公开(公告)号：US20080261800A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11738030

申请日：2007-04-20

申请人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

发明人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

IPC分类号： C04B35/505

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

摘要： A method of fabricating doped quartz component is provided herein. In one embodiment, the doped quartz component is a yttrium doped quartz ring configured to support a substrate. In another embodiment, the doped quartz component is a yttrium and aluminum doped cover ring. In yet another embodiment, the doped quartz component is a yttrium, aluminum and nitrogen containing cover ring.

摘要翻译： 本文提供了一种制造掺杂石英组分的方法。 在一个实施例中，掺杂的石英组件是被配置为支撑衬底的掺钇的石英环。 在另一个实施例中，掺杂的石英组件是掺钇和铝的覆盖环。 在另一个实施方案中，掺杂的石英组分是含钇，铝和氮的覆盖环。

公开(公告)号：US07718559B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11738030

申请日：2007-04-20

申请人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

发明人： Jie Yuan ,  Jennifer Y. Sun ,  Renguan Duan

IPC分类号： C03C3/06 ,  C03C3/04

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

摘要： A method of fabricating doped quartz component is provided herein. In one embodiment, the doped quartz component is a yttrium doped quartz ring configured to support a substrate. In another embodiment, the doped quartz component is a yttrium and aluminum doped cover ring. In yet another embodiment, the doped quartz component is a yttrium, aluminum and nitrogen containing cover ring.

摘要翻译： 本文提供了一种制造掺杂石英组分的方法。 在一个实施例中，掺杂的石英组件是被配置为支撑衬底的掺钇的石英环。 在另一个实施例中，掺杂的石英组件是掺钇和铝的覆盖环。 在另一个实施方案中，掺杂的石英组分是含钇，铝和氮的覆盖环。

公开(公告)号：US20120034469A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13199521

申请日：2011-08-31

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B19/00 ,  C04B35/622 ,  B32B15/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/482

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： A ceramic article useful in semiconductor processing, which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas. The ceramic article is formed from a combination of yttrium oxide and zirconium oxide. In a first embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 90 mole % to about 70 mole %, and zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %. In a second embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 96 mole % to about 94 mole %, and yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 4 mole % to about 6 mole %.

摘要翻译： 用于半导体加工的陶瓷制品，其耐受含卤素等离子体的侵蚀。 陶瓷制品由氧化钇和氧化锆的组合形成。 在第一个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约90摩尔％至约70摩尔％的氧化钇形成的陶瓷，摩尔浓度为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆， 。 在第二个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约96摩尔％至约94摩尔％的氧化锆形成的陶瓷，摩尔浓度为约4摩尔％至约6摩尔％的氧化钇 。

公开(公告)号：US20080264565A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11796211

申请日：2007-04-27

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/48 ,  C23C16/22 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/87 ,  C04B41/91 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  H01J37/32467 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5042 ,  C04B35/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/581

摘要： A ceramic article which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas used in semiconductor processing. The ceramic article includes ceramic which is multi-phased, typically including two phase to three phases. The ceramic is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 50 mole % to about 75 mole %; zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %; and at least one other component, selected from the group consisting of aluminum oxide, hafnium oxide, scandium oxide, neodymium oxide, niobium oxide, samarium oxide, ytterbium oxide, erbium oxide, cerium oxide, and combinations thereof, at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %.

摘要翻译： 一种耐半导体加工中含卤素等离子体侵蚀的陶瓷制品。 陶瓷制品包括多相陶瓷，通常包括两相至三相。 陶瓷由摩尔浓度范围为约50摩尔％至约75摩尔％的氧化钇形成; 摩尔浓度范围为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆; 和选自氧化铝，氧化铪，氧化钪，氧化钕，氧化铌，氧化钐，氧化镱，氧化铒，氧化铈及其组合中的至少一种其它组分，摩尔浓度范围为 约10摩尔％至约30摩尔％。

公开(公告)号：US08871312B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13573354

申请日：2012-09-10

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Kenneth S. Collins ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Thomas Graves ,  Xiaoming He ,  Jie Yuan

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Kenneth S. Collins ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Thomas Graves ,  Xiaoming He ,  Jie Yuan

IPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

摘要： Specialty ceramic materials which resist corrosion/erosion under semiconductor processing conditions which employ a corrosive/erosive plasma. The corrosive plasma may be a halogen-containing plasma. The specialty ceramic materials have been modified to provide a controlled electrical resistivity which suppresses plasma arcing potential.

摘要翻译： 在半导体加工条件下耐腐蚀/腐蚀等离子体腐蚀/腐蚀的特种陶瓷材料。 腐蚀性等离子体可以是含卤素等离子体。 特种陶瓷材料已经被修改以提供抑制等离子体电弧势的受控电阻率。

公开(公告)号：US08367227B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US11890156

申请日：2007-08-02

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Kenneth S. Collins ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Thomas Graves ,  Xiaoming He ,  Jie Yuan

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Kenneth S. Collins ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach ,  Thomas Graves ,  Xiaoming He ,  Jie Yuan

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  B32B17/10 ,  B32B15/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/51

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

摘要： Specialty ceramic materials which resist corrosion/erosion under semiconductor processing conditions which employ a corrosive/erosive plasma. The corrosive plasma may be a halogen-containing plasma. The specialty ceramic materials have been modified to provide a controlled electrical resistivity which suppresses plasma arcing potential.

公开(公告)号：US07696117B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11796211

申请日：2007-04-27

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/00

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/87 ,  C04B41/91 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  H01J37/32467 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5042 ,  C04B35/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/581

摘要： A ceramic article which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas used in semiconductor processing. The ceramic article includes ceramic which is multi-phased, typically including two phase to three phases. The ceramic is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 50 mole % to about 75 mole %; zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %; and at least one other component, selected from the group consisting of aluminum oxide, hafnium oxide, scandium oxide, neodymium oxide, niobium oxide, samarium oxide, ytterbium oxide, erbium oxide, cerium oxide, and combinations thereof, at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %.

摘要翻译： 一种耐半导体加工中含卤素等离子体侵蚀的陶瓷制品。 陶瓷制品包括多相陶瓷，通常包括两相至三相。 陶瓷由摩尔浓度范围为约50摩尔％至约75摩尔％的氧化钇形成; 摩尔浓度范围为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆; 和选自氧化铝，氧化铪，氧化钪，氧化钕，氧化铌，氧化钐，氧化镱，氧化铒，氧化铈及其组合中的至少一种其它组分，摩尔浓度范围为 约10摩尔％至约30摩尔％。

公开(公告)号：US20090214825A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12072530

申请日：2008-02-26

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Xiaoming He ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Senh Thach ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Ren-Guan Duan

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Xiaoming He ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Senh Thach ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Ren-Guan Duan

IPC分类号： B32B7/00 ,  C23C4/00

CPC分类号： C23C4/11 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24997

摘要： Particulate generation has been a problem in semiconductor device processing in highly corrosive plasma environments. The problem is exacerbated when the plasma is a reducing plasma. Empirically produced data has shown that the formation of a plasma spray coated yttrium-comprising ceramic such as yttrium oxide, Y2O3—ZrO2 solid solution, YAG, and YF3 provides a low porosity coating with smooth and compacted surfaces when such ceramics are spray coated from a powder feed having an average effective diameter ranging from about 22 μm to about 0.1 μm. These spray-coated materials reduce the generation of particulates in corrosive reducing plasma environments.

摘要翻译： 在高度腐蚀性等离子体环境中的半导体器件加工中，微粒产生是一个问题。 当等离子体是还原等离子体时，问题更加严重。 经验生产的数据显示，等离子体喷涂的包含钇的陶瓷如氧化钇，Y2O3-ZrO2固溶体，YAG和YF3的形成提供了具有光滑和压实表面的低孔隙率涂层，当这种陶瓷从 粉末进料的平均有效直径为约22μm至约0.1μm。 这些喷涂材料减少了腐蚀性还原等离子体环境中的颗粒物的产生。

公开(公告)号：US20150143677A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US13998723

申请日：2013-11-26

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67011 ,  C04B35/486 ,  C04B35/505 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9669 ,  Y10T29/41

摘要： A solid solution-comprising ceramic article useful in semiconductor processing, which article may be in the form of a solid, bulk ceramic, or may be in the form of a substrate having a ceramic coating of the same composition as the bulk ceramic material on at least one outer surface. The ceramic article is resistant to erosion by halogen-containing plasmas and provides advantageous mechanical properties. The solid solution-comprising ceramic article is formed from a combination of yttrium oxide and zirconium oxide. The ceramic-comprising article includes ceramic which is formed from zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 96 mole % to about 91 mole %, and yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 4 mole % to about 9 mole %.

摘要翻译： 一种可用于半导体加工的固体溶液陶瓷制品，该制品可以是固体，本体陶瓷的形式，或者可以是具有与在其上的块状陶瓷材料相同组成的陶瓷涂层的基材形式 至少一个外表面。 陶瓷制品耐受含卤素等离子体侵蚀，并提供有利的机械性能。 含固溶体的陶瓷制品由氧化钇和氧化锆的组合形成。 包含陶瓷的制品包括由摩尔浓度为约96摩尔％至约91摩尔％的氧化锆形成的陶瓷和摩尔浓度为约4摩尔％至约9摩尔％的氧化钇。

公开(公告)号：US20130224498A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13986040

申请日：2013-03-25

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/505

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： A solid solution-comprising ceramic article useful in semiconductor processing, which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas. The solid solution-comprising ceramic article is formed from a combination of yttrium oxide, zirconium oxide, and aluminum oxide. In a first embodiment, the solid solution-comprising ceramic article is a solid, sintered body of the solid solution ceramic material. In a second embodiment, the solid solution-comprising article comprises a substrate underlying a solid solution-comprising coating.