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    Single-atom tip and preparation method thereof
    1.
    发明授权
    Single-atom tip and preparation method thereof 有权
    单原子尖端及其制备方法

    公开(公告)号：US07507320B2

    公开(公告)日：2009-03-24

    申请号：US10985717

    申请日：2004-10-09

    申请人： Ing-Shouh Hwang ,  Hong-Shi Kuo ,  Tien T. Tsong ,  Tsu-Yi Fu

    发明人： Ing-Shouh Hwang ,  Hong-Shi Kuo ,  Tien T. Tsong ,  Tsu-Yi Fu

    IPC分类号： C25D5/34

    CPC分类号： C25F1/00 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D5/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/38 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  G01Q70/16 ,  H01J9/025 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/0807 ,  Y10T29/49002

    摘要： This invention discloses an electrochemical method for the preparation of single atom tips to replace the traditional vacuum evaporation method. The invented method for preparation of single atom tips includes the following steps: A substrate single crystal metal wire etched electrochemically to form a tip. The surface of the metal tip is cleaned. A small quantity of noble metal is plated on the apex of the tip in low concentration noble metal electrolyte. Annealing in vacuum or in inert gas ambient to diffuse the additional electroplated noble metal atoms and thus a single atom tip is formed on the surface of the substrate. The present invention also discloses the single atom tip so prepared. The single atom tip of this invention has only a very small number of atoms, usually only one atom, at its apex.

    摘要翻译： 本发明公开了一种用于制备单原子尖端以取代传统真空蒸发方法的电化学方法。 本发明制备单原子尖端的方法包括以下步骤：电化学蚀刻形成尖端的基片单晶金属线。 清洁金属尖端的表面。 在低浓度贵金属电解质中，尖端的顶点上镀有少量贵金属。 在真空中或在惰性气体环境中退火以扩散附加的电镀的贵金属原子，因此在衬底的表面上形成单个原子尖端。 本发明还公开了如此制备的单个原子尖端。 本发明的单个原子尖端在其顶点仅具有非常少数量的原子，通常仅有一个原子。