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    Photoresist materials and photolithography processes
    3.
    发明授权
    Photoresist materials and photolithography processes 有权
    光刻胶材料和光刻工艺

    公开(公告)号：US08848163B2

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US13050251

    申请日：2011-03-17

    申请人： Hsien-Cheng Wang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  Ching-Yu Chang ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Hsien-Cheng Wang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  Ching-Yu Chang ,  Hua-Tai Lin ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70858 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

    摘要： A lithography apparatus generates a tunable magnetic field to facilitate processing of photoresist. The lithography apparatus includes a chamber and a substrate stage in the chamber operable to hold a substrate. A magnetic module provides a magnetic field to the substrate on the substrate stage. The magnetic module is configured to provide the magnetic field in a tunable and alternating configuration with respect to its magnitude and frequency. The magnetic field is provided to have a gradient in magnitude along a Z-axis that is perpendicular to the substrate stage to cause magnetically-charged particles disposed over the substrate stage to move up and down along the Z-axis. The lithography apparatus also includes a radiation energy source and an objective lens configured to receive radiation energy from the radiation energy source and direct the radiation energy toward the substrate positioned on the substrate stage.

    摘要翻译： 光刻设备产生可调磁场以便于光致抗蚀剂的加工。 光刻设备包括腔室和腔室中的衬底台，其可操作以保持衬底。 磁性模块为衬底台上的衬底提供磁场。 磁模块被配置为相对于其幅度和频率提供可调和交替配置的磁场。 磁场被提供为具有沿垂直于衬底台的Z轴的幅度梯度，以使得设置在衬底台上的带磁性颗粒沿Z轴上下移动。 光刻设备还包括辐射能量源和物镜，其被配置为从辐射能量源接收辐射能量并将辐射能量引向位于衬底台上的衬底。

    Immersion lithography apparatus and methods
    6.
    发明授权
    Immersion lithography apparatus and methods 有权
    浸渍光刻设备及方法

    公开(公告)号：US07986395B2

    公开(公告)日：2011-07-26

    申请号：US11427421

    申请日：2006-06-29

    申请人： Ching-Yu Chang ,  Burn Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ching-Yu Chang ,  Burn Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G03B27/42

    CPC分类号： G03F7/70925 ,  G03F7/70341

    摘要： A lithography apparatus includes an imaging lens module; a substrate table positioned underlying the imaging lens module and configured to hold a substrate; and a cleaning module adapted to clean the lithography apparatus. The cleaning module is selected from the group consisting of an ultrasonic unit, a scrubber, a fluid jet, an electrostatic cleaner, and combinations thereof.

    摘要翻译： 光刻设备包括成像透镜模块; 位于所述成像透镜模块下方且被配置为保持基板的基板台; 以及适于清洁光刻设备的清洁模块。 清洁模块选自超声波单元，洗涤器，流体射流，静电清洁器及其组合。

    System and method for photolithography in semiconductor manufacturing
    7.
    发明授权
    System and method for photolithography in semiconductor manufacturing 有权
    半导体制造中的光刻系统和方法

    公开(公告)号：US07371671B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US11050312

    申请日：2005-02-03

    申请人： Ching-Yu Chang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Ching-Yu Chang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for forming a semiconductor device includes forming a photoresist layer over a substrate and patterning the photoresist layer to form photoresist portions. A second layer is formed over the substrate in areas not covered by the photoresist portions and the photoresist portions are removed. After removing the photoresist portions, the second layer is used to modify the substrate to create at least a portion of the semiconductor device.

    摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底上形成光致抗蚀剂层并图案化光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂部分。 在不被光致抗蚀剂部分覆盖的区域中的衬底上形成第二层，并去除光致抗蚀剂部分。 在去除光致抗蚀剂部分之后，第二层用于修改基板以产生半导体器件的至少一部分。

    Method of forming a fine pattern
    8.
    发明申请
    Method of forming a fine pattern 审中-公开
    形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US20070264598A1

    公开(公告)日：2007-11-15

    申请号：US11416263

    申请日：2006-05-01

    申请人： Ching-Yu Chang ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ching-Yu Chang ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/095

    摘要： A process of forming a fine pattern including forming a first photoresist layer over a first layer of a semiconductor device. Portions of the first photoresist layer are exposed causing a photochemical reaction therein. Prior to developing the first photoresist layer, a second photoresist layer is formed over the first photoresist layer, and wherein at least one of the first photoresist layer and second photoresist layer comprises a photo base generator.

    摘要翻译： 一种形成精细图案的方法，包括在半导体器件的第一层上形成第一光致抗蚀剂层。 暴露第一光致抗蚀剂层的部分，导致其中的光化学反应。 在显影第一光致抗蚀剂层之前，在第一光致抗蚀剂层之上形成第二光致抗蚀剂层，并且其中第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层中的至少一个包括光源发生器。

    Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
    9.
    发明申请
    Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method 有权
    超声波浸没式光刻曝光装置及方法

    公开(公告)号：US20060028626A1

    公开(公告)日：2006-02-09

    申请号：US10910480

    申请日：2004-08-03

    申请人： Ching-Yu Chang ,  Chien-Hung Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  David Lu ,  Horng-Huei Tseng ,  Burn-Jeng Lin

    发明人： Ching-Yu Chang ,  Chien-Hung Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  David Lu ,  Horng-Huei Tseng ,  Burn-Jeng Lin

    IPC分类号： G03B27/52

    CPC分类号： G03F7/70341

    摘要： A megasonic immersion lithography exposure apparatus and method for substantially eliminating microbubbles from an exposure liquid in immersion lithography is disclosed. The apparatus includes an optical system for projecting light through a mask and onto a wafer. An optical transfer chamber is provided adjacent to the optical system for containing an exposure liquid. At least one megasonic plate operably engages the optical transfer chamber for inducing sonic waves in and eliminating microbubbles from the exposure liquid.

    摘要翻译： 公开了一种用于在浸没式光刻中基本上消除曝光液体中的微泡的兆声浸没式光刻曝光装置和方法。 该装置包括用于通过掩模将光投射到晶片上的光学系统。 光学传递室邻近光学系统设置，用于容纳曝光液体。 至少一个兆欧表板可操作地接合光学传递室，用于在曝光液体中引入声波并消除微泡。

    Method for forming a lithography pattern
    10.
    发明授权
    Method for forming a lithography pattern 有权
    光刻图案的形成方法

    公开(公告)号：US07482280B2

    公开(公告)日：2009-01-27

    申请号：US11426233

    申请日：2006-06-23

    申请人： Ching-Yu Chang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Ching-Yu Chang ,  Chin-Hsiang Lin ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： H01L21/302 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

    摘要： A method of lithography patterning includes forming a first material layer on a substrate, the first material layer being substantially free of silicon, and forming a patterned resist layer including at least one opening therein above the first material layer. A second material layer containing silicon is formed on the patterned resist layer and an opening is formed in the first material layer using the second material layer as a mask.

    摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基底上形成第一材料层，第一材料层基本上不含硅，并且在第一材料层上方形成包括至少一个开口的图案化抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成含有硅的第二材料层，并且使用第二材料层作为掩模在第一材料层中形成开口。