的含量为0.01质量％以上且小于0.5质量％。 在添加剂含有SnO 2的情况下，SnO 2的含量优选为0.001〜2质量％的范围。

公开(公告)号：US06865909B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10886354

申请日：2004-07-07

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C03C4/08 ,  C03C3/105 ,  H01J29/86 ,  C03C23/00 ,  H01J9/50

CPC分类号： H01J29/863 ,  C03C3/105

摘要： A method for producing CRT funnel glass having a glass composition containing MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO as essential components. Further, the total content of MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO falls within a range of 5 to 13 mass %. As a glass material of the CRT funnel glass, CRT panel glass or CRT neck glass may be used. The method comprises preparing the glass material so as to contain MgO, CaO, SrO, BaO, and ZnO as essential components and so that the total content of MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO falls within a range of 5 to 13 mass %; and melting the glass material.

摘要翻译： 一种制造具有含有MgO，CaO，SrO，BaO和ZnO作为必要成分的玻璃组合物的CRT漏斗玻璃的方法。 此外，MgO，CaO，SrO，BaO和ZnO的总含量在5〜13质量％的范围内。 作为CRT漏斗玻璃的玻璃材料，可以使用CRT面板玻璃或CRT颈部玻璃。 该方法包括制备玻璃材料以便含有MgO，CaO，SrO，BaO和ZnO作为必要成分，使MgO + CaO + SrO + BaO + ZnO的总含量在5〜13质量％的范围内 ; 并熔化玻璃材料。

公开(公告)号：US06822383B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US09939897

申请日：2001-08-27

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： H01J3100

CPC分类号： C03C3/078 ,  C03C4/087 ,  H01J29/863 ,  H01J2229/8613

摘要： In order to suppress production of devitrifying stones such as barium disilicate and strontium silicate and to achieve a high X-ray absorbability, a CRT panel glass does not substantially contain PbO and contains, in mass percent, 9-9.5% SrO and 8.5-9% BaO. In addition, the value of SrO/(SrO+BaO) is set to 0.50-0.53. Therefore, the CRT panel glass has an X-ray absorption coefficient of 28.0 cm−1 or more at 0.6 Å.

摘要翻译： 为了抑制二硅酸钡和硅酸锶等失透石的产生，并且为了获得高X射线吸收性，CRT面板玻璃基本上不含有PbO，以质量％计含有9-9.5％的SrO和8.5-9 ％宝。 另外SrO /（SrO + BaO）的值设定为0.50-0.53。 因此，CRT面板玻璃在0.6A处的X射线吸收系数为28.0cm -1以上。

公开(公告)号：US06820443B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10192071

申请日：2002-07-10

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C03C2900

CPC分类号： H01J29/863 ,  C03C3/105

摘要： On producing CRT funnel glass from CRT panel glass or CRT frit, Fe2O3 is added in a range of 0.05 to 1 mass % so that the fluctuation of transmittance of light having a wavelength of 1,050 nm becomes 10% or less, at a thickness of 10 mm of the produced CRT funnel glass.

摘要翻译： 在从CRT面板玻璃或CRT玻璃料制造CRT漏斗玻璃时，以0.05〜1质量％的范围添加Fe2O3，使得波长为1050nm的光的透射率的变化为10％以下，厚度为10 所制造的CRT漏斗玻璃的mm。

公开(公告)号：US06956000B2

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：US10277883

申请日：2002-10-23

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C03C4/08 ,  C03C3/078 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/095 ,  H01J29/86

CPC分类号： C03C3/085

摘要： Panel glass, for a cathode ray tube, which has an SrO/(SrO+BaO) ratio of from 0.35 to 0.70, an X-ray absorption coefficient of 36.0 cm−1 or more at the wavelength of 0.6 angstrom, wherein Na2O/R2O, K2O/R2O and Li2O/R2O (R2O: Na2O+K2O+Li2O) molar ratios fall within a range surrounded by the points A (0, 0.2, 0.8), B (0.2, 0.2, 0.6), C (0.4, 0.6, 0), D (0.2, 0.8, 0) and E (0, 0.4, 0.6) in the ternary phase diagram as shown in FIG. 1.

摘要翻译： 用于阴极射线管的面板玻璃，其SrO /（SrO + BaO）比为0.35-0.70，X射线吸收系数为36.0cm -1以上的波长 0.6埃，其中Na 2 O / R 2 O，K 2 O / R 2 O和Li < O 2 R 2 O 2（R 2 O 2 Na 2 O + K 2 O 2） （O，Li，O）O摩尔比落在由点A（0,0.2,0.8），B（0.2,0.2,0.6），C（0.4,0.6,0）所包围的范围内， ，D（0.2,0.8,0）和E（0,0.4,0.6），如图3所示。 1。

公开(公告)号：US20050054513A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10966214

申请日：2004-10-15

申请人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Hiroshi Komori ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C03C4/02 ,  C03C3/105 ,  C03C4/08 ,  H01J9/24 ,  H01J29/86 ,  C03C3/085 ,  C03C3/102

CPC分类号： H01J29/863 ,  C03C3/105

摘要： On producing CRT funnel glass from CRT panel glass or CRT frit, Fe2O3 is added in a range of 0.05 to 1 mass % so that the fluctuation of transmittance of light having a wavelength of 1,050 nm becomes 10% or less, at a thickness of 10 mm of the produced CRT funnel glass.

摘要翻译： 在从CRT面板玻璃或CRT玻璃料制造CRT漏斗玻璃时，以0.05〜1质量％的范围添加Fe2O3，使得波长为1050nm的光的透射率的变化为10％以下，厚度为10 所制造的CRT漏斗玻璃的mm。

公开(公告)号：US08339240B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12503998

申请日：2009-07-16

申请人： Makoto Aikawa ,  Shoko Hatanaka ,  Takeshi Inoue ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Makoto Aikawa ,  Shoko Hatanaka ,  Takeshi Inoue ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G07C9/00087 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/40145 ,  G07F7/1008 ,  G07F7/1083

摘要： A semiconductor element or mobile terminal stores a user's biometric information pattern used for execution of a biometric authentication process and the residual number of trials indicating the number of allowed failures in the biometric authentication process, sends processing data to an external device so that the external device can use the processing data when the external device executes part of the biometric authentication process, and decreases the residual number of trials by a predetermined value while the processing data is output to the external device after start of communication with the external device.

摘要翻译： 半导体元件或移动终端存储用于生物认证处理的执行的用户的生物体信息模式和表示生物体认证处理中允许的失败次数的剩余次数，将处理数据发送到外部设备，使得外部设备 当外部设备执行部分生物认证处理时，可以使用处理数据，并且在开始与外部设备通信之后将处理数据输出到外部设备，将剩余的试验次数减少预定值。

公开(公告)号：US20110214815A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13113330

申请日：2011-05-23

申请人： Akira Koshiishi ,  Masaru Sugimoto ,  Kunihiko Hinata ,  Noriyuki Kobayashi ,  Chishio Koshimizu ,  Ryuji Ohtani ,  Kazuo Kibi ,  Masashi Saito ,  Naoki Matsumoto ,  Manabu Iwata ,  Daisuke Yano ,  Yohei Yamazawa ,  Hidetoshi Hanaoka ,  Toshihiro Hayami ,  Hiroki Yamazaki ,  Manabu Sato

发明人： Akira Koshiishi ,  Masaru Sugimoto ,  Kunihiko Hinata ,  Noriyuki Kobayashi ,  Chishio Koshimizu ,  Ryuji Ohtani ,  Kazuo Kibi ,  Masashi Saito ,  Naoki Matsumoto ,  Manabu Iwata ,  Daisuke Yano ,  Yohei Yamazawa ,  Hidetoshi Hanaoka ,  Toshihiro Hayami ,  Hiroki Yamazaki ,  Manabu Sato

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

摘要： An apparatus includes an upper electrode and a lower electrode for supporting a wafer disposed opposite each other within a process chamber. A first RF power supply configured to apply a first RF power having a relatively higher frequency, and a second RF power supply configured to apply a second RF power having a relatively lower frequency is connected to the lower electrode. A variable DC power supply is connected to the upper electrode. A process gas is supplied into the process chamber to generate plasma of the process gas so as to perform plasma etching.

摘要翻译： 一种装置包括用于支撑在处理室内相对设置的晶片的上电极和下电极。 被配置为施加具有相对较高频率的第一RF功率的第一RF电源和被配置为施加具有相对较低频率的第二RF功率的第二RF电源连接到下电极。 可变直流电源连接到上电极。 将工艺气体供应到处理室中以产生处理气体的等离子体，以进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：US07988816B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11157061

申请日：2005-06-21

申请人： Akira Koshiishi ,  Masaru Sugimoto ,  Kunihiko Hinata ,  Noriyuki Kobayashi ,  Chishio Koshimizu ,  Ryuji Ohtani ,  Kazuo Kibi ,  Masashi Saito ,  Naoki Matsumoto ,  Yoshinobu Ooya ,  Manabu Iwata ,  Daisuke Yano ,  Yohei Yamazawa ,  Hidetoshi Hanaoka ,  Toshihiro Hayami ,  Hiroki Yamazaki ,  Manabu Sato

发明人： Akira Koshiishi ,  Masaru Sugimoto ,  Kunihiko Hinata ,  Noriyuki Kobayashi ,  Chishio Koshimizu ,  Ryuji Ohtani ,  Kazuo Kibi ,  Masashi Saito ,  Naoki Matsumoto ,  Yoshinobu Ooya ,  Manabu Iwata ,  Daisuke Yano ,  Yohei Yamazawa ,  Hidetoshi Hanaoka ,  Toshihiro Hayami ,  Hiroki Yamazaki ,  Manabu Sato

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  H05B31/26

CPC分类号： H01J37/32422 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/67069 ,  Y10S156/915

摘要： A plasma etching apparatus includes an upper electrode and a lower electrode, between which plasma of a process gas is generated to perform plasma etching on a wafer W. The apparatus further comprises a cooling ring disposed around the wafer, a correction ring disposed around the cooling ring, and a variable DC power supply directly connected to the correction ring, the DC voltage being preset to provide the correction ring with a negative bias, relative to ground potential, for attracting ions in the plasma and to increase temperature of the correction ring to compensate for a decrease in temperature of a space near the edge of the target substrate due to the cooling ring.

摘要翻译： 等离子体蚀刻装置包括上电极和下电极，在其间产生处理气体的等离子体以在晶片W上进行等离子体蚀刻。该装置还包括设置在晶片周围的冷却环，设置在冷却周围的校正环 环和直接连接到校正环的可变直流电源，所述直流电压被预设为向校正环提供相对于地电位的负偏压，用于吸引等离子体中的离子并将校正环的温度增加到 补偿由于冷却环导致的目标基板的边缘附近的空间的温度的降低。

公开(公告)号：US20090305254A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12162008

申请日：2007-01-24

申请人： Koji Sode ,  Kazunori Ikebukuro ,  Hiroki Yamazaki

发明人： Koji Sode ,  Kazunori Ikebukuro ,  Hiroki Yamazaki

IPC分类号： C12Q1/68 ,  C12M1/34

CPC分类号： G01N33/5308 ,  C12Q1/6825 ,  G01N33/58 ,  C12Q2565/628 ,  C12Q2565/518 ,  C12Q2525/205

摘要： Disclosed are a method for assaying a target substance in a sample and an apparatus for the method. The method can specifically assay the target substance in the sample without using any antibody against the target substance. The assaying method includes simultaneously or successively bringing a labeled aptamer, the target substance in the sample and a solid phase into contact together, and then measuring the label of the aptamer which has not been bound on the solid phase. The labeled aptamer has a property of binding to the target substance. The solid phase carries an oligonucleotide immobilized on it in an excess amount relative to the target substance. The oligonucleotide is hybridizable with the labeled aptamer when the labeled aptamer is in a state that it is not bound to the target substance, but is not hybridizable with the labeled aptamer when the labeled aptamer is in a state that it is bound to the target substance.

摘要翻译： 公开了用于测定样品中的目标物质的方法和该方法的装置。 该方法可以特异性地测定样品中的目标物质，而不使用针对目标物质的任何抗体。 测定方法包括同时或连续地将标记的适体，样品中的目标物质和固相接触在一起，然后测量未结合在固相上的适体的标记。 标记的适体具有与靶物质结合的性质。 固相携带相对于目标物质过量固定在其上的寡核苷酸。 当标记的适体处于与靶物质不结合的状态下，当标记的适体处于与靶物质结合的状态时，寡核苷酸可与标记的适配子杂交，但与标记的适体不可杂交 。