公开(公告)号：US20050266694A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10854975

申请日：2004-05-27

申请人： Justin Brask ,  Paul Sears ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Paul Sears ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A wafer may be rotated while etching to displace bubbles that may form, for example, from a reaction between silicon and water. As a result, a hydrophobic layer, which would otherwise be created by the bubbles, cannot form, resulting in a more uniform etch rate in some embodiments.

摘要翻译： 可以在蚀刻时旋转晶片以置换可能由例如硅和水之间的反应形成的气泡。 结果，在一些实施方案中，不能形成另外由气泡产生的疏水层，导致更均匀的蚀刻速率。

公开(公告)号：US20060183277A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US10742678

申请日：2003-12-19

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and forming a sacrificial layer on the high-k gate dielectric layer. After etching the sacrificial layer, first and second spacers are formed on opposite sides of the sacrificial layer. After removing the sacrificial layer to generate a trench that is positioned between the first and second spacers, a metal layer is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，并在高k栅极电介质层上形成牺牲层。 在蚀刻牺牲层之后，在牺牲层的相对侧上形成第一和第二间隔物。 在去除牺牲层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在高k栅介质层上形成金属层。

公开(公告)号：US20060057808A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20060051957A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10936114

申请日：2004-09-07

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer and a sacrificial structure that comprises a first layer and a second layer, such that the second layer is formed on the first layer and is wider than the first layer. After the sacrificial structure is removed to generate a trench, a metal gate electrode is formed within the trench.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成在第一层上并且比第一层更宽。 在除去牺牲结构以产生沟槽之后，在沟槽内形成金属栅电极。

公开(公告)号：US20050263483A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11196034

申请日：2005-08-03

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06

摘要： Semiconductor integrated circuit structures, such as stacks containing metal layers, may be etched with a modified viscosity etchant. An increased viscosity etchant, for example, may reduce undercutting when a metal film is being etched.

摘要翻译： 半导体集成电路结构，例如包含金属层的堆叠，可以用修改的粘度蚀刻剂进行蚀刻。 例如，当蚀刻金属膜时，增加的粘度蚀刻剂可以减少底切。

公开(公告)号：US20070037372A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11581183

申请日：2006-10-13

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US20080087985A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11998236

申请日：2007-11-29

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US20070069293A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11238444

申请日：2005-09-28

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： A process capable of integrating both planar and non-planar transistors onto a bulk semiconductor substrate, wherein the channel of all transistors is definable over a continuous range of widths.

摘要翻译： 一种能够将平面和非平面晶体管集成到体半导体衬底上的工艺，其中所有晶体管的沟道可以在连续的宽度范围内定义。

公开(公告)号：US20060022277A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900582

申请日：2004-07-28

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

公开(公告)号：US20060001071A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10882734

申请日：2004-06-30

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.