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    Apparatuses and methods for atomic layer deposition
    1.
    发明授权
    Apparatuses and methods for atomic layer deposition 有权
    用于原子层沉积的装置和方法

    公开(公告)号：US08747556B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13618741

    申请日：2012-09-14

    申请人： Hyman W. H. Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong Yuan ,  Hougong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

    发明人： Hyman W. H. Lam ,  Bo Zheng ,  Hua Ai ,  Michael Jackson ,  Xiaoxiong Yuan ,  Hougong Wang ,  Salvador P. Umotoy ,  Sang Ho Yu

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32449 ,  Y10T137/87265

    摘要： Embodiments of the invention provide apparatuses and methods for atomic layer deposition (ALD), such as plasma-enhanced ALD (PE-ALD). In some embodiments, a PE-ALD chamber is provided which includes a chamber lid assembly coupled with a chamber body having a substrate support therein. In one embodiment, the chamber lid assembly has an inlet manifold assembly containing an annular channel encompassing a centralized channel, wherein the centralized channel extends through the inlet manifold assembly, and the inlet manifold assembly further contains injection holes extending from the annular channel, through a sidewall of the centralized channel, and to the centralized channel. The chamber lid assembly further contains a showerhead assembly disposed below the inlet manifold assembly, a water box disposed between the inlet manifold assembly and the showerhead assembly, and a remote plasma system (RPS) disposed above and coupled with the inlet manifold assembly, and in fluid communication with the centralized channel.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了诸如等离子体增强型ALD（PE-ALD）的原子层沉积（ALD）的装置和方法。 在一些实施例中，提供了一种PE-ALD室，其包括与其中具有基板支撑件的室主体耦合的室盖组件。 在一个实施例中，室盖组件具有入口歧管组件，其包含围绕集中通道的环形通道，其中集中通道延伸穿过入口歧管组件，并且入口歧管组件还包含从环形通道延伸的注入孔， 集中通道侧壁，集中通道。 腔室盖组件还包括设置在入口歧管组件下方的喷头组件，设置在入口歧管组件和喷头组件之间的水箱，以及设置在入口歧管组件上方并与入口歧管组件耦合的远程等离子体系统（RPS） 与集中通道的流体通信。

    Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species
    3.
    发明授权
    Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species 有权
    过程室盖设计，内置等离子体源，用于短寿命物种

    公开(公告)号：US09004006B2

    公开(公告)日：2015-04-14

    申请号：US13095720

    申请日：2011-04-27

    申请人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    发明人： Chien-Teh Kao ,  Hyman W. H. Lam ,  Mei Chang ,  David T. Or ,  Nicholas R. Denny ,  Xiaoxiong Yuan

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

    CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244

    摘要： An apparatus and a method for depositing materials, and more particularly a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process are provided. In one embodiment a chamber comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.

    摘要翻译： 提供一种用于沉积材料的装置和方法，更具体地，提供了在等离子体增强过程期间配置成沉积材料的气相沉积室。 在一个实施例中，室包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中并被配置为支撑一个或多个基板的基板支撑件，设置在基板支撑件上方的过程盖组件，其中处理盖组件具有等离子体腔 被配置为产生等离子体并且为处理体积提供一个或多个自由基物质，耦合到气体分配组件的RF（射频）功率源，与处理盖组件耦合的等离子体形成气体源，以及反应气体源 与工艺盖组件。