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    MATERIAL AND METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHY
    1.
    发明申请
    MATERIAL AND METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHY 有权
    光刻技术的材料与方法

    公开(公告)号：US20120009524A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13238335

    申请日：2011-09-21

    申请人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih ,  Jian-Hong Chen

    发明人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih ,  Jian-Hong Chen

    IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/312

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

    摘要： A photosensitive material for use in semiconductor manufacture comprises a copolymer that includes a plurality of photoresist chains and a plurality of hydrophobic chains, each hydrophobic chain attached to the end of one of the photoresist chains. The copolymer in response to externally applied energy will self-assemble to a photoresist layer and a hydrophobic layer.

    摘要翻译： 用于半导体制造的感光材料包括共聚物，其包括多个光致抗蚀剂链和多个疏水链，每个疏水链连接到一个光致抗蚀剂链的末端。 响应于外部施加的能量的共聚物将自组装到光致抗蚀剂层和疏水层。

    MATERIAL AND METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHY
    4.
    发明申请
    MATERIAL AND METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHY 有权
    光刻技术的材料与方法

    公开(公告)号：US20080286682A1

    公开(公告)日：2008-11-20

    申请号：US11748322

    申请日：2007-05-14

    申请人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih ,  Jian-Hong Chen

    发明人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih ,  Jian-Hong Chen

    IPC分类号： G03C1/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

    摘要： A photosensitive material for use in semiconductor manufacture comprises a copolymer that includes a plurality of photoresist chains and a plurality of hydrophobic chains, each hydrophobic chain attached to the end of one of the photoresist chains. The copolymer in response to externally applied energy will self-assemble to a photoresist layer and a hydrophobic layer.

    摘要翻译： 用于半导体制造的感光材料包括共聚物，其包括多个光致抗蚀剂链和多个疏水链，每个疏水链连接到一个光致抗蚀剂链的末端。 响应于外部施加的能量的共聚物将自组装到光致抗蚀剂层和疏水层。

    Si device making method by using a novel material for packing and unpacking process
    5.
    发明授权
    Si device making method by using a novel material for packing and unpacking process 有权
    Si器件制造方法采用新型材料进行包装和拆包工艺

    公开(公告)号：US08039195B2

    公开(公告)日：2011-10-18

    申请号：US12028580

    申请日：2008-02-08

    申请人： Jen-Chieh Shih ,  Hsiao-Wei Yeh

    发明人： Jen-Chieh Shih ,  Hsiao-Wei Yeh

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： A method of lithography patterning includes forming a resist pattern on a substrate, the resist pattern including at least one desired opening and at least one padding opening therein on the substrate; forming a patterned photosensitive material layer on the resist pattern and the substrate, wherein the patterned photosensitive material layer covers the padding opening of the resist pattern; and applying a resolution enhancement lithography by assist of chemical shrink (RELACS) process to the desired opening of the resist pattern.

    摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基板上形成抗蚀剂图案，抗蚀剂图案包括至少一个期望的开口和在基板上的至少一个填充开口; 在抗蚀剂图案和基板上形成图案化的感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖抗蚀图案的填充开口; 以及通过辅助化学收缩（RELACS）工艺对抗蚀剂图案的期望的开口施加分辨率增强光刻。

    Method for photoresist characterization and analysis
    6.
    发明授权
    Method for photoresist characterization and analysis 有权
    光刻胶表征和分析方法

    公开(公告)号：US07777184B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US11866008

    申请日：2007-10-02

    申请人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih

    发明人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih

    IPC分类号： G01N23/00 ,  G21K7/00

    CPC分类号： G03F7/105 ,  G03F7/26

    摘要： A method for photoresist characterization includes forming a photoresist on a supportive structure; and characterizing the photoresist using a metrology tool selected from the group consisting of a transmission electron microscope (TEM), a scanning electron microscope (SEM), an atomic force microscope (AFM), a small angle X-ray scattering (SAXS) and a laser diffraction particle analyzer.

    摘要翻译： 光致抗蚀剂表征的方法包括在支撑结构上形成光致抗蚀剂; 并且使用选自透射电子显微镜（TEM），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），小角度X射线散射（SAXS）和 激光衍射粒子分析仪。

    METHOD FOR PHOTORESIST CHARACTERIZATION AND ANALYSIS
    7.
    发明申请
    METHOD FOR PHOTORESIST CHARACTERIZATION AND ANALYSIS 有权
    光电子学特征和分析方法

    公开(公告)号：US20090057554A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US11866008

    申请日：2007-10-02

    申请人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih

    发明人： Hsiao-Wei Yeh ,  Jen-Chieh Shih

    IPC分类号： G01N23/00

    CPC分类号： G03F7/105 ,  G03F7/26

    摘要： A method for photoresist characterization includes forming a photoresist on a supportive structure; and characterizing the photoresist using a metrology tool selected from the group consisting of a transmission electron microscope (TEM), a scanning electron microscope (SEM), an atomic force microscope (AFM), a small angle X-ray scattering (SAXS) and a laser diffraction particle analyzer.

    摘要翻译： 光致抗蚀剂表征的方法包括在支撑结构上形成光致抗蚀剂; 并且使用选自透射电子显微镜（TEM），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），小角度X射线散射（SAXS）和 激光衍射粒子分析仪。

    Si Device Making Method By Using A Novel Material For Packing and Unpacking Process
    8.
    发明申请
    Si Device Making Method By Using A Novel Material For Packing and Unpacking Process 有权
    通过使用新型材料进行包装和开箱过程的Si装置制造方法

    公开(公告)号：US20090203224A1

    公开(公告)日：2009-08-13

    申请号：US12028580

    申请日：2008-02-08

    申请人： Jen-Chieh Shih ,  Hsiao-Wei Yeh

    发明人： Jen-Chieh Shih ,  Hsiao-Wei Yeh

    IPC分类号： H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： A method of lithography patterning includes forming a resist pattern on a substrate, the resist pattern including at least one desired opening and at least one padding opening therein on the substrate; forming a patterned photosensitive material layer on the resist pattern and the substrate, wherein the patterned photosensitive material layer covers the padding opening of the resist pattern; and applying a resolution enhancement lithography by assist of chemical shrink (RELACS) process to the desired opening of the resist pattern.

    摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基板上形成抗蚀剂图案，抗蚀剂图案包括至少一个期望的开口和在基板上的至少一个填充开口; 在抗蚀剂图案和基板上形成图案化的感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖抗蚀图案的填充开口; 以及通过辅助化学收缩（RELACS）工艺对抗蚀剂图案的期望的开口施加分辨率增强光刻。

    High etch resistant material for double patterning
    9.
    发明授权
    High etch resistant material for double patterning 有权
    高耐蚀刻材料，用于双重图案化

    公开(公告)号：US08158335B2

    公开(公告)日：2012-04-17

    申请号：US12210737

    申请日：2008-09-15

    申请人： Hsiao-Wei Yeh ,  Ching-Yu Chang ,  Jian-Hong Chen ,  Chih-An Lin

    发明人： Hsiao-Wei Yeh ,  Ching-Yu Chang ,  Jian-Hong Chen ,  Chih-An Lin

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/405 ,  H01L21/3086

    摘要： The present invention includes a lithography method comprising forming a first patterned insist layer including at least one opening therein over a substrate. A water-soluble polymer layer is formed over the first patterned resist layer and the substrate, whereby a reaction occurs at the interface of the first patterned resist layer and the water-soluble polymer layer. The non-reacted water-soluble polymer layer is removed. Thereafter, a second patterned resist layer is formed over the substrate, wherein at least one portion of the second patterned resist layer is disposed within the at least one opening of the first patterned resist layer or abuts at least one portion of the first patterned resist layer. The substrate is thereafter etched using the first and second patterned resist layers as a mask.

    摘要翻译： 本发明包括光刻方法，包括在衬底上形成包括至少一个开口的第一图案化坚固层。 在第一图案化抗蚀剂层和基底上形成水溶性聚合物层，由此在第一图案化抗蚀剂层和水溶性聚合物层的界面处发生反应。 去除未反应的水溶性聚合物层。 此后，在衬底上形成第二图案化抗蚀剂层，其中第二图案化抗蚀剂层的至少一部分设置在第一图案化抗蚀剂层的至少一个开口内，或者邻接第一图案化抗蚀剂层的至少一部分 。 然后使用第一和第二图案化抗蚀剂层作为掩模蚀刻衬底。