公开(公告)号：US20060188463A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US09878714

申请日：2001-06-11

申请人： Jin Kim ,  Sung Lee ,  Byung Chae ,  Han Kim ,  Hak Kang ,  Ih Chang

发明人： Jin Kim ,  Sung Lee ,  Byung Chae ,  Han Kim ,  Hak Kang ,  Ih Chang

IPC分类号： A61K8/73

CPC分类号： A61K8/42 ,  A61K8/066 ,  A61K8/4973 ,  A61K8/738 ,  A61Q19/00

摘要： The present invention relates to a water-in-oil-in-water multiple emulsion system and a method for preparation thereof, characterized by hydrodynamically stabilizing the multiple emulsion system by using hydrodynamic dual stabilization (HDS) technology. The HDS technology hydrophobizes water molecules in the internal aqueous phase by using a hydrogen bonding inhibitor and by improving the aggregating force between water molecules in the internal aqueous phase by using a water molecule aggregating agent.

摘要翻译： 水包油包水复合乳液体系及其制备方法技术领域本发明涉及一种水包油包水型多重乳液体系及其制备方法，其特征在于通过使用流体力学双稳定化（HDS）技术对多重乳液体系进行流体动力学稳定化。 HDS技术通过使用氢键抑制剂和通过使用水分子聚集剂改善内部水相中的水分子之间的聚集力来疏水内部水相中的水分子。

公开(公告)号：US20060011942A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11011878

申请日：2004-12-13

申请人： Hyun Kim ,  Doo Youn ,  Byung Chae ,  Kwang Kang ,  Yong Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Kim

发明人： Hyun Kim ,  Doo Youn ,  Byung Chae ,  Kwang Kang ,  Yong Lim ,  Gyungock Kim ,  Sunglyul Maeng ,  Seong Kim

IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a 2-terminal semiconductor device that uses an abrupt MIT semiconductor material layer. The 2-terminal semiconductor device includes a first electrode layer, an abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer having an energy gap less than 2eV and holes in a hole level disposed on the first electrode layer, and a second electrode layer disposed on the abrupt MIT semiconductor organic or inorganic material layer. An abrupt MIT is generated in the abrupt MIT semiconductor material layer by a field applied between the first electrode layer and the second electrode layer.

摘要翻译： 提供了使用突变MIT半导体材料层的2端子半导体器件。 2端子半导体器件包括第一电极层，具有小于2eV的能隙的突变MIT半导体有机或无机材料层和设置在第一电极层上的空穴层中的孔，以及设置在突发上的第二电极层 MIT半导体有机或无机材料层。 通过施加在第一电极层和第二电极层之间的场，在突变MIT半导体材料层中产生突变MIT。

公开(公告)号：US20070069193A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US10576579

申请日：2004-04-01

申请人： Doo Yoon ,  Hyun Kim ,  Byung Chae ,  Kwang Kang ,  Sung Maeng

发明人： Doo Yoon ,  Hyun Kim ,  Byung Chae ,  Kwang Kang ,  Sung Maeng

IPC分类号： H01L47/02

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided is a metal-insulator-transition switching transistor with a gate electrode on a silicon substrate (back-gate structure) and a metal-insulator-transition channel layer of VO2 that changes from an insulator phase to a metal phase, or vice versa, depending on a variation of an electric field, and a method for manufacturing the same, whereby it is possible to fabricate a metal-insulator-transition switching transistor having high current gain characteristics and being stable thermally.

摘要翻译： 提供了一种金属 - 绝缘体转变开关晶体管，其在硅衬底（背栅结构）上具有栅电极，并且具有从绝缘体相变为VO 2的金属 - 绝缘体 - 过渡沟道层 金属相，反之亦然，取决于电场的变化，以及其制造方法，由此可以制造具有高电流增益特性并且热稳定的金属 - 绝缘体转变开关晶体管。

公开(公告)号：US20050098836A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10866274

申请日：2004-06-10

申请人： Hyun Kim ,  Doo Youn ,  Kwang Kang ,  Byung Chae ,  Yong Lim ,  Seong Kim ,  Sungyul Maeng ,  Gyungock Kim

发明人： Hyun Kim ,  Doo Youn ,  Kwang Kang ,  Byung Chae ,  Yong Lim ,  Seong Kim ,  Sungyul Maeng ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H02H9/02 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L45/00

摘要： A current-jump-control circuit including an abrupt metal-insulator phase transition device is proposed, and includes a source, the abrupt metal-insulator phase transition device and a resistive element. The abrupt metal-insulator phase transition device includes first and second electrodes connected to the source, and shows an abrupt metal-insulator phase transition characteristic of a current jump when an electric field is applied between the first electrode and the second electrode. The resistive element is connected between the source and the abrupt metal-insulator phase transition device to control a jump current flowing through the abrupt metal-insulator phase transition device. According to the above current control circuit, the abrupt metal-insulator phase transition device can be prevented from being failed due to a large amount of current and thus the current-jump-control circuit can be applied in various application fields.

摘要翻译： 提出了包括突变金属 - 绝缘体相变装置的电流跳跃控制电路，并且包括源极，突变金属 - 绝缘体相变装置和电阻元件。 突变金属 - 绝缘体相变装置包括连接到源极的第一和第二电极，并且当在第一电极和第二电极之间施加电场时，显示出电流跳跃的突变金属 - 绝缘体相变特性。 电阻元件连接在源极和突变金属 - 绝缘体相变器件之间，以控制流过突发金属 - 绝缘体相变器件的跳跃电流。 根据上述电流控制电路，能够防止突变金属 - 绝缘体相变装置由于大量的电流而发生故障，因此电流跳跃控制电路可以应用于各种应用领域。

公开(公告)号：US20060231872A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US10557552

申请日：2003-12-30

申请人： Hyun Kim ,  Kwang Kang ,  Doo Youn ,  Byung Chae

发明人： Hyun Kim ,  Kwang Kang ,  Doo Youn ,  Byung Chae

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Provided is a field effect transistor including an insulator-semiconductor transition material layer. The insulator-semiconductor transition material layer selectively provides a first state where charged holes are not introduced to a surface of the insulator-semiconductor transition material layer when a gate field is not applied and a second state where a large number of charged holes are introduced to the surface of the insulator-semiconductor transition material layer to form a conductive channel when a negative field is applied. A gate insulating layer is formed on the insulator-semiconductor transition material layer. A gate electrode is formed on the gate insulating layer to apply a negative field of a predetermined intensity to the insulator-semiconductor transition material layer. A source electrode and a drain electrode are disposed to face each other at both sides of the insulator-semiconductor transition material layer so that charge carriers can flow through the conductive channel while the insulator-semiconductor transition material layer is in the second state.

摘要翻译： 提供了包括绝缘体 - 半导体过渡材料层的场效应晶体管。 绝缘体 - 半导体过渡材料层选择性地提供第一状态，其中当不施加栅极场时，在绝缘体半导体转移材料层的表面上没有引入带电孔，并且第二状态引入大量带电孔 绝缘体 - 半导体过渡材料层的表面，当施加负电场时形成导电通道。 在绝缘体半导体过渡材料层上形成栅极绝缘层。 栅电极形成在栅极绝缘层上，以将预定强度的负电场施加到绝缘体 - 半导体转移材料层。 源电极和漏电极在绝缘体 - 半导体过渡材料层的两侧彼此面对设置，使得当绝缘体半导体转移材料层处于第二状态时，电荷载流子能够流过导电沟道。