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    Method of Fabricating a Silicon-On-Insulator Structure
    5.
    发明申请
    Method of Fabricating a Silicon-On-Insulator Structure 审中-公开
    一种制造绝缘体上硅结构的方法

    公开(公告)号：US20080213981A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US11815176

    申请日：2005-01-31

    申请人： Philippe Renaud ,  Isabelle Bertrand

    发明人： Philippe Renaud ,  Isabelle Bertrand

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

    摘要： In the field of sensor fabrication, it is known to form a silicon-on-insulator starting structure from which fabrication of the sensor based. The present invention provides a method of forming a silicon-on-insulator structure comprising a substrate having an insulating layer patterned thereon. A silicon oxide layer is then deposited over the patterned insulating layer before silicon is grown over both an exposed surface of the substrate as well as the silicon oxide layer, mono-crystalline silicon forming on the exposed parts of the substrate and polysilicon forming on the silicon oxide layer. After depositing a capping layer over the structure, the wafer is heated, whereby the polysilicon re-crystallises to form mono-crystalline silicon, resulting in the insulating layer being buried beneath mono-crystalline silicon.

    摘要翻译： 在传感器制造领域中，已知形成绝缘体上硅启动结构，从而制造基于传感器的开关结构。 本发明提供一种形成绝缘体上硅结构的方法，该方法包括在其上构图绝缘层的衬底。 然后在硅在衬底的暴露表面上生长硅以及氧化硅层，在衬底的暴露部分上形成的单晶硅和在硅上形成的多晶硅之后，在图案化的绝缘层上沉积氧化硅层 氧化层。 在结构上沉积覆盖层之后，加热晶片，由此多晶硅再结晶以形成单晶硅，导致绝缘层被埋在单晶硅之下。