公开(公告)号：US20120217651A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13468609

申请日：2012-05-10

申请人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

发明人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus for forming through-vias are presented, for example, a method for forming a via in a portion of a semiconductor wafer comprising a substrate. The method comprises forming a trench surrounding a first part of the substrate such that the first part is separated from a second part of the substrate, forming a hole through the substrate within the first part, and forming a first metal within the hole. The trench extends through the substrate. The first metal extends from a front surface of the substrate to a back surface of the substrate. The via comprises the hole and the first metal.

摘要翻译： 提出了用于形成通孔的方法和装置，例如，在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通孔的方法。 该方法包括形成围绕基板的第一部分的沟槽，使得第一部分与基板的第二部分分离，在第一部分内形成穿过基板的孔，并在孔内形成第一金属。 沟槽延伸穿过衬底。 第一金属从基板的前表面延伸到基板的后表面。 通孔包括孔和第一金属。

公开(公告)号：US08263492B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12432243

申请日：2009-04-29

申请人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

发明人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus for forming through-vias are presented, for example, a method for forming a via in a portion of a semiconductor wafer comprising a substrate. The method comprises forming a trench surrounding a first part of the substrate such that the first part is separated from a second part of the substrate, forming a hole through the substrate within the first part, and forming a first metal within the hole. The trench extends through the substrate. The first metal extends from a front surface of the substrate to a back surface of the substrate. The via comprises the hole and the first metal.

摘要翻译： 提出了用于形成通孔的方法和装置，例如，在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通孔的方法。 该方法包括形成围绕基板的第一部分的沟槽，使得第一部分与基板的第二部分分离，在第一部分内形成穿过基板的孔，并在孔内形成第一金属。 沟槽延伸穿过衬底。 第一金属从基板的前表面延伸到基板的后表面。 通孔包括孔和第一金属。

公开(公告)号：US20100276786A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12432243

申请日：2009-04-29

申请人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

发明人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus for forming through-vias are presented, for example, a method for forming a via in a portion of a semiconductor wafer comprising a substrate. The method comprises forming a trench surrounding a first part of the substrate such that the first part is separated from a second part of the substrate, forming a hole through the substrate within the first part, and forming a first metal within the hole. The trench extends through the substrate. The first metal extends from a front surface of the substrate to a back surface of the substrate. The via comprises the hole and the first metal.

摘要翻译： 提出了用于形成通孔的方法和装置，例如，在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通孔的方法。 该方法包括形成围绕基板的第一部分的沟槽，使得第一部分与基板的第二部分分离，在第一部分内形成穿过基板的孔，并在孔内形成第一金属。 沟槽延伸穿过衬底。 第一金属从基板的前表面延伸到基板的后表面。 通孔包括孔和第一金属。

公开(公告)号：US08796138B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13468609

申请日：2012-05-10

申请人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

发明人： John Michael Cotte ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Bucknell Chapman Webb

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus for forming through-vias are presented, for example, a method for forming a via in a portion of a semiconductor wafer comprising a substrate. The method comprises forming a trench surrounding a first part of the substrate such that the first part is separated from a second part of the substrate, forming a hole through the substrate within the first part, and forming a first metal within the hole. The trench extends through the substrate. The first metal extends from a front surface of the substrate to a back surface of the substrate. The via comprises the hole and the first metal.

摘要翻译： 提出了用于形成通孔的方法和装置，例如，在包括衬底的半导体晶片的一部分中形成通孔的方法。 该方法包括形成围绕基板的第一部分的沟槽，使得第一部分与基板的第二部分分离，在第一部分内形成穿过基板的孔，并在孔内形成第一金属。 沟槽延伸穿过衬底。 第一金属从基板的前表面延伸到基板的后表面。 通孔包括孔和第一金属。

公开(公告)号：US07808798B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12062665

申请日：2008-04-04

申请人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

发明人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

IPC分类号： H05K1/18

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/162 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： An apparatus is described incorporating an interposer having a cavity for a portion of an antenna structure, having conductor through vias, a top Si part having interconnection wiring and having pads for electrically mounting an integrated circuit chip thereon, wherein the top Si part mates with the interposer electrically and mechanically. The interposer and top Si part may be scaled to provide an array of functional units. The invention overcomes the problem of combining a high efficient antenna with integrated circuit chips in a Si package with signal frequencies from 1 to 100 GHz and the problem of shielding components proximate to the antenna and reduces strain arising from mismatching of TCEs.

摘要翻译： 描述了一种装置，其具有用于天线结构的一部分的空腔的插入件，具有导体穿过通孔，顶部Si部分具有互连布线并具有用于在其上电气安装集成电路芯片的焊盘，其中顶部Si部分与 内插器电气和机械。 插入器和顶部Si部分可以被缩放以提供功能单元的阵列。 本发明克服了将高效天线与Si封装中的集成电路芯片组合在一起的信号频率为1至100GHz的问题，以及屏蔽靠近天线的组件的问题，并减少了由于TCE失配引起的应变。

公开(公告)号：US20080029886A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11498689

申请日：2006-08-03

申请人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

发明人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/162 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： An apparatus is described incorporating an interposer having a cavity for a portion of an antenna structure, having conductor through vias, a top Si part having interconnection wiring and having pads for electrically mounting an integrated circuit chip thereon, wherein the top Si part mates with the interposer electrically and mechanically. The interposer and top Si part may be scaled to provide an array of functional units. The invention overcomes the problem of combining a high efficient antenna with integrated circuit chips in a Si package with signal frequencies from 1 to 100 GHz and the problem of shielding components proximate to the antenna and reduces strain arising from mismatching of TCEs.

摘要翻译： 描述了一种装置，其具有用于天线结构的一部分的空腔的插入件，具有导体穿过通孔，顶部Si部分具有互连布线并具有用于在其上电气安装集成电路芯片的焊盘，其中顶部Si部分与 内插器电气和机械。 插入器和顶部Si部分可以被缩放以提供功能单元的阵列。 本发明克服了将高效天线与Si封装中的集成电路芯片组合在一起的信号频率为1至100GHz的问题，以及屏蔽靠近天线的组件的问题，并减少了由于TCE失配引起的应变。

公开(公告)号：US07192868B2

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US11053610

申请日：2005-02-08

申请人： John Michael Cotte ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes

发明人： John Michael Cotte ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： B81C1/00476 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0132 ,  G01N1/32 ,  Y10S438/933

摘要： A method of patterning and releasing chemically sensitive low k films without the complication of a permanent hardmask stack, yielding an unaltered free-standing structure is provided. The method includes providing a structure including a Si-containing substrate having in-laid etch stop layers located therein; forming a chemically sensitive low k film and a protective hardmask having a pattern atop the structure; transferring the pattern to the chemically sensitive low k film to provide an opening that exposes a portion of the Si-containing substrate; and etching the exposed portion of the Si-containing substrate through the opening to provide a cavity in the Si-containing substrate in which a free-standing low k film structure is formed, while removing the hardmask. In accordance with the present invention, the etching comprises a XeF2 etch gas.

摘要翻译： 提供了图案化和释放化学敏感性低k膜的方法，而不需要永久性硬掩模堆叠的复杂性，产生未改变的独立结构。 该方法包括提供包括其中位于其中的内置蚀刻停止层的含Si衬底的结构; 形成化学敏感的低k膜和在结构顶部具有图案的保护性硬掩模; 将图案转移到化学敏感的低k膜上以提供暴露一部分含Si衬底的开口; 并且通过所述开口蚀刻含Si衬底的暴露部分，以在去除硬掩模的同时在其中形成独立的低k膜结构的含Si衬底中提供空腔。 根据本发明，蚀刻包括XeF 2 N 2蚀刻气体。

公开(公告)号：US08426316B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12204412

申请日：2008-09-04

申请人： John Michael Cotte ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Robert Luke Wisnieff

发明人： John Michael Cotte ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  Robert Luke Wisnieff

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed are a method and a system for processing a semiconductor structure of the type including a substrate, a dielectric layer, and a TaN—Ta liner on the dielectric layer. The method comprises the step of using XeF2 to remove at least a portion of the TaN—Ta liner completely to the dielectric layer. In the preferred embodiments, the present invention uses XeF2 selective gas phase etching as alternatives to Ta—TaN Chemical Mechanical Polishing (CMP) as a basic “liner removal process” and as a “selective cap plating base removal process.” In this first use, XeF2 is used to remove the metal liner, TaN—Ta, after copper CMP. In the second use, the XeF2 etch is used to selectively remove a plating base (TaN—Ta) that was used to form a metal cap layer over the copper conductor.

摘要翻译： 公开了一种在电介质层上处理包括衬底，电介质层和TaN-Ta衬垫的类型的半导体结构的方法和系统。 该方法包括使用XeF 2将至少一部分TaN-Ta衬套完全去除到介电层的步骤。 在优选实施例中，本发明使用XeF2选择性气相蚀刻作为Ta-TaN化学机械抛光（CMP）的替代品作为基本的“衬垫去除工艺”，并且作为“选择性电镀镀层去除工艺”。 在第一次使用中，XeF2用于在铜CMP之后去除金属衬垫TaN-Ta。 在第二次使用中，XeF2蚀刻用于选择性地去除用于在铜导体上形成金属覆盖层的电镀基底（TaN-Ta）。

公开(公告)号：US07518229B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11498689

申请日：2006-08-03

申请人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

发明人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer ,  Cornelia Kang-I Tsang

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/162 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： An apparatus is described incorporating an interposer having a cavity for a portion of an antenna structure, having conductor through vias, a top Si part having interconnection wiring and having pads for electrically mounting an integrated circuit chip thereon, wherein the top Si part mates with the interposer electrically and mechanically. The interposer and top Si part may be scaled to provide an array of functional units. The invention overcomes the problem of combining a high efficient antenna with integrated circuit chips in a Si package with signal frequencies from 1 to 100 GHz and the problem of shielding components proximate to the antenna and reduces strain arising from mismatching of TCEs.

摘要翻译： 描述了一种装置，其具有用于天线结构的一部分的空腔的插入件，具有导体穿过通孔，顶部Si部分具有互连布线并具有用于在其上电气安装集成电路芯片的焊盘，其中顶部Si部分与 内插器电气和机械。 插入器和顶部Si部分可以被缩放以提供功能单元的阵列。 本发明克服了将高效天线与Si封装中的集成电路芯片组合在一起的信号频率为1至100GHz的问题，以及屏蔽靠近天线的组件的问题，并减少了由于TCE失配引起的应变。

公开(公告)号：US20080186247A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12062665

申请日：2008-04-04

申请人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer

发明人： John Michael Cotte ,  Brian Paul Gaucher ,  Janusz Grzyb ,  Nils Deneke Hoivik ,  Christopher Vincent Jahnes ,  John Ulrich Knickerbocker ,  Duixian Liu ,  John Harold Magerlein ,  Chirag Suryakant Patel ,  Ullrich R. Pfeiffer

IPC分类号： H01Q1/52

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/162 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： An apparatus is described incorporating an interposer having a cavity for a portion of an antenna structure, having conductor through vias, a top Si part having interconnection wiring and having pads for electrically mounting an integrated circuit chip thereon, wherein the top Si part mates with the interposer electrically and mechanically. The interposer and top Si part may be scaled to provide an array of functional units. The invention overcomes the problem of combining a high efficient antenna with integrated circuit chips in a Si package with signal frequencies from 1 to 100 GHz and the problem of shielding components proximate to the antenna and reduces strain arising from mismatching of TCEs.

摘要翻译： 描述了一种装置，其具有用于天线结构的一部分的空腔的插入件，具有导体穿过通孔，顶部Si部分具有互连布线并具有用于在其上电气安装集成电路芯片的焊盘，其中顶部Si部分与 内插器电气和机械。 插入器和顶部Si部分可以被缩放以提供功能单元的阵列。 本发明克服了将高效天线与Si封装中的集成电路芯片组合在一起的信号频率为1至100GHz的问题，以及屏蔽靠近天线的组件的问题，并减少了由于TCE失配引起的应变。