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    Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power
    5.
    发明授权
    Plasma enhanced CVD low k carbon-doped silicon oxide film deposition using VHF-RF power 失效
    使用VHF-RF功率的等离子体增强CVD低k碳掺杂氧化硅膜沉积

    公开(公告)号：US06797643B2

    公开(公告)日：2004-09-28

    申请号：US10279367

    申请日：2002-10-23

    申请人： Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Maosheng Zhao ,  Ying Yu ,  Shankar Venkataraman ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia

    发明人： Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Maosheng Zhao ,  Ying Yu ,  Shankar Venkataraman ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia

    IPC分类号： H01L2131

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633

    摘要： A method of depositing a low dielectric constant film on a substrate. In one embodiment, the method includes the steps of positioning the substrate in a deposition chamber, providing a gas mixture to the deposition chamber, in which the gas mixture is comprised of one or more cyclic organosilicon compounds, one or more aliphatic compounds and one or more oxidizing gases. The method further includes reacting the gas mixture in the presence of an electric field to form the low dielectric constant film on the semiconductor substrate. The electric field is generated using a very high frequency power having a frequency in a range of about 20 MHz to about 100 MHz.

    摘要翻译： 在基板上沉积低介电常数膜的方法。 在一个实施例中，该方法包括以下步骤：将基板定位在沉积室中，为沉积室提供气体混合物，其中气体混合物由一种或多种环状有机硅化合物，一种或多种脂族化合物和一种或多种脂族化合物组成， 更多的氧化气体。 该方法还包括在存在电场的情况下使气体混合物反应以在半导体衬底上形成低介电常数膜。 使用频率在约20MHz至约100MHz范围内的非常高频率的功率产生电场。