公开(公告)号：US20090023093A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12174759

申请日：2008-07-17

申请人： Jung-Youl Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jeong-Sik Kim ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jung-Youl Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jeong-Sik Kim ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07D317/72

CPC分类号： C07D317/72 ,  C07D339/06 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/123

摘要： An acid-amplifier having an acetal group and a photoresist composition including the same, are disclosed. The acid-amplifier produces an acid (second acid) during a post-exposure-bake (PEB), which is induced by an acid (first acid) generated from a photo-acid generator (PAG) at the exposure process so that a line edge roughness (LER) of the photoresist pattern and photoresist energy sensitivity are improved. The acid-amplifier has a structure of following Formula 1. in Formula 1, R is C4˜C20 mono-cyclic or multi-cyclic saturated hydrocarbon, R1 is C1˜C10 linear hydrocarbon, C1˜C10 perfluoro compound or C5˜C20 aromatic compound, Ra and Rb are independently hydrogen atom or C1˜C4 saturated hydrocarbon and A is independently oxygen atom (0) or sulfur atom (S).

摘要翻译： 公开了具有缩醛基的酸性放大器和包含该缩醛基的光致抗蚀剂组合物。 在曝光过程中，酸放大器在曝光前烘烤（PEB）中产生酸（第二酸），其由在光生酸发生器（PAG）产生的酸（第一酸）诱导，使得线 改善了光致抗蚀剂图案的边缘粗糙度（LER）和光致抗蚀剂的能量灵敏度。 酸式放大器在式1中具有下式1的结构，R为C 4〜C 20单环或多环饱和烃，R 1为C 1〜C 10直链烃，C 1〜C 10全氟化合物或C 5〜C 20芳族化合物 ，Ra和Rb独立地为氢原子或C1〜C4饱和烃，A独立地为氧原子（O）或硫原子（S）。

公开(公告)号：US07935474B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12174759

申请日：2008-07-17

申请人： Jung-Youl Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jeong-Sik Kim ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jung-Youl Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jeong-Sik Kim ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： C07D317/72 ,  C07D339/06 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/123

摘要： An acid-amplifier having an acetal group and a photoresist composition including the same, are disclosed. The acid-amplifier produces an acid (second acid) during a post-exposure-bake (PEB), which is induced by an acid (first acid) generated from a photo-acid generator (PAG) at the exposure process so that a line edge roughness (LER) of the photoresist pattern and photoresist energy sensitivity are improved. The acid-amplifier has a structure of following Formula 1. in Formula 1, R is C4˜C20 mono-cyclic or multi-cyclic saturated hydrocarbon, R1 is C1˜C10 linear hydrocarbon, C1˜C10 perfluoro compound or C5˜C20 aromatic compound, Ra and Rb are independently hydrogen atom or C1˜C4 saturated hydrocarbon and A is independently oxygen atom (O) or sulfur atom (S).

摘要翻译： 公开了具有缩醛基的酸性放大器和包含该缩醛基的光致抗蚀剂组合物。 在曝光过程中，酸放大器在曝光前烘烤（PEB）中产生酸（第二酸），其由在光生酸发生器（PAG）产生的酸（第一酸）诱导，使得线 改善了光致抗蚀剂图案的边缘粗糙度（LER）和光致抗蚀剂的能量灵敏度。 酸式放大器在式1中具有下式1的结构，R为C 4〜C 20单环或多环饱和烃，R 1为C 1〜C 10直链烃，C 1〜C 10全氟化合物或C 5〜C 20芳族化合物 ，Ra和Rb独立地为氢原子或C1〜C4饱和烃，A独立地为氧原子（O）或硫原子（S）。

公开(公告)号：US08043789B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12337058

申请日：2008-12-17

申请人： Jae-Woo Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jun-Gyeong Lee ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jae-Woo Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jun-Gyeong Lee ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： C07C43/30 ,  C07C69/42 ,  C07C69/712 ,  C07C2603/74 ,  C07D309/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/115

摘要： A photosensitive compound whose size is smaller than conventional polymer for photoresist, and which has well-defined (uniform) structure, and a photoresist composition including the same are disclosed. The photosensitive compound represented by the following formula. Also, the present invention provides a photoresist composition comprising 1 to 85 wt % (weight %) of the photosensitive compound; 0.05 to 15 weight parts of a photo-acid generator with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound; and 10 to 5000 weight parts of an organic solvent. In the formula, n is 0 or 1, x is 1, 2, 3, 4 or 5, y is 2, 3, 4, 5 or 6, z is 0, 1, 2, 3 or 4, R, R′ and R″ are independently hydrocarbon group of 1 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms, and R′″ is a hydrogen atom or hydrocarbon group of 1 to 30 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms.

摘要翻译： 公开了尺寸小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物并具有明确（均匀）结构的光敏化合物和包含其的光致抗蚀剂组合物。 由下式表示的感光性化合物。 另外，本发明提供了含有1〜85重量％（重量）感光性化合物的光致抗蚀剂组合物， 0.05〜15重量份的光酸发生剂相对于100重量份的感光性化合物; 和10〜5000重量份的有机溶剂。 在该式中，n为0或1，x为1,2,3,4或5，y为2,3,4,5或6，z为0,1,2,3或4，R，R' R“独立地为1〜30个碳原子，优选2〜20个碳原子的烃基，R'”为氢原子或碳原子数为1〜30，优选为2〜20的烃基。

公开(公告)号：US20090068585A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12208880

申请日：2008-09-11

申请人： Dong-Woo HAN ,  Jeong-Sik Kim ,  Min-Ja Yoo ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Dong-Woo HAN ,  Jeong-Sik Kim ,  Min-Ja Yoo ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/38 ,  G03F7/20 ,  C07C69/75 ,  C07C69/74 ,  C07J9/00 ,  C07D401/14

CPC分类号： C07C69/74 ,  C07C69/00 ,  C07C69/75 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D207/12 ,  C07D209/32 ,  C07D211/40 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： In the formation of a fine pattern using a photolithography process, a dissolution promoter which can increase the difference of solubility between exposed region and unexposed region, and a photoresist composition including the same are disclosed. The dissolution promoter has the structure of the following formula (wherein, R is a hydrocarbon group of 1 to 40 carbon atoms, A is an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, p is 0 or 1, and q is an integer of 1 to 20). Moreover, the photoresist composition comprises 3 to 30 wt % (weight %) of the photosensitive compound; 1 to 30 weight parts of a dissolution promoter represented by the formula, with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound; 0.05 to weight parts of a photo-acid generator with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound; and a remaining organic solvent.

摘要翻译： 在使用光刻工艺形成精细图案时，公开了可以增加曝光区域和未曝光区域之间的溶解度差的溶解促进剂，以及包含其的光刻胶组合物。 溶解促进剂具有下式的结构（其中，R为碳原子数为1〜40的烃基，A为碳原子数为1〜10的烷基，p为0或1，q为1的整数） 到20）。 此外，光致抗蚀剂组合物含有3〜30重量％（重量）感光性化合物; 1〜30重量份由式表示的溶解促进剂，相对于100重量份的感光性化合物; 相对于100重量份感光性化合物的光酸产生剂为0.05〜 和剩余的有机溶剂。

公开(公告)号：US07947423B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12208586

申请日：2008-09-11

申请人： Jae-Woo Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jun-Gyeong Lee ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jae-Woo Lee ,  Min-Ja Yoo ,  Jun-Gyeong Lee ,  Young-Bae Lim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  C07C43/205

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C43/2055 ,  C07C43/30 ,  C07C65/24 ,  C07C69/42 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115

摘要： A photosensitive compound whose size is smaller than conventional polymer for photoresist, and which has well-defined (uniform) structure, and a photoresist composition including the same are disclosed. The photosensitive compound represented by the following formula 1. Also, the photoresist composition comprises 1 to 85 wt % (weight %) of the photosensitive compound; 0.05 to 15 weight parts of a photo-acid generator with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound; and 200 to 5000 weight parts of an organic solvent. In the formula 1, x is 1, 2, 3, 4 or 5, y is 2, 3, 4, 5 or 6, and R and R′ are independently a chain type or a ring type of aliphatic or aromatic hydrocarbon group of 1 to 30 carbon atoms.

摘要翻译： 公开了尺寸小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物并具有明确（均匀）结构的光敏化合物和包含其的光致抗蚀剂组合物。 由下式1表示的感光性化合物。另外，光致抗蚀剂组合物含有1〜85重量％（重量）感光性化合物; 0.05〜15重量份的光酸发生剂相对于100重量份的感光性化合物; 和200〜5000重量份的有机溶剂。 在式1中，x是1,2,3,4或5，y是2,3,4,5或6，R和R'独立地是链型或环型的脂族或芳族烃基的 1至30个碳原子。

公开(公告)号：US08124311B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12361833

申请日：2009-01-29

申请人： Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： C07C251/68 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07C2603/92 ,  C07D209/48 ,  C07D209/86 ,  C07D221/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： Disclosed are a photosensitive compound containing oxime group which is directly decomposed by exposure to light, which is a molecular resist whose size is smaller than conventional polymer for photoresist, and a photoresist composition including the same. The photosensitive molecular compound has a structure represented by a following formula. In Formula, R1 is hydrogen atom or methyl group (CH3); Ra and Rb each is independently alkyl group of 1-6 carbon atoms, alkylcarbonyl group of 2-7 carbon atoms, aryl group of 6-10 carbon atoms or arylcarbonyl group of 7-11 carbon atoms, and Ra and Rb form one group as an united body, alkyl or cycloalkyl group of 1-20 carbon atoms or arylalkyl group of 7-20 carbon atoms which are doubly bonded to nitrogen atom.

摘要翻译： 公开了含有肟基的感光性化合物，其通过暴露于光直接分解，其是尺寸小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物的分子抗蚀剂，以及包含其的光致抗蚀剂组合物。 光敏分子化合物具有由下式表示的结构。 在式中，R 1是氢原子或甲基（CH 3）; Ra和Rb各自独立地为1-6个碳原子的烷基，2-7个碳原子的烷基羰基，6-10个碳原子的芳基或7-11个碳原子的芳基羰基，Ra和Rb形成一个基团 1〜20个碳原子的烷基或环烷基或7-20个碳原子的芳基烷基与氮原子双键结合。

公开(公告)号：US07695893B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US12134840

申请日：2008-06-06

申请人： Jae-Woo Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jae-Woo Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： C07C69/42 ,  C07C69/76 ,  G03F7/0382

摘要： Disclosed are a photo-sensitive compound and a photoresist composition containing the same, for forming ultra-fine photoresist patterns. The photo-sensitive compound is resented by following Formula 1, wherein x is an integer of 1 to 5, y is an integer of 2 to 6, R is a C2˜C20 hydrocarbon group. The photoresist composition comprises 1˜85 weight % of a photo-sensitive compound represented by following Formula 1, 1˜55 weight % of a compound which reacts with a hydroxyl group (—OH) of the compound represented by Formula 1 to combine with the photo-sensitive compound represented by Formula 1; 1˜15 weight % of a photo-acid generator; and 12˜97 weight % of an organic solvent.

摘要翻译： 公开了用于形成超细光致抗蚀剂图案的光敏化合物和含有该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物。 光敏化合物通过下式1反应，其中x为1〜5的整数，y为2〜6的整数，R为C2〜C20烃基。 光致抗蚀剂组合物包含1〜85重量％的由下式1表示的感光性化合物，1〜55重量％的与式1表示的化合物的羟基（-OH）反应的化合物与 由式1表示的光敏化合物; 1〜15重量％的光酸发生剂; 和12〜97重量％的有机溶剂。

公开(公告)号：US20100233622A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12618530

申请日：2009-11-13

申请人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03C1/00 ,  G03C1/053

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0273

摘要： Disclosed is a method for manufacturing fine patterns of semiconductor devices using a double exposure patterning process for manufacturing the second photoresist patterns by simply exposing without an exposure mask. The method comprises the steps of: forming a first photoresist pattern on a semiconductor substrate on which a layer to be etched is formed; coating a composition for a mirror interlayer on the first photoresist pattern to form a mirror interlayer; forming a photoresist layer on the resultant; and forming a second photoresist pattern which is made by a scattered reflection of the mirror-interlayer and positioned between the first photoresist patterns, by exposing the photoresist layer to a light having energy which is lower than a threshold energy (Eth) of the photoresist layer without an exposure mask, and then developing the same.

摘要翻译： 公开了一种使用双曝光图案化工艺制造精细图案的半导体器件的方法，用于通过简单地在没有曝光掩模的情况下曝光来制造第二光致抗蚀剂图案。 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂图案，在其上形成待蚀刻的层; 在第一光致抗蚀剂图案上涂覆用于镜面中间层的组合物以形成镜面中间层; 在所得物上形成光致抗蚀剂层; 以及通过将所述光致抗蚀剂层暴露于能量低于所述光致抗蚀剂层的阈值能量（Eth）的光而形成通过所述镜面 - 中间层的散射反射并且位于所述第一光致抗蚀剂图案之间的第二光致抗蚀剂图案， 没有曝光掩模，然后开发相同。

公开(公告)号：US20090197198A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12361833

申请日：2009-01-29

申请人： Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C69/76 ,  C07D209/04 ,  C07D209/82 ,  C07D221/22 ,  G03F7/20

CPC分类号： C07C251/68 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07C2603/92 ,  C07D209/48 ,  C07D209/86 ,  C07D221/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

摘要： Disclosed are a photosensitive compound containing oxime group which is directly decomposed by exposure to light, which is a molecular resist whose size is smaller than conventional polymer for photoresist, and a photoresist composition including the same. The photosensitive molecular compound has a structure represented by a following formula. In Formula, R1 is hydrogen atom or methyl group (CH3); Ra and Rb each is independently alkyl group of 1-6 carbon atoms, alkylcarbonyl group of 2-7 carbon atoms, aryl group of 6-10 carbon atoms or arylcarbonyl group of 7-11 carbon atoms, and Ra and Rb form one group as an united body, alkyl or cycloalkyl group of 1-20 carbon atoms or arylalkyl group of 7-20 carbon atoms which are doubly bonded to nitrogen atom.

摘要翻译： 公开了含有肟基的感光性化合物，其通过暴露于光直接分解，其是尺寸小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物的分子抗蚀剂，以及包含其的光致抗蚀剂组合物。 光敏分子化合物具有由下式表示的结构。 在式中，R 1是氢原子或甲基（CH 3）; Ra和Rb各自独立地为1-6个碳原子的烷基，2-7个碳原子的烷基羰基，6-10个碳原子的芳基或7-11个碳原子的芳基羰基，Ra和Rb形成一个基团 1〜20个碳原子的烷基或环烷基或7-20个碳原子的芳基烷基与氮原子双键结合。

公开(公告)号：US08293458B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12618530

申请日：2009-11-13

申请人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0273

摘要： Disclosed is a method for manufacturing fine patterns of semiconductor devices using a double exposure patterning process for manufacturing the second photoresist patterns by simply exposing without an exposure mask. The method comprises the steps of: forming a first photoresist pattern on a semiconductor substrate on which a layer to be etched is formed; coating a composition for a mirror interlayer on the first photoresist pattern to form a mirror interlayer; forming a photoresist layer on the resultant; and forming a second photoresist pattern which is made by a scattered reflection of the mirror-interlayer and positioned between the first photoresist patterns, by exposing the photoresist layer to a light having energy which is lower than a threshold energy (Eth) of the photoresist layer without an exposure mask, and then developing the same.

摘要翻译： 公开了一种使用双曝光图案化工艺制造精细图案的半导体器件的方法，用于通过简单地在没有曝光掩模的情况下曝光来制造第二光致抗蚀剂图案。 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂图案，在其上形成待蚀刻的层; 在第一光致抗蚀剂图案上涂覆用于镜面中间层的组合物以形成镜面中间层; 在所得物上形成光致抗蚀剂层; 以及通过将所述光致抗蚀剂层暴露于能量低于所述光致抗蚀剂层的阈值能量（Eth）的光而形成通过所述镜面 - 中间层的散射反射并且位于所述第一光致抗蚀剂图案之间的第二光致抗蚀剂图案， 没有曝光掩模，然后开发相同。