公开(公告)号：US08203146B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12882404

申请日：2010-09-15

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US20060113565A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269646

申请日：2005-11-09

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于10/30/3/3的非晶形氧化物用于N- 类型区域。

公开(公告)号：US20110024741A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12882404

申请日：2010-09-15

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US07863611B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11269646

申请日：2005-11-09

申请人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Katsumi Abe ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Semiconductor devices and circuits with use of transparent oxide film are provided. The semiconductor device having a P-type region and an N-type region, wherein amorphous oxides with electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used for the N-type region.

摘要翻译： 提供了使用透明氧化膜的半导体器件和电路。 具有P型区域和N型区域的半导体器件，其中电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶形氧化物用于N型区域。

公开(公告)号：US20120012838A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13243244

申请日：2011-09-23

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A switching element of LCDs or organic EL displays which uses a thin film transistor device, includes: a drain electrode, a source electrode, a channel layer contacting the drain electrode and the source electrode, wherein the channel layer comprises indium-gallium-zinc oxide having a transparent, amorphous state of a composition equivalent to InGaO3(ZnO)m (wherein m is a natural number less than 6) in a crystallized state, and the channel layer has a semi-insulating property represented by an electron mobility of more than 1 cm2/(V·sec) and an electron carrier concentration is less than 1018/cm3, a gate electrode, and a gate insulating film positioned between the gate electrode and the channel layer.

摘要翻译： 使用薄膜晶体管器件的LCD或有机EL显示器的开关元件包括：漏电极，源电极，与漏电极和源电极接触的沟道层，其中沟道层包括铟镓锌氧化物 具有在结晶化状态下等价于InGaO 3（ZnO）m（其中m为小于6的自然数）的组成的透明非晶状态，并且沟道层具有以电子迁移率表示的半绝缘性 1cm 2 /（V·sec），电子载流子浓度小于1018 / cm3，栅电极和栅极绝缘膜位于栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：US20110012107A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US07872259B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US07868326B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US20090146072A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12368592

申请日：2009-02-10

申请人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/118

摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。

公开(公告)号：US07453065B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11269648

申请日：2005-11-09

申请人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Keishi Saito ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： G01J5/20

CPC分类号： H01L31/032 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/085 ,  H01L31/09 ,  H01L31/118

摘要： A sensor for detecting a received electromagnetic wave comprising a first electrode, a second electrode and an amorphous oxide layer interposed between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 一种用于检测接收的电磁波的传感器，包括插在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和无定形氧化物层。