公开(公告)号：US20050066585A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10670534

申请日：2003-09-25

申请人： Jinru Bian ,  Kai Hu ,  Hugh Li ,  Zhendong Liu ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

发明人： Jinru Bian ,  Kai Hu ,  Hugh Li ,  Zhendong Liu ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24D3/02

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The solution is useful for removing a barrier material from a semiconductor substrate. The solution comprises, by weight percent, 0.01 to 25 oxidizer, 0 to 15 inhibitor for a nonferrous metal, 0 to 15 abrasive, 0 to 20 complexing agent for the nonferrous metal, 0.01 to 12 barrier removal agent and balance water. The barrier removal agent is selected from the group comprising imine derivative compounds, hydrazine derivative compounds and mixtures thereof.

摘要翻译： 该解决方案可用于从半导体衬底去除阻挡材料。 该溶液包含0.01-25重量％的氧化剂，0至15的有色金属抑制剂，0至15份磨料，0至20种有色金属络合剂，0.01至12种屏障去除剂和余量水。 屏障去除剂选自亚胺衍生物化合物，肼衍生物化合物及其混合物。

公开(公告)号：US20050282390A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US11199639

申请日：2005-08-09

申请人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

发明人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02

摘要： An aqueous composition is useful for polishing semiconductor wafers. The composition comprises a nonionic surfactant that suppresses removal rate of silicon carbide-nitride and has a hydrophilic group and a hydrophobic group. The hydrophobic group has a carbon chain length of greater than three. And the nonionic surfactant suppresses silicon carbide-nitride removal rate at least 100 angstroms per minute greater than its decrease in silicon nitride removal rate as measured with a microporous polyurethane polishing pad pressure measured normal to a wafer of 13.8 kPa.

公开(公告)号：US20050056810A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10664722

申请日：2003-09-17

申请人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

发明人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew VanHanehem

IPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09G1/02

摘要： An aqueous composition is useful for polishing semiconductor wafers. The composition comprises a nonionic surfactant that suppresses removal rate of silicon carbide-nitride and has a hydrophilic group and a hydrophobic group. The hydrophobic group has a carbon chain length of greater than three. And the nonionic surfactant suppresses silicon carbide-nitride removal rate at least 100 angstroms per minute greater than its decrease in silicon nitride removal rate as measured with a microporous polyurethane polishing pad pressure measured normal to a wafer of 13.8 kPa.

摘要翻译： 水性组合物可用于研磨半导体晶片。 该组合物包含抑制碳化硅 - 氮化物去除率并具有亲水基团和疏水基团的非离子表面活性剂。 疏水基团的碳链长度大于3。 并且非离子表面活性剂抑制碳化硅 - 氮化物去除速率至少比其氮化硅去除速率降低大100埃，其用与13.8kPa的晶片垂直测量的微孔聚氨酯抛光垫压力测量。

公开(公告)号：US20060135045A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11015528

申请日：2004-12-17

申请人： Jinru Bian ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

发明人： Jinru Bian ,  Raymond Lavoie ,  John Quanci ,  Qianqiu Ye

IPC分类号： B24B1/00 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The aqueous polishing composition is useful for polishing semiconductor substrates. The polishing solution comprises 0.001 to 2 wt % of a polyvinylalcohol copolymer, the polyvinylalcohol copolymer having a first component, a second component and a weight average molecular weight of 1,000 to 1,000,000 grams/mole, and the first component being 50 to 95 mole percent vinyl alcohol and the second component being more hydrophobic than the vinyl alcohol and 0.05 to 50 wt % silica abrasive particles; and the composition having a pH of 8 to 12.

摘要翻译： 水性抛光组合物可用于研磨半导体衬底。 抛光液含有0.001〜2重量％的聚乙烯醇共聚物，该聚乙烯醇共聚物具有第一成分，第二成分，重均分子量为1,000〜1,000,000克/摩尔，第一成分为50〜95摩尔％乙烯基 醇和第二组分比乙烯醇更憎水和0.05至50重量％的二氧化硅磨料颗粒; 该组合物的pH为8〜12。

公开(公告)号：US07056829B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US11199639

申请日：2005-08-09

申请人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew R. VanHanehem

发明人： Jinru Bian ,  John Quanci ,  Matthew R. VanHanehem

IPC分类号： H01L21/302 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09G1/02

摘要： An aqueous composition is useful for polishing semiconductor wafers. The composition comprises a nonionic surfactant that suppresses removal rate of silicon carbide-nitride and has a hydrophilic group and a hydrophobic group. The hydrophobic group has a carbon chain length of greater than three. And the nonionic surfactant suppresses silicon carbide-nitride removal rate at least 100 angstroms per minute greater than its decrease in silicon nitride removal rate as measured with a microporous polyurethane polishing pad pressure measured normal to a wafer of 13.8 kPa.

摘要翻译： 水性组合物可用于研磨半导体晶片。 该组合物包含抑制碳化硅 - 氮化物去除率并具有亲水基团和疏水基团的非离子表面活性剂。 疏水基团的碳链长度大于3。 并且非离子表面活性剂抑制碳化硅 - 氮化物去除速率至少比其氮化硅去除速率降低大100埃，其用与13.8kPa的晶片垂直测量的微孔聚氨酯抛光垫压力测量。

公开(公告)号：US07300480B2

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US10670534

申请日：2003-09-25

申请人： Jinru Bian ,  Kai Hu ,  Hugh Li ,  Zhendong Liu ,  John Quanci ,  Matthew R. VanHanehem

发明人： Jinru Bian ,  Kai Hu ,  Hugh Li ,  Zhendong Liu ,  John Quanci ,  Matthew R. VanHanehem

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The solution is useful for removing a barrier material from a semiconductor substrate. The solution comprises, by weight percent, 0.01 to 25 oxidizer, 0 to 15 inhibitor for a nonferrous metal, 0 to 15 abrasive, 0 to 20 complexing agent for the nonferrous metal, 0.01 to 12 barrier removal agent and balance water. The barrier removal agent is selected from the group comprising imine derivative compounds, hydrazine derivative compounds and mixtures thereof.

摘要翻译： 该解决方案可用于从半导体衬底去除阻挡材料。 该溶液包含0.01-25重量％的氧化剂，0至15的有色金属抑制剂，0至15份磨料，0至20种有色金属络合剂，0.01至12种屏障去除剂和余量水。 屏障去除剂选自亚胺衍生物化合物，肼衍生物化合物及其混合物。

公开(公告)号：US06916742B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10376059

申请日：2003-02-27

申请人： Qianqiu Ye ,  Matthew VanHanehem ,  John Quanci

发明人： Qianqiu Ye ,  Matthew VanHanehem ,  John Quanci

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00 ,  C09K1/68

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： An aqueous slurry is useful for chemical mechanical planarizing a semiconductor substrate. The slurry includes by weight percent, 0.1 to 25 oxidizing agent, 0.1 to 20 silica particles having an average particle size of less than 200 nm, 0.005 to 0.8 polyvinyl pyrrolidone for coating the silica particles, 0.01 to 10 inhibitor, 0.001 to 10 complexing agent and a balance water and incidental impurities; and the aqueous slurry having a pH of at least 7.

摘要翻译： 水性浆料可用于化学机械平面化半导体衬底。 浆料中含有0.1〜25重量％的氧化剂，0.1〜20个平均粒径小于200nm的二氧化硅粒子，0.005〜0.8个用于涂布二氧化硅粒子的聚乙烯吡咯烷酮，0.01〜10个抑制剂，0.001〜10个络合剂 和平衡水和附带杂质; 并且所述含水浆料的pH至少为7。

公开(公告)号：US20060024434A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10909242

申请日：2004-07-29

申请人： Hongyu Wang ,  John Quanci ,  Richard Partch ,  Nathaniel Barney

发明人： Hongyu Wang ,  John Quanci ,  Richard Partch ,  Nathaniel Barney

IPC分类号： B05D7/00

CPC分类号： C09C1/3072 ,  C01P2002/80 ,  C09C3/10 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： A method of manufacturing polymer-coated particles is useful for chemical mechanical polishing magnetic, optical, semiconductor or silicon substrates. First it provides a dispersion of particle cores in a non-aqueous solvent. Then introducing a polymeric precursor into the dispersion to react the polymeric precursor forms a polymer. The polymer coats at least a portion of the surface of the particle cores with the polymer and forms the polymer-coated particles having a solid outer polymeric shell. Substituting the non-aqueous solvent with water forms an aqueous mixture containing the polymer-coated particles. And it forms an aqueous chemical mechanical polishing formulation with the polymer-coated particles without drying the polymer-coated particles.

摘要翻译： 制备聚合物涂覆颗粒的方法可用于化学机械抛光磁性，光学，半导体或硅衬底。 首先，它提供颗粒芯在非水溶剂中的分散体。 然后将聚合物前体引入分散体以使聚合物前体反应形成聚合物。 聚合物用聚合物涂覆颗粒芯的表面的至少一部分，并形成具有固体外聚合物壳的聚合物涂覆的颗粒。 用水代替非水溶剂形成含有聚合物涂覆颗粒的含水混合物。 并且它与聚合物涂覆的颗粒形成水性化学机械抛光配方，而不干燥聚合物涂覆的颗粒。

公开(公告)号：US20060000150A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10882567

申请日：2004-07-01

申请人： Francis Kelley ,  John Quanci ,  Joseph So ,  Hongyu Wang

发明人： Francis Kelley ,  John Quanci ,  Joseph So ,  Hongyu Wang

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24D3/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/04

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing nonferrous metal interconnects on a semiconductor wafer comprising oxidizer, inhibitor for a nonferrous metal, complexing agent for the nonferrous metal, modified cellulose, 0.01 to 5% by weight copolymer of acrylic acid and methacrylic acid, and balance water, wherein the copolymer of acrylic acid and methacrylic acid has a monomer ratio (acrylic acid/methacrylic acid) in the range of 1:30 to 30:1 and the copolymer has a molecular weight in the range of 1K to 1000K.

摘要翻译： 本发明提供了一种水性组合物，其用于在半导体晶片上抛光有色金属互连物，其包含氧化剂，有色金属抑制剂，有色金属络合剂，改性纤维素，丙烯酸和甲基丙烯酸的0.01〜5重量％共聚物， 和平衡水，其中丙烯酸和甲基丙烯酸的共聚物的单体比例（丙烯酸/甲基丙烯酸）在1:30至30:1的范围内，共聚物的分子量在1K至1000K的范围内。

公开(公告)号：US07497967B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US10809535

申请日：2004-03-24

申请人： Francis J. Kelley ,  John Quanci ,  Hongyu Wang

发明人： Francis J. Kelley ,  John Quanci ,  Hongyu Wang

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06

摘要： The present invention provides an aqueous composition useful for polishing copper interconnects on a semiconductor wafer comprising by weight percent up to 25 oxidizer, 0.05 to 1 inhibitor for a nonferrous metal, 0.01 to 5 complexing agent for the nonferrous metal, 0.01 to 5 modified cellulose, and balance water, wherein the composition is free of polyacrylic acid, the amount of modified cellulose providing a copper removal function and a wafer clear of copper.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于抛光半导体晶片上的铜互连的水性组合物，包括重量百分数至多25种氧化剂，0.05至1种有色金属抑制剂，0.01至5种有色金属络合剂，0.01至5种改性纤维素， 和平衡水，其中组合物不含聚丙烯酸，提供铜去除功能的改性纤维素的量和不含铜的晶片。