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    Low-E Panels and Methods of Forming the Same
    2.
    发明申请
    Low-E Panels and Methods of Forming the Same 审中-公开
    低E面板及其形成方法

    公开(公告)号：US20160122235A1

    公开(公告)日：2016-05-05

    申请号：US14531643

    申请日：2014-11-03

    申请人： Intermolecular Inc.

    发明人： Guizhen Zhang ,  Guowen Ding ,  Tong Ju ,  Minh Huu Le ,  Daniel Schweigert

    IPC分类号： C03C17/36

    CPC分类号： C03C17/366 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3602 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3681 ,  C03C2218/155

    摘要： Embodiments provided herein describe low-e panels and methods for forming low-e panels. A transparent substrate is provided. A first dielectric layer is formed above the transparent substrate. The first dielectric layer includes zinc, tin, and aluminum. A first reflective layer is formed above the first dielectric layer. A second dielectric layer is formed above the first reflective layer. The second dielectric layer includes zinc, tin, and aluminum. A second reflective layer is formed above the second dielectric layer.

    摘要翻译： 本文提供的实施例描述了用于形成低e板的低e板和方法。 提供透明基板。 在透明基板的上方形成第一电介质层。 第一介电层包括锌，锡和铝。 第一反射层形成在第一介电层的上方。 在第一反射层上方形成第二电介质层。 第二电介质层包括锌，锡和铝。 第二反射层形成在第二介电层的上方。

    Silver based conductive layer for flexible electronics
    4.
    发明授权
    Silver based conductive layer for flexible electronics 有权
    用于柔性电子元件的银基导电层

    公开(公告)号：US09121100B2

    公开(公告)日：2015-09-01

    申请号：US13715477

    申请日：2012-12-14

    申请人： Intermolecular Inc.

    发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Minh Anh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Guizhen Zhang

    IPC分类号： C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H05K1/092 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5234 ,  H05K1/0274 ,  Y10T428/265

    摘要： Methods for making conducting stacks includes forming a doped or alloyed silver layer sandwiched between two layers of transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO). The doped silver or silver alloy layer can be thin, such as between 1.5 to 20 nm and thus can be transparent. The doped silver or silver alloy can provide improved ductility property, allowing the conductive stack to be bendable. The transparent conductive oxide layers can also be thin, allowing the conductive stack to have an improved ductility property.

    摘要翻译： 制造导电叠层的方法包括形成夹在两层透明导电氧化物（例如氧化铟锡（ITO））之间的掺杂或合金化的银层。 掺杂的银或银合金层可以是薄的，例如在1.5至20nm之间，因此可以是透明的。 掺杂的银或银合金可以提供改善的延展性，允许导电叠层可弯曲。 透明导电氧化物层也可以是薄的，允许导电叠层具有改善的延展性。

    Two Layer Ag Process For Low Emissivity Coatings
    8.
    发明申请
    Two Layer Ag Process For Low Emissivity Coatings 审中-公开
    用于低发射率涂层的两层Ag工艺

    公开(公告)号：US20140170434A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：US13715709

    申请日：2012-12-14

    申请人： INTERMOLECULAR INC.

    发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Brent Boyce ,  Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Wen Sun ,  Yu Wang ,  Yongli Xu

    IPC分类号： G02B1/10

    CPC分类号： G02B1/10 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12611

    摘要： Two layer silver process comprising a silver layer deposited on a doped silver layer can improve the adhesion of the silver layer on a substrate, minimizing agglomeration to provide a high quality silver layer. The doped silver layer can comprise silver and a doping element that has lower enthalpy of formation with oxide than that of silver, leading to better bonding with oxygen in the substrate.

    摘要翻译： 包含沉积在掺杂银层上的银层的双层银方法可以改善银层在基片上的附着力，最小化附聚以提供高质量的银层。 掺杂的银层可以包含银和掺杂元素，其掺杂元素具有比银更低的氧化物形成焓，导致与衬底中的氧更好的结合。

    METHOD OF GENERATING HIGH PURITY BISMUTH OXIDE
    9.
    发明申请
    METHOD OF GENERATING HIGH PURITY BISMUTH OXIDE 审中-公开
    生成高纯度氧化铝的方法

    公开(公告)号：US20130136921A1

    公开(公告)日：2013-05-30

    申请号：US13738563

    申请日：2013-01-10

    申请人： Intermolecular Inc.

    发明人： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Lee ,  Zhi-Wen Wen Sun

    IPC分类号： C23C14/08

    CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/024 ,  C23C14/5806 ,  Y10T428/12549 ,  Y10T428/265

    摘要： A method for forming and protecting high quality bismuth oxide films comprises depositing a transparent thin film on a substrate comprising one of Si, alkali metals, or alkaline earth metals. The transparent thin film is stable at room temperature and at higher temperatures and serves as a diffusion barrier for the diffusion of impurities from the substrate into the bismuth oxide. Reactive sputtering, sputtering from a compound target, or reactive evaporation are used to deposit a bismuth oxide film above the diffusion barrier.

    摘要翻译： 用于形成和保护高质量氧化铋膜的方法包括在包含Si，碱金属或碱土金属之一的衬底上沉积透明薄膜。 透明薄膜在室温和较高温度下是稳定的，并且用作扩散阻挡层，用于将杂质从基底扩散到氧化铋中。 使用反应溅射，来自化合物靶的溅射或反应性蒸发来在扩散阻挡层上沉积氧化铋膜。