公开(公告)号：US5565414A

公开(公告)日：1996-10-15

申请号：US347203

申请日：1994-11-21

申请人： Jun Akimitsu ,  Tohru Den ,  Fumio Kishi ,  Norio Kaneko ,  Masatake Akaike ,  Kiyozumi Niizuma ,  Atsuko Tanaka

发明人： Jun Akimitsu ,  Tohru Den ,  Fumio Kishi ,  Norio Kaneko ,  Masatake Akaike ,  Kiyozumi Niizuma ,  Atsuko Tanaka

IPC分类号： C04B35/00 ,  C01G1/00 ,  C01G29/00 ,  C04B35/45 ,  C04B35/626 ,  C23C14/08 ,  C23C16/30 ,  H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  C04B35/453

CPC分类号： H01L39/2419 ,  C04B35/4521 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2451 ,  Y10S505/782 ,  Y10S505/784

摘要： A metal oxide is provided which is represented by the compositional formula:(Bi.sub.1-x A.sup.I.sub.x).sub.2 (Sr.sub.y Ca.sub.1-y-z A.sup.II.sub.z).sub.p (Cu.sub.1-r A.sup.III.sub.r).sub.q O.sub..delta.wherein 0.ltoreq.x.ltoreq.0.5, 0.3.ltoreq.y.ltoreq.0.7, 0.ltoreq.z.ltoreq.0.5, 0.ltoreq.r.ltoreq.0.1, 1>y+z, 2>p>11, 1.ltoreq.q.ltoreq.10 and 5.4.ltoreq..delta..ltoreq.24 with the exclusion of x=z=r=0, A.sup.I is at least one element selected from In, Sb, Pb and Sn; A.sup.II is at least one element selected from Na, K, Mg, Ba, and Sn and A.sup.III is at least one element selected from Ti, V, Cu, Ni, Zr, Nb, Ta, Fe and Ru. The metal oxide may further comprise an element selected from lanthanoids and yttrium. The metal oxide material shows superconductivity at a temperature not lower than the boiling point of liquid helium.

摘要翻译： 提供了由组成式：（Bi1-xAl x）2（SryCa1-y-zAIIz）p（Cu1-rAIIIr）qOδ表示的金属氧化物，其中0≤x≤0.5,0.3≤y y + z，2> p> 11,1

公开(公告)号：US5578554A

公开(公告)日：1996-11-26

申请号：US441665

申请日：1995-05-15

申请人： Jun Akimitsu ,  Norio Kaneko ,  Tohru Den ,  Tamaki Kobayashi

发明人： Jun Akimitsu ,  Norio Kaneko ,  Tohru Den ,  Tamaki Kobayashi

IPC分类号： C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/45 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/12 ,  C04B35/50

CPC分类号： C04B35/4504 ,  H01L39/126 ,  Y10S505/779 ,  Y10S505/781

摘要： A metal oxide material comprises components, the composition of which is expressed by the following composition formula (I):Ln.sub.a Ca.sub.b Sr.sub.c Ba.sub.d Cu.sub.2+e-h M.sub.h O.sub.6+f C.sub.g(I)wherea+b+c+d=3, 0.2.ltoreq.a.ltoreq.0.8,0.2.ltoreq.b.ltoreq.1.0, 0.3.ltoreq.c.ltoreq.2.2,0.ltoreq.d.ltoreq.1.7, 0.ltoreq.e.ltoreq.0.8,0.ltoreq.h.ltoreq.0.2, 0

摘要翻译： 金属氧化物材料包含组分，其组成由以下组成式（I）表示：LnaCabSrcBadCu2 + e-hMhO6 + fCg（I）其中a + b + c + d = 3,0.2， =0.8,0.2≤b≤1.0,0.3≤n≤2.2,0≤d≤1.7,0,0≤i≤0.8,0≤h= = 0.2,0

公开(公告)号：US5019553A

公开(公告)日：1991-05-28

申请号：US283924

申请日：1988-12-13

申请人： Jun Akimitsu ,  Tohru Den

发明人： Jun Akimitsu ,  Tohru Den

IPC分类号： C04B35/00 ,  C01G1/00 ,  C01G15/00 ,  C01G29/00 ,  C04B35/45 ,  H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC分类号： C04B35/4512 ,  C04B35/4517 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/4525 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2432 ,  Y10S505/782

摘要： A metal oxide material is provided which is represented by the composition formula:A.sub.2 B.sub.x Cu.sub.y O.sub.zwherein 2.ltoreq.x.ltoreq.3.5, 2.ltoreq.y.ltoreq.3.5, x+y>4, and 4

公开(公告)号：US5155093A

公开(公告)日：1992-10-13

申请号：US548212

申请日：1990-07-05

申请人： Tohru Den ,  Katsuhiko Shinjo ,  Taiko Motoi ,  Takehiko Kawasaki ,  Norio Kaneko

发明人： Tohru Den ,  Katsuhiko Shinjo ,  Taiko Motoi ,  Takehiko Kawasaki ,  Norio Kaneko

IPC分类号： G01J1/42 ,  H01L39/10

CPC分类号： H01L39/10 ,  G01J1/42 ,  Y10S505/702

摘要： A light detecting device includes a signal input portion which generates a current upon input of a light signal, a signal detecting portion including a superconductor which detects the light signal with injection of the generated current, and electrodes through which the generated current is injected into the superconductor.

公开(公告)号：US5512542A

公开(公告)日：1996-04-30

申请号：US297767

申请日：1994-08-30

申请人： Tohru Den ,  Norio Kaneko ,  Tamaki Kobayashi

发明人： Tohru Den ,  Norio Kaneko ,  Tamaki Kobayashi

IPC分类号： C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C04B35/45 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24 ,  H01B12/00 ,  C01B35/12 ,  C04B35/50

CPC分类号： H01L39/2419 ,  C04B35/4508 ,  Y10S505/777 ,  Y10S505/778 ,  Y10S505/779 ,  Y10S505/78

摘要： A novel metallic oxide of a Ln-Ca-Sr-Ba-Cu-B-O type and a process for manufacturing such a metallic oxide. The above metallic oxide has a composition expressed by the following formula (I):(Ln.sub.1-a Ca.sub.a)(Sr.sub.2-b Ba.sub.b)(Cu.sub.3-c B.sub.c)O.sub.d(I)wherein Ln is one or more kinds of elements selected from the group consisting of Y and lanthanoid elements except for Ce and Tb and wherein the following conditions are met: 0.1.ltoreq.a.ltoreq.0.5, 0.7.ltoreq.b.ltoreq.1.7, 0.1.ltoreq.c.ltoreq.0.5, and 6.5.ltoreq.d.ltoreq.7.5. A process for manufacturing the metallic oxide has the following steps. A mixture of materials including H.sub.3 BO.sub.3 used as a starting material of B is prepared. The resultant mixture is heated at a rate of 5.degree. C. or lower per minute up to 900.degree. C. or lower. Then, it is heated in an oxygen atmosphere at a range from 900.degree.-1050.degree. C.

摘要翻译： Ln-Ca-Sr-Ba-Cu-B-O型的新型金属氧化物及其制造方法。 上述金属氧化物具有由下式（I）表示的组成：（Ln1-aCaa）（Sr2-bBab）（Cu3-cBc）Od（I）其中Ln是选自以下的一种或多种元素： Y和除了Ce和Tb之外的镧系元素，其中满足以下条件：0.1

公开(公告)号：US07517554B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11339627

申请日：2006-01-26

申请人： Tatsuya Saito ,  Tohru Den ,  Kazuhiko Fukutani ,  Aya Imada

发明人： Tatsuya Saito ,  Tohru Den ,  Kazuhiko Fukutani ,  Aya Imada

IPC分类号： C23C8/00

CPC分类号： C23C14/5873 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/165

摘要： A process for producing a nano-structure is provided which enables control of the pore diameters and the pore intervals by film formation conditions. The process produces a nano-structure of an aluminum-silicon-germanium mixed film containing silicon and germanium at a content of 20 to 70 atom % relative to aluminum, the mixed film being constituted of a matrix composed mainly of silicon and germanium in a composition ratio of SixGe1-x (0≦X≦1), and cylindrical portions mainly composed of aluminum having a diameter of not larger 30 nm in the matrix. In the process, the mixed film is formed at a film-forming rate of not higher than 150 nm/min.

摘要翻译： 提供一种制造纳米结构的方法，其能够通过成膜条件控制孔径和孔间隔。 该方法产生相对于铝含有20〜70原子％含有硅和锗的铝 - 硅 - 锗混合膜的纳米结构，该混合膜由组成为主要由硅和锗组成的基体构成 SixGe1-x（0 <= X <= 1）的比例，以及主要由直径不大于30nm的铝构成的圆筒部。 在该过程中，以不高于150nm / min的成膜速度形成混合膜。

公开(公告)号：US07510780B2

公开(公告)日：2009-03-31

申请号：US10532232

申请日：2003-10-22

申请人： Nobuhiro Yasui ,  Tohru Den

发明人： Nobuhiro Yasui ,  Tohru Den

IPC分类号： C25D5/26

CPC分类号： G11B5/7325 ,  C23C14/025 ,  C23C14/185 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/12861

摘要： The invention provides a structured material composed by including a noble metal, in which an oriented layer is formed on a layer containing a Group 4A metal. The invention enables to form an oriented layer, which has required a high temperature for formation, by a low temperature process.

摘要翻译： 本发明提供一种结构材料，其包括贵金属，其中在含有4A族金属的层上形成取向层。 本发明能够通过低温工艺形成需要高温成形的取向层。

公开(公告)号：US20080315745A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12197842

申请日：2008-08-25

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01J1/02 ,  D01F9/12

CPC分类号： D01F9/127 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/12 ,  H01J1/14 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/939

摘要： An electronic device including a pair of electrodes disposed on a substrate and carbon nanotubes electrically connecting the electrodes. A method for manufacturing this device in which the electrodes are disposed on the substrate and the nanotubes are prepared to electrically connect the electrodes.

摘要翻译： 一种电子设备，包括设置在基板上的一对电极和电连接电极的碳纳米管。 制造该器件的方法，其中电极设置在衬底上，并且准备纳米管以电连接电极。

公开(公告)号：US07453193B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11556254

申请日：2006-11-03

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01J1/30

CPC分类号： D01F9/127 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/12 ,  H01J1/14 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/939

摘要： An electronic device in which a substrate with a pair of electrodes is provided and a carbon nanotube is formed or arranged in relation to the electrodes.

摘要翻译： 提供具有一对电极的基板和相对于电极形成或布置碳纳米管的电子设备。

公开(公告)号：US07349242B2

公开(公告)日：2008-03-25

申请号：US10968902

申请日：2004-10-21

申请人： Tohru Den

发明人： Tohru Den

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/324 ,  Y10T428/1114

摘要： A magnetic device has a layer containing fine pores and having wirings on both faces of the layer formed on a substrate, wherein at least a part of the pores are filled with a layered column formed by stacking magnetic layers and nonmagnetic layers alternately, and at least a part of the pores filled with a conductive column as writing wires for writing into the magnetic layers in the adjacent pores. The fine pores may be nano-holes of alumina formed by anodic oxidation. A part of the pores may serve to intercept a magnetic field. The magnetic layer may contain Co, and the nonmagnetic layer and/or the writing wire may contain Cu. The pores may be arranged in a honeycomb arrangement or a rectangular array. The ratio of the sectional area S (cm2) of the pore and the length (cm) of the pore satisfy the relation: 105 105.

摘要翻译： 磁性器件具有含有细孔的层，并且在形成在衬底上的层的两个表面上具有布线，其中至少部分孔填充有通过交替层叠磁性层和非磁性层而形成的层状结构，并且至少 填充有导电柱的孔的一部分作为用于写入相邻孔中的磁性层的书写线。 细孔可以是通过阳极氧化形成的氧化铝的纳米孔。 一部分孔可用于截取磁场。 磁性层可以含有Co，非磁性层和/或书写线可以含有Cu。 孔可以布置成蜂窝布置或矩形阵列。 孔的截面积S（cm 2）与孔的长度（cm）的比例满足关系式：10 10 < SUP> 5 。