公开(公告)号：US06930026B2

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：US10414106

申请日：2003-04-16

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L20/30 ,  H01L21/36 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

摘要： A Si substrate 1 with a SiGeC crystal layer 8 deposited thereon is annealed to form an annealed SiGeC crystal layer 10 on the Si substrate 1. The annealed SiGeC crystal layer includes a matrix SiGeC crystal layer 7, which is lattice-relieved and hardly has dislocations, and SiC microcrystals 6 dispersed in the matrix SiGeC crystal layer 7. A Si crystal layer is then deposited on the annealed SiGeC crystal layer 10, to form a strained Si crystal layer 4 hardly having dislocations.

摘要翻译： 对其上沉积有SiGeC晶体层8的Si衬底1进行退火，以在Si衬底1上形成退火的SiGeC晶体层10。 退火的SiGeC晶体层包括晶格释放并且几乎不具有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在基体SiGeC晶体层7中的SiC微晶6。 然后在退火的SiGeC晶体层10上沉积Si晶体层，以形成几乎不具有位错的应变Si晶体层4。

公开(公告)号：US06403976B1

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：US09482077

申请日：2000-01-13

申请人： Tohru Saitoh ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Katsuya Nozawa ,  Gaku Sugahara ,  Minoru Kubo

发明人： Tohru Saitoh ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Katsuya Nozawa ,  Gaku Sugahara ,  Minoru Kubo

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

摘要： A Si1−xGex/Si1−yCy short-period superlattice which functions as a single SiGeC layer is formed by alternately growing Si1−xGex layers (0

摘要翻译： 通过交替生长Si1-xGex层（0

公开(公告)号：US06852602B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10298000

申请日：2002-01-30

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Yoshihiro Hara ,  Takeshi Takagi ,  Takahiro Kawashima

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Yoshihiro Hara ,  Takeshi Takagi ,  Takahiro Kawashima

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/80 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/155 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/802

摘要： A multi-layer film 10 is formed by stacking a Si1-x1-y1Gex1Cy1 layer (0≦x1 y2) having a high Ge mole fraction, e.g., a Si0.2Ge0.8 layer 12. In this manner, the range in which the multi-layer film serves as a SiGeC layer with C atoms incorporated into lattice sites extends to high degrees in which a Ge mole fraction is high.

摘要翻译： 通过层叠具有小Ge摩尔分数的Si1-x1-y1Gex1Cy1层（0 <= x1 <1和0 y2），例如Si0.2Ge0.8层 以这种方式，多层膜用作结合到晶格点中的C原子的SiGeC层的范围延伸到Ge摩尔分数高的高度。

公开(公告)号：US06660393B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10383743

申请日：2003-03-10

申请人： Tohru Saitoh ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo

发明人： Tohru Saitoh ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo

IPC分类号： C30B2934

CPC分类号： H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

摘要： A B-doped Si1−x−yGexCy layer 102 (where 0

摘要翻译： 使用UHV-CVD工艺在Si衬底101上外延生长B掺杂的Si1-x-yGexCy层102（其中0

公开(公告)号：US06919253B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10359553

申请日：2003-02-07

申请人： Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Shigetaka Aoki

发明人： Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Shigetaka Aoki

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： A method of fabricating a semiconductor device according to the present invention includes a step A of forming a polycrystalline or amorphous preliminary semiconductor layer on a surface of a substrate so as to have an opening portion and a step B of simultaneously forming an epitaxial growth layer on an exposed portion of a surface of the substrate through the opening portion and a non-epitaxial growth layer on the preliminary semiconductor layer using a CVD method while heating the substrate inside a reaction chamber by means of a heat source inside the reaction chamber, the epitaxial growth layer being made of single crystalline semiconductor, and the non-epitaxial growth layer being comprised of a polycrystalline or amorphous semiconductor layer.

摘要翻译： 根据本发明的制造半导体器件的方法包括步骤A，其在衬底的表面上形成多晶或无定形初级半导体层以具有开口部分和在同时形成外延生长层的步骤B上 通过开口部分的衬底的暴露部分和初步半导体层上的非外延生长层，使用CVD方法，同时通过反应室内的热源在反应室内加热衬底，外延 生长层由单晶半导体制成，非外延生长层由多晶或非晶半导体层组成。

公开(公告)号：US20050066887A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10359553

申请日：2003-02-07

申请人： Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Shigetaka Aoki

发明人： Tohru Saitoh ,  Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Shigetaka Aoki

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： A method of fabricating a semiconductor device according to the present invention includes a step A of forming a polycrystalline or amorphous preliminary semiconductor layer on a surface of a substrate so as to have an opening portion and a step B of simultaneously forming an epitaxial growth layer on an exposed portion of a surface of the substrate through the opening portion and a non-epitaxial growth layer on the preliminary semiconductor layer using a CVD method while heating the substrate inside a reaction chamber by means of a heat source inside the reaction chamber, the epitaxial growth layer being made of single crystalline semiconductor, and the non-epitaxial growth layer being comprised of a polycrystalline or amorphous semiconductor layer.

摘要翻译： 根据本发明的制造半导体器件的方法包括步骤A，其在衬底的表面上形成多晶或无定形初级半导体层以具有开口部分和在同时形成外延生长层的步骤B上 通过开口部分的衬底的暴露部分和初步半导体层上的非外延生长层，使用CVD方法，同时通过反应室内的热源在反应室内加热衬底，外延 生长层由单晶半导体制成，非外延生长层由多晶或非晶半导体层组成。

公开(公告)号：US06720587B2

公开(公告)日：2004-04-13

申请号：US10048562

申请日：2002-02-04

申请人： Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo ,  Yoshihiko Kanzawa

发明人： Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo ,  Yoshihiko Kanzawa

IPC分类号： H01L31109

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An initial estimated value of a process condition is set, and a structure of an element of a semiconductor device is estimated by a process simulator, after which an estimated value of a physical amount measurement value is calculated. Then, an actual measurement value of a physical amount of the element of the semiconductor device, which is obtained by an optical evaluation method, and a theoretical calculated value thereof are compared with each other, so as to obtain a probable structure of the measured semiconductor device element by using, for example, a simulated annealing, or the like. A process condition in a process for other semiconductor device elements can be corrected by using the results.

摘要翻译： 设置处理条件的初始估计值，并且通过处理模拟器估计半导体器件的元件的结构，之后计算物理量测量值的估计值。 然后，将通过光学评估方法获得的半导体器件的元件的物理量的实际测量值和理论计算值彼此进行比较，以获得测量的半导体的可能结构 器件元件，例如使用模拟退火等。 可以通过使用结果来校正其他半导体器件元件的处理过程。

公开(公告)号：US06649496B2

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09979258

申请日：2001-11-21

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52

摘要： After the surface of a Si substrate (1) has been pretreated, an SiGeC layer (2) is formed on the Si substrate (1) using an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) apparatus. During this process step, the growth temperature of the SiGeC layer (2) is set at 490° C. or less and Si2H6, GeH4 and SiH3CH3 are used as Si, Ge and C sources, respectively, whereby the SiGeC layer (2) with good crystallinity can be formed.

摘要翻译： 在Si衬底（1）的表面经过预处理之后，使用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）装置在Si衬底（1）上形成SiGeC层（2）。 在该工艺步骤中，SiGeC层（2）的生长温度设定为490℃以下，Si 2 H 6，GeH 4，SiH 3 CH 3分别用作Si，Ge，C源，SiGeC层（2）与 可以形成良好的结晶度。

公开(公告)号：US06645836B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US09979305

申请日：2001-11-21

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Katsuya Nozawa ,  Tohru Saitoh ,  Minoru Kubo

IPC分类号： H01L2130

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

摘要： A Si substrate 1 with a SiGeC crystal layer 8 deposited thereon is annealed to form an annealed SiGeC crystal layer 10 on the Si substrate 1. The annealed SiGeC crystal layer includes a matrix SiGeC crystal layer 7, which is lattice-relieved and hardly has dislocations, and Sic microcrystals 6 dispersed in the matrix SiGeC crystal layer 7. A Si crystal layer is then deposited on the annealed SiGeC crystal layer 10, to form a strained Si crystal layer 4 hardly having dislocations.

摘要翻译： 对其上沉积有SiGeC晶体层8的Si衬底1进行退火，以在Si衬底1上形成退火的SiGeC晶体层10.退火的SiGeC晶体层包括晶格释放且几乎不具有位错的SiGeC晶体层7 ，以及分散在基体SiGeC晶体层7中的Sic微晶6.然后在退火的SiGeC晶体层10上沉积Si晶体层，形成几乎不具有位错的应变Si晶体层4。

公开(公告)号：US07105449B1

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10111599

申请日：2000-10-27

申请人： Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Tohru Saitoh

发明人： Katsuya Nozawa ,  Minoru Kubo ,  Tohru Saitoh

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/8249

摘要： A thermal cleaning of a substrate that has been subjected to wet cleaning is carried out under a high vacuum atmosphere to remove an oxide film remaining on the substrate. Thereafter, a thermal cleaning is carried out under a hydrogen atmosphere to remove contamination such as carbon or the like. At this time, the oxide film has already been removed and therefore contamination is effectively removed by a relatively low temperature and short duration thermal cleaning. Thus, problems such as the degradation of the profile of the impurity concentration in the impurity diffusion layer which has been formed over the substrate are prevented.

摘要翻译： 进行了湿式清洗的基板的热清洗是在高真空气氛下进行的，以除去留在基板上的氧化膜。 此后，在氢气氛下进行热清洗以除去诸如碳等的污染物。 此时，氧化膜已经被去除，因此通过相对低的温度和短时间的热清洁有效地去除污染。 因此，防止了在衬底上形成的杂质扩散层中的杂质浓度分布的劣化的问题。