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    Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning
    4.
    发明申请
    Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning 审中-公开
    使用真空紫外线（VUV）清洁光掩模

    公开(公告)号：US20070012336A1

    公开(公告)日：2007-01-18

    申请号：US11392300

    申请日：2006-03-28

    申请人： Yih-Chen Su ,  Chih-Cheng Lin ,  Tung Kang ,  Hung Hsieh

    发明人： Yih-Chen Su ,  Chih-Cheng Lin ,  Tung Kang ,  Hung Hsieh

    IPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/00

    CPC分类号： B08B7/0035 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/0071 ,  G03F1/82

    摘要： A multi-sub-process cleaning procedure cleans phase shift photomasks and other photomasks and Mo-containing surfaces. In one embodiment, vacuum ultraviolet (VUV) light produced by an Xe2 excimer laser converts oxygen to ozone that is used in a first cleaning operation. The VUV/ozone clean may be followed by a wet SC1 chemical clean and the two-sub-process cleaning procedure reduces phase-shift loss and increases transmission. In another embodiment, the first sub-process may use other means to form a molybdenum oxide on the Mo-containing surface. In another embodiment, the multi-sub-process cleaning operation provides a wet chemical clean such as SC1 or SPM or both, followed by a further chemical or physical treatment such as ozone, baking or electrically ionized water.

    摘要翻译： 多子过程清洁程序可以清除相移光掩模和其他光掩模和含Mo表面。 在一个实施方案中，由Xe 2激子准分子激光器产生的真空紫外线（VUV）光将氧气转化为在第一清洁操作中使用的臭氧。 VUV /臭氧清洁后可以进行湿式SC1化学清洗，双子过程清洗程序可减少相移损失并增加透光率。 在另一个实施方案中，第一子方法可以使用其它方法在含Mo表面上形成氧化钼。 在另一个实施方案中，多次处理清洁操作提供湿化学清洁例如SC1或SPM或两者，然后进一步化学或物理处理，例如臭氧，烘烤或电离水。

    Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning
    5.
    发明申请
    Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning 审中-公开
    使用真空紫外线（VUV）清洁光掩模

    公开(公告)号：US20070012335A1

    公开(公告)日：2007-01-18

    申请号：US11184703

    申请日：2005-07-18

    申请人： Hsiao Chang ,  Tsun-Cheng Tang ,  Fei-Gwo Tsai ,  Tzu-Li Lee ,  Chien-Ming Chiu ,  Jang Lee ,  Yih-Chen Su ,  Chih-Cheng Lin ,  Tung Kang ,  Hung Hsieh

    发明人： Hsiao Chang ,  Tsun-Cheng Tang ,  Fei-Gwo Tsai ,  Tzu-Li Lee ,  Chien-Ming Chiu ,  Jang Lee ,  Yih-Chen Su ,  Chih-Cheng Lin ,  Tung Kang ,  Hung Hsieh

    IPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/00 ,  B08B6/00

    CPC分类号： B08B7/0035 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/0071 ,  G03F1/82

    摘要： A multi-step cleaning procedure cleans phase shift photomasks and other photomasks and Mo-containing surfaces. In one embodiment, vacuum ultraviolet (VUV) light produced by an Xe2 excimer laser converts oxygen to ozone that is used in a first cleaning operation. The VUV/ozone clean may be followed by a wet SC1 chemical clean and the two-step cleaning procedure reduces phase-shift loss and increases transmission. In another embodiment, the first step may use other means to form a molybdenum oxide on the Mo-containing surface. In another embodiment, the multi-step cleaning operation provides a wet chemical clean such as SC1 or SPM or both, followed by a further chemical or physical treatment such as ozone, baking or electrically ionized water.

    摘要翻译： 多步清洁程序可以清洗相移光掩模和其他光掩模和含Mo表面。 在一个实施方案中，由Xe 2激子准分子激光器产生的真空紫外线（VUV）光将氧气转化为在第一清洁操作中使用的臭氧。 VUV /臭氧清洁后可以进行湿式SC1化学清洗，两步清洗程序可以减少相移损失并增加透光率。 在另一个实施方案中，第一步可以使用其它方法在含Mo表面上形成氧化钼。 在另一个实施方案中，多步骤清洁操作提供湿化学清洁例如SC1或SPM或两者，随后进一步进行化学或物理处理，例如臭氧，烘烤或电离水。

    Method to reduce photoresist mask line dimensions
    6.
    发明授权
    Method to reduce photoresist mask line dimensions 失效
    降低光刻胶掩模线尺寸的方法

    公开(公告)号：US06962878B2

    公开(公告)日：2005-11-08

    申请号：US10417704

    申请日：2003-04-17

    申请人： Yih-Chen Su ,  Chao-Tzung Tsai

    发明人： Yih-Chen Su ,  Chao-Tzung Tsai

    IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31138 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/948

    摘要： A method for reducing the dimension of a patterned organic photoresist area by reducing the pressure of a reactive environment surrounding the patterned photoresist to cause outgasing. The outgased materials CxHyOz are then decomposed in the reactive environment leaving the outgased photoresist porous. The environment surrounding the patterned photoresist is then increased to atmospheric pressure, which compresses or shrinks the porous photoresist. Photoresist lines having a dimension as small as about 0.085 μm can be obtained.

    摘要翻译： 通过降低围绕图案化光致抗蚀剂的反应性环境的压力来引起取向的方法来减小图案化有机光致抗蚀剂区域的尺寸。 然后，在反应性环境中分解剩余材料C x H z O z z z，使剩余的光致抗蚀剂多孔。 然后围绕图案化的光致抗蚀剂的环境增加到大气压，其压缩或收缩多孔光致抗蚀剂。 可以获得具有小至约0.085μm的尺寸的光致抗蚀剂线。