利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

7 条记录 (耗时 0.013 秒)

    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20170062585A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：US15000786

    申请日：2016-01-19

    申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba

    发明人： Tomoyuki Sakuma ,  Shinya Sato ,  Noboru Yokoyama ,  Akihiro Shimada

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L21/266

    CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

    摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device comprises making a first opening, ion-implanting an impurity of a second conductivity type, and forming a third semiconductor layer of the second conductivity type. The first opening is made in a second semiconductor layer. The second semiconductor layer is provided on a first semiconductor layer. The first opening extends in a second direction. A dimension in a third direction of an upper part of the first opening is longer than a dimension in the third direction of a lower part of the first opening. The third direction is perpendicular to the first direction and the second direction. The impurity of the second conductivity type is ion-implanted into a side surface of the lower part of the first opening. The third semiconductor layer of the second conductivity type is formed in an interior of the first opening.

    摘要翻译： 根据一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括制造第一开口，离子注入第二导电类型的杂质，以及形成第二导电类型的第三半导体层。 第一开口在第二半导体层中制成。 第二半导体层设置在第一半导体层上。 第一开口沿第二方向延伸。 第一开口的上部的第三方向的尺寸比第一开口的下部的第三方向的尺寸长。 第三方向垂直于第一方向和第二方向。 第二导电类型的杂质被离子注入到第一开口的下部的侧表面中。 第二导电类型的第三半导体层形成在第一开口的内部。

    Semiconductor device
    6.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US09536997B1

    公开(公告)日：2017-01-03

    申请号：US15056896

    申请日：2016-02-29

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Noboru Yokoyama ,  Shinya Sato ,  Tomoyuki Sakuma

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

    摘要： A semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type, a plurality of first regions that are spaced apart from each other along a first direction by portions of the semiconductor layer, each of the first regions including a first semiconductor region of a second conductivity type, a second region between the first regions in the first direction, the second region including a second semiconductor region of the first conductivity type and a first insulator between the second semiconductor region and the semiconductor layer, and a third region between the first region and the second region, the third region including a third semiconductor region of the first conductivity type and a second insulator.

    摘要翻译： 半导体器件包括第一导电类型的半导体层，沿半导体层的第一方向彼此间隔开的多个第一区域，每个第一区域包括第二导电性的第一半导体区域 在所述第一方向上的所述第一区域之间的第二区域，所述第二区域包括所述第一导电类型的第二半导体区域和所述第二半导体区域和所述半导体层之间的第一绝缘体，以及所述第一区域和所述第一区域之间的第三区域， 第二区域，第三区域包括第一导电类型的第三半导体区域和第二绝缘体。

    SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR WAFER HOLDER
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR WAFER HOLDER 审中-公开
    半导体制造设备和半导体波形保持器

    公开(公告)号：US20140283748A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US14024357

    申请日：2013-09-11

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Shinya Higashi ,  Shinya Sato ,  Tomoyuki Sakuma ,  Akihiko Osawa ,  Hiroaki Kobayashi ,  Osamu Yamazaki ,  Hiroshi Nishimura

    IPC分类号： C30B25/12

    CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

    摘要： A semiconductor manufacturing apparatus includes a chamber, a reaction-gas inlet, a gas exhaust port, a rotation unit, a semiconductor wafer holder, a heater, and a purge-gas inlet. The wafer holder includes a first hold region to hold the semiconductor wafer and a second hold region held by the rotation unit. The second hold region surrounds the first hold region. The level of the first hold region and the level of the second hold region differ. A plurality of ventholes is provided to the first hold region so that the ventholes are just below a sidewall of the semiconductor wafer held by the first hold region.

    摘要翻译： 半导体制造装置包括室，反应气体入口，排气口，旋转单元，半导体晶片保持器，加热器和吹扫气体入口。 晶片保持器包括用于保持半导体晶片的第一保持区域和由旋转单元保持的第二保持区域。 第二保持区域围绕第一保持区域。 第一保持区域的电平和第二保持区域的电平不同。 多个通气孔被提供到第一保持区域，使得通气孔正好位于由第一保持区域保持的半导体晶片的侧壁的下方。