公开(公告)号：US20060030097A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11183651

申请日：2005-07-18

申请人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

发明人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method of forming transistor gate structures in an integrated circuit device can include forming a high-k gate insulating layer on a substrate including a first region to include PMOS transistors and a second region to include NMOS transistors. A polysilicon gate layer can be formed on the high-k gate insulating layer in the first and second regions. A metal silicide gate layer can be formed directly on the high-k gate insulating layer in the first region and avoiding forming the metal-silicide in the second region. Related gate structures are also disclosed.

摘要翻译： 在集成电路器件中形成晶体管栅结构的方法可以包括在包括PMOS晶体管的第一区域的衬底上形成高k栅极绝缘层，以及包括NMOS晶体管的第二区域。 可以在第一和第二区域的高k栅极绝缘层上形成多晶硅栅极层。 可以在第一区域中的高k栅极绝缘层上直接形成金属硅化物栅极层，并且避免在第二区域中形成金属硅化物。 还公开了相关门结构。

公开(公告)号：US07892958B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12422849

申请日：2009-04-13

申请人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

发明人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device has two transistors of different structure from each other. One of transistors is P-type and the other is N-type. One of the transistors includes a gate structure in which a polysilicon layer contacts a gate insulation film while the other transistor includes a gate structure in which a metal layer contacts a gate insulation film.

摘要翻译： 半导体器件具有彼此不同结构的两个晶体管。 晶体管中的一个是P型，另一个是N型。 一个晶体管包括其中多晶硅层接触栅极绝缘膜的栅极结构，而另一个晶体管包括其中金属层与栅极绝缘膜接触的栅极结构。

公开(公告)号：US20090253256A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12422849

申请日：2009-04-13

申请人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

发明人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device has two transistors of different structure from each other. One of transistors is P-type and the other is N-type. One of the transistors includes a gate structure in which a polysilicon layer contacts a gate insulation film while the other transistor includes a gate structure in which a metal layer contacts a gate insulation film.

摘要翻译： 半导体器件具有彼此不同结构的两个晶体管。 晶体管中的一个是P型，另一个是N型。 一个晶体管包括其中多晶硅层接触栅极绝缘膜的栅极结构，而另一个晶体管包括其中金属层与栅极绝缘膜接触的栅极结构。

公开(公告)号：US07531881B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11400560

申请日：2006-04-07

申请人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

发明人： Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hag-Ju Cho ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device has two transistors of different structure from each other. One of transistors is P-type and the other is N-type. One of the transistors includes a gate structure in which a polysilicon layer contacts a gate insulation film while the other transistor includes a gate structure in which a metal layer contacts a gate insulation film.

摘要翻译： 半导体器件具有彼此不同结构的两个晶体管。 晶体管中的一个是P型，另一个是N型。 一个晶体管包括其中多晶硅层接触栅极绝缘膜的栅极结构，而另一个晶体管包括其中金属层与栅极绝缘膜接触的栅极结构。

公开(公告)号：US07399670B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11183651

申请日：2005-07-18

申请人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

发明人： Taek-Soo Jeon ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho ,  Hye-Lan Lee ,  Beom-Jun Jin ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method of forming transistor gate structures in an integrated circuit device can include forming a high-k gate insulating layer on a substrate including a first region to include PMOS transistors and a second region to include NMOS transistors. A polysilicon gate layer can be formed on the high-k gate insulating layer in the first and second regions. A metal silicide gate layer can be formed directly on the high-k gate insulating layer in the first region and avoiding forming the metal-silicide in the second region. Related gate structures are also disclosed.

摘要翻译： 在集成电路器件中形成晶体管栅结构的方法可以包括在包括PMOS晶体管的第一区域的衬底上形成高k栅极绝缘层，以及包括NMOS晶体管的第二区域。 可以在第一和第二区域的高k栅极绝缘层上形成多晶硅栅极层。 可以在第一区域中的高k栅极绝缘层上直接形成金属硅化物栅极层，并且避免在第二区域中形成金属硅化物。 还公开了相关门结构。

公开(公告)号：US20070059929A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11438941

申请日：2006-05-23

申请人： Hag-Ju Cho ,  Sang-Bom Kang ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon ,  Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hag-Ju Cho ,  Sang-Bom Kang ,  Seong-Geon Park ,  Taek-Soo Jeon ,  Hye-Lan Lee ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/36 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66583

摘要： In some embodiments of the present invention, methods of forming a tantalum carbon nitride layer include introducing a source gas including a tantalum metal complex onto a substrate, wherein one or more of the ligands of the tantalum metal complex include nitrogen and one or more of the ligands of the tantalum metal complex include carbon; and thermally decomposing the tantalum metal complex to form a tantalum carbon nitride layer on the substrate. In some embodiments, the tantalum metal complex includes Ta(NR1)(NR2R3)3, wherein R1, R2 and R3 are each independently H or a C1-C6 alkyl group. In some embodiments, the tantalum metal complex may be [Ta(═NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3]. Methods of forming a gate structure, methods of manufacturing dual gate electrodes and methods of manufacturing a capacitor including tantalum carbon nitride are also provided herein.

摘要翻译： 在本发明的一些实施例中，形成氮化钽层的方法包括将包含钽金属络合物的源气体引入到基底上，其中一个或多个钽金属络合物的配体包括氮和一个或多个 钽金属络合物的配体包括碳; 并且在所述衬底上热分解所述钽金属络合物以形成钽碳氮化物层。 在一些实施方案中，钽金属络合物包括Ta（NR 1）3（NR 2 R 3）3， 其中R 1，R 2和R 3各自独立地为H或C 1 -C 3 - 6烷基。 在一些实施方案中，钽金属络合物可以是[Ta（-NC（CH 3）2）2 H 2 H 5， （N（CH 3）2）3）3。 形成栅极结构的方法，制造双栅电极的方法以及制造包括氮化钽的电容器的方法也在本文中提供。

公开(公告)号：US20060151826A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11326286

申请日：2006-01-06

申请人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Seong-Geon Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

发明人： Beom-Jun Jin ,  Hong-Bae Park ,  Seong-Geon Park ,  Yu-Gyun Shin ,  Sang-Bom Kang

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/11568

摘要： A semiconductor device may include a gate structure having a gate insulation layer formed on a substrate, and a gate electrode formed on the gate insulation layer. A composite barrier layer may be formed on the gate structure.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有形成在衬底上的栅极绝缘层的栅极结构和形成在栅极绝缘层上的栅电极。 可以在栅极结构上形成复合阻挡层。

公开(公告)号：US20060251812A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11458436

申请日：2006-07-19

申请人： Sang-Bom Kang ,  Byung-Hee Kim ,  Kyung-In Choi ,  Gil-Heyun Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park

发明人： Sang-Bom Kang ,  Byung-Hee Kim ,  Kyung-In Choi ,  Gil-Heyun Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

摘要： Atomic layers can be formed by introducing a tantalum amine derivative reactant onto a substrate, wherein the tantalum amine derivative has a formula: Ta(NR1)(NR2R3)3, wherein R1, R2 and R3 are each independently H or a C1-C6 alkyl functional group, chemisorbing a portion of the reactant on the substrate, removing non-chemisorbed reactant from the substrate and introducing a reacting gas onto the substrate to form a solid material on the substrate. Thin films comprising tantalum nitride (TaN) are also provided.

摘要翻译： 可以通过将钽胺衍生物反应物引入到基底上来形成原子层，其中该钽胺衍生物具有下式：Ta（NR 1 N 2） 其中R 1，R 2和R 3各自独立地为H（R 3）3，其中R 1，R 2和R 3各自独立地为H 或C 1 -C 6烷基官能团，化学吸附基材上的一部分反应物，从底物除去非化学吸附的反应物并将反应气体引入到 衬底以在衬底上形成固体材料。 还提供了包括氮化钽（TaN）的薄膜。

公开(公告)号：US20050059240A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10857253

申请日：2004-05-28

申请人： Kyung-In Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Seong-Geon Park ,  You-Kyoung Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Woo Lee

发明人： Kyung-In Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Seong-Geon Park ,  You-Kyoung Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Woo Lee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

摘要： In a method for forming a wiring of a semiconductor device using an atomic layer deposition, an insulating interlayer is formed on a substrate. Tantalum amine derivatives represented by a chemical formula Ta(NR1)(NR2R3)3 in which R1, R2 and R3 represent H or C1-C6 alkyl group are introduced onto the insulating interlayer. A portion of the tantalum amine derivatives is chemisorbed on the insulating interlayer. The rest of tantalum amine derivatives non-chemisorbed on the insulating interlayer is removed from the insulating interlayer. A reacting gas is introduced onto the insulating interlayer. A ligand in the tantalum amine derivatives chemisorbed on the insulating interlayer is removed from the tantalum amine derivatives by a chemical reaction between the reacting gas and the ligand to form a solid material including tantalum nitride. The solid material is accumulated on the insulating interlayer through repeating the above processes to form a wiring.

摘要翻译： 在使用原子层沉积形成半导体器件的布线的方法中，在基板上形成绝缘中间层。 由化学式Ta（NR1）（NR2R3）3表示的钽胺衍生物，其中R 1，R 2和R 3表示H或C 1 -C 6烷基被引入到绝缘中间层上。 一部分钽胺衍生物被化学吸附在绝缘中间层上。 在绝缘中间层上除去非化学吸附在绝缘中间层上的其余的钽胺衍生物。 将反应气体引入到绝缘中间层上。 化学吸附在绝缘中间层上的钽胺衍生物中的配体通过反应气体和配位体之间的化学反应从钽胺衍生物中除去以形成包括氮化钽的固体材料。 通过重复上述处理，将固体材料积聚在绝缘层间，形成布线。

公开(公告)号：US07833855B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11474544

申请日：2006-06-26

申请人： Sang-Bom Kang ,  Kyung-In Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Woo Lee

发明人： Sang-Bom Kang ,  Kyung-In Choi ,  You-Kyoung Lee ,  Seong-Geon Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Woo Lee

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/6659 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833

摘要： In a method for forming a field effect transistor, a metal nitride layer is formed on a gate electrode insulating layer. Tantalum amine derivatives represented by the chemical formula Ta(NR1)(NR2R3)3, in which R1, R2 and R3 represent H or a C1-C6 alkyl group, may be used to form the metal nitride layer. Nitrogen may then be implanted into the metal nitride layer to increase the nitrogen content of the layer.

摘要翻译： 在形成场效应晶体管的方法中，在栅电极绝缘层上形成金属氮化物层。 可以使用由化学式Ta（NR1）（NR2R3）3表示的钽胺衍生物，其中R1，R2和R3代表H或C1-C6烷基，形成金属氮化物层。 然后可以将氮气注入到金属氮化物层中以增加该层的氮含量。