公开(公告)号：US5017715A

公开(公告)日：1991-05-21

申请号：US523878

申请日：1990-05-16

申请人： Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Mikio Endo ,  Tohru Kubota

发明人： Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Mikio Endo ,  Tohru Kubota

IPC分类号： C07B63/04 ,  C07F7/12 ,  C08K5/54

CPC分类号： C08K5/5406

摘要： A composition comprising iodotrimethylsilane in admixture with a polysiloxane is shelf stable for a long time and effective in various organic synthetic reactions.

公开(公告)号：US5772925A

公开(公告)日：1998-06-30

申请号：US891000

申请日：1997-07-10

申请人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Ichiro Kaneko ,  Katsuyuki Oikawa ,  Yoshihumi Takeda

发明人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Ichiro Kaneko ,  Katsuyuki Oikawa ,  Yoshihumi Takeda

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  C09D179/08 ,  H01L21/027 ,  F21V9/00 ,  B05B5/00 ,  B05D5/06

CPC分类号： C08G73/105 ,  C08G73/101 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1064 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1082 ,  C09D179/08 ,  G02B1/111

摘要： An anti-reflective coating composition comprising a polyimide dissolved in an organic solvent is used to form an anti-reflective coating beneath a chemical amplification type resist layer. The composition allows a fine resist pattern to be formed with high accuracy in a convenient, efficient, reproducible manner.

摘要翻译： 使用包含溶解在有机溶剂中的聚酰亚胺的抗反射涂层组合物在化学放大型抗蚀剂层下方形成抗反射涂层。 该组合物允许以方便，有效，可再现的方式以高精度形成精细的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US5629134A

公开(公告)日：1997-05-13

申请号：US539759

申请日：1995-10-06

申请人： Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Fujio Yagihashi ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

发明人： Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Fujio Yagihashi ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03C1/492 ,  G03C1/494 ,  G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： In a chemically amplified positive resist composition comprising an organic solvent, an alkali soluble resin, an acid generator, and an optional dissolution inhibitor, a salt of a pyridine which may have an alkyl, alkoxy, amino or dialkylamino group with an alkylsulfonic acid, arylsulfonic acid or halogen atom is blended. Because of high sensitivity to deep UV and resolution and elimination of the PED problem causing T-top pattern configuration and the skirting phenomenon, the resist composition is improved in dimensional precision and lends itself to fine patterning.

摘要翻译： 在包含有机溶剂，碱溶性树脂，酸产生剂和任选的溶解抑制剂的化学放大型正性抗蚀剂组合物中，可以具有烷基磺酸的烷基，烷氧基，氨基或二烷基氨基的吡啶盐，芳基磺酸 酸或卤素原子混合。 由于对深UV和分辨率的高灵敏度以及消除引起T顶部图案构型和裙边现象的PED问题，抗蚀剂组合物的尺寸精度提高，并且适合精细图案化。

公开(公告)号：US5529888A

公开(公告)日：1996-06-25

申请号：US531328

申请日：1995-09-20

申请人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihumi Takeda ,  Katsuyuki Oikawa

发明人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihumi Takeda ,  Katsuyuki Oikawa

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A water-soluble composition comprising a water-soluble N-vinylpyrrolidone copolymer and a fluorinated organic acid in a weight ratio of from 20:80 to 70:30 is useful in forming a water-soluble overlying film on a chemically amplified resist layer. The overlying film functions as both an anti-reflective film and a protective film during resist pattern formation by photolithography.

摘要翻译： 包含重量比为20:80至70:30的水溶性N-乙烯基吡咯烷酮共聚物和氟化有机酸的水溶性组合物可用于在化学放大抗蚀剂层上形成水溶性覆盖膜。 在通过光刻的抗蚀剂图案形成期间，上覆膜既用作抗反射膜，又用作保护膜。

公开(公告)号：US5624787A

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：US466690

申请日：1995-06-06

申请人： Satoshi Watanabe ,  Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Tadahito Matsuda ,  Yoshio Kawai

发明人： Satoshi Watanabe ,  Katsuyuki Oikawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Tadahito Matsuda ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

摘要： A chemically amplified, positive resist composition contains a trifluoromethanesulfonic or p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salt and a nitrogenous compound. The composition is highly sensitive to high energy radiation, especially KrF excimer laser and has high sensitivity, resolution and plasma etching resistance while the resulting resist pattern is heat resistant.

摘要翻译： 化学增幅阳性抗蚀剂组合物含有三氟甲磺酸或对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐和含氮化合物。 该组合物对高能辐射高度敏感，特别是KrF准分子激光器，并且具有高灵敏度，分辨率和等离子体耐蚀刻性，同时产生的抗蚀剂图案是耐热的。

公开(公告)号：US5679496A

公开(公告)日：1997-10-21

申请号：US566703

申请日：1995-12-04

申请人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuyuki Oikawa ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

发明人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuyuki Oikawa ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

IPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C381/12 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A chemically amplified positive resist composition contains a novel trifluoromethanesulfonic or p-toluenesulfonic acid sulfonium salt having at least one tert-butoxycarbonylmethoxy group as an acid labile group. The composition is highly sensitive to high energy radiation, especially KrF excimer laser and has high sensitivity, resolution and plasma etching resistance while the resulting resist pattern is heat resistant.

摘要翻译： 化学放大正型抗蚀剂组合物含有具有至少一个叔丁氧基羰基甲氧基作为酸不稳定基团的新型三氟甲磺酸或对甲苯磺酸锍盐。 该组合物对高能辐射高度敏感，特别是KrF准分子激光器，并且具有高灵敏度，分辨率和等离子体耐蚀刻性，同时产生的抗蚀剂图案是耐热的。