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    OSCILLATOR CIRCUITRY HAVING NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE
    1.
    发明申请
    OSCILLATOR CIRCUITRY HAVING NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE 有权
    具有负面差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US20120249252A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    Oscillator circuitry having negative differential resistance
    2.
    发明授权
    Oscillator circuitry having negative differential resistance 有权
    具有负差分电阻的振荡器电路

    公开(公告)号：US08324976B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US13078595

    申请日：2011-04-01

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03B7/00

    CPC分类号： H03B7/00

    摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

    摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。

    Negative differential resistance comparator circuits
    3.
    发明授权
    Negative differential resistance comparator circuits 有权
    负差分电阻比较器电路

    公开(公告)号：US08525553B1

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13459877

    申请日：2012-04-30

    申请人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Matthew D. Pickett ,  Minxian Max Zhang

    发明人： Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Matthew D. Pickett ,  Minxian Max Zhang

    IPC分类号： H03K19/02

    CPC分类号： H03K3/313 ,  H01L27/0802 ,  H03K19/10

    摘要： In one example, an oxide-based negative differential resistance comparator circuit includes a composite NDR device that includes a first electrode, a first thin film oxide-based negative differential resistance (NDR) layer in contact with the first electrode and a central conductive portion. The composite NDR device also includes a second thin film oxide-based NDR layer disposed adjacent to the first NDR layer and a second electrode. A resistor may be placed in series with the composite NDR device and an electrical energy source can apply applying a voltage across the first electrode and second electrode. The composite NDR device produces a threshold based comparator functionality in the comparator circuit.

    摘要翻译： 在一个示例中，基于氧化物的负差分电阻比较器电路包括复合NDR器件，其包括第一电极，与第一电极接触的第一基于薄膜氧化物的负差分电阻（NDR）层和中心导电部分。 复合NDR器件还包括邻近第一NDR层设置的第二薄膜氧化物基NDR层和第二电极。 电阻器可以与复合NDR器件串联放置，并且电能源可施加跨越第一电极和第二电极的电压。 复合NDR器件在比较器电路中产生基于阈值的比较器功能。

    Memory array with write feedback
    4.
    发明授权
    Memory array with write feedback 有权
    具有写入反馈的存储器阵列

    公开(公告)号：US08331129B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12875423

    申请日：2010-09-03

    申请人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    发明人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C5/063 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5624 ,  G11C2213/77

    摘要： A memory array with write feedback includes a number of row lines intersecting a number of column lines, a memory element connected between one of the row lines and one of the column lines, an electrical condition supply to be selectively applied to one of the row lines; and a feedback control loop to control an electrical condition supplied by the electrical condition supply. A method for setting the state of a memory element within a memory array includes applying an electrical condition to the memory element within the memory array, sensing a resistive state of the memory element, and controlling the electrical condition based on the sensed resistive state to cause the memory element to reach a target resistance.

    摘要翻译： 具有写入反馈的存储器阵列包括与多条列线相交的许多行线，连接在行线之一和列线之一之间的存储元件，选择性地施加到行线之一的电气供应 ; 以及用于控制由电气供应提供的电气状况的反馈控制回路。 用于设置存储器阵列内的存储元件的状态的方法包括将电气条件施加到存储器阵列内的存储元件，感测存储元件的电阻状态，以及基于感测到的电阻状态来控制电气状态，从而导致 记忆元件达到目标电阻。

    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT 审中-公开
    用于提供热管理的半导体器件

    公开(公告)号：US20120104346A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12916414

    申请日：2010-10-29

    申请人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    发明人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    IPC分类号： H01L45/00 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L45/085 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： A semiconductor device for providing heat management may include a first electrode with low metal thermal conductivity and a second electrode with low metal thermal conductivity. A metal oxide structure which includes a transition metal oxide (TMO) may be electrically coupled to the first electrode and second electrode and the metal oxide structure may be disposed between the first electrode and second electrode. An electrically insulating sheath with low thermal conductivity may surround the metal oxide structure.

    摘要翻译： 用于提供热管理的半导体器件可以包括具有低金属导热性的第一电极和具有低金属导热性的第二电极。 包括过渡金属氧化物（TMO）的金属氧化物结构可以电耦合到第一电极，第二电极和金属氧化物结构可以设置在第一电极和第二电极之间。 具有低热导率的电绝缘护套可围绕金属氧化物结构。

    MEMORY ARRAY WITH WRITE FEEDBACK
    8.
    发明申请
    MEMORY ARRAY WITH WRITE FEEDBACK 有权
    记忆阵列与写反馈

    公开(公告)号：US20120057390A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：US12875423

    申请日：2010-09-03

    申请人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammed Shakeel Qureshi

    发明人： Wei Yi ,  Frederick Perner ,  Matthew D. Pickett ,  Muhammed Shakeel Qureshi

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C5/063 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2211/5624 ,  G11C2213/77

    摘要： A memory array with write feedback includes a number of row lines intersecting a number of column lines, a memory element connected between one of the row lines and one of the column lines, an electrical condition supply to be selectively applied to one of the row lines; and a feedback control loop to control an electrical condition supplied by the electrical condition supply. A method for setting the state of a memory element within a memory array includes applying an electrical condition to the memory element within the memory array, sensing a resistive state of the memory element, and controlling the electrical condition based on the sensed resistive state to cause the memory element to reach a target resistance.

    摘要翻译： 具有写入反馈的存储器阵列包括与多条列线相交的许多行线，连接在行线之一和列线之一之间的存储元件，选择性地施加到行线之一的电气供应 ; 以及用于控制由电气供应提供的电气状况的反馈控制回路。 用于设置存储器阵列内的存储元件的状态的方法包括将电气条件施加到存储器阵列内的存储元件，感测存储元件的电阻状态，以及基于所感测的电阻状态来控制电气状态，从而导致 记忆元件达到目标电阻。

    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR
    10.
    发明申请
    HIGH-RELIABILITY HIGH-SPEED MEMRISTOR 有权
    高可靠性高速电容器

    公开(公告)号：US20140112059A1

    公开(公告)日：2014-04-24

    申请号：US14127873

    申请日：2011-06-24

    申请人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    发明人： Feng Miao ,  Jianhua Yang ,  John Paul Strachan ,  Wei Yi ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149

    摘要： A memristor has a first electrode, a second electrode parallel to the first electrode, and a switching layer disposing between the first and second electrodes. The switching layer contains a conduction channel and a reservoir zone. The conduction channel has a Fermi glass material with a variable concentration of mobile ions. The reservoir zone is laterally disposed relative to the conduction channel, and functions as a source/sink of mobile ions for the conduction channel In the switching operation, under the cooperative driving force of both electric field and thermal effects, the mobile ions are moved into or out of the laterally disposed reservoir zone to vary the concentration of the mobile ions in the conduction channel to change the conductivity of the Fermi glass material.

    摘要翻译： 忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。 开关层包含导电通道和储存区。 导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。 储存区域相对于导电通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。在开关操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，将移动离子移入 或离开横向设置的储存区，以改变导电通道中的可移动离子的浓度，以改变费米玻璃材料的导电性。